Abstract
Light-emitting diodes (LEDs) based on group III-nitride semiconductors (GaN, AlN, and InN) are crucial elements for solid-state lighting and visible light communication applications. The most widely used growth plane for group III-nitride LEDs is the polar plane (c-plane), which is characterized by the presence of a polarization-induced internal electric field in heterostructures. It is possible to address long-standing problems in group III-nitride LEDs, by using semipolar and nonpolar orientations of GaN. In addition to the reduction in the polarization-induced internal electric field, semipolar orientations potentially offer the possibility of higher indium incorporation, which is necessary for the emission of light in the visible range. This is the preferred growth orientation for green/yellow LEDs and lasers. The important properties such as high output power, narrow emission linewidth, robust temperature dependence, large optical polarization ratio, and low-efficiency droop are demonstrated with semipolar LEDs. To harness the advantages of semipolar orientations, comprehensive studies are required. This review presents the recent progress on the development of semipolar InGaN/GaN quantum well LEDs. Semipolar InGaN LED structures on bulk GaN substrates, sapphire substrates, free-standing GaN templates, and on Silicon substrates are discussed including the bright prospects of group III-nitrides.
Similar content being viewed by others
REFERENCES
H. Elgala, R. Mesleh, and H. Haas, IEEE Commun. Mag. 49 (9), 56 (2011).
G. C. García, I. L. Ruiz, and M. Á. G. Nieto, Sensors 16, 1968 (2016).
C.-X. Wang, F. Haider, X. Gao, X.-H. You, Y. Yang, D. Yuan, H. M. Aggoune, H. Haas, S. Fletcher, and E. Hepsaydir, IEEE Commun. Mag. 52, 122 (2014).
S. Rajbhandari, J. J. D. McKendry, J. Herrnsdorf, H. Chun, G. Faulkner, H. Haas, I. M. Watson, D. O’Brien, and M. D. Dawson, Semicond. Sci. Technol. 32, 023001 (2017)
J. Grubor, S. Randel, K.-D. Langer, and J. W. Walewski, in Proceedings of the 2008 6th International Symposium on Communication Systems, Networks and Digital Signal Processing (2008), Vol. 1, p. 165.
S. Nakamura, Science (Washington, DC, U. S.) 281 (5379), 956 (1998).
E. F. Schubert and J. K. Kim, Science (Washington, DC, U. S.) 308 (5726), 1274 (2005).
Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 354002 (2010).
B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
I. Vurgaftman and J. R. Meyer, J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003).
A. E. Romanov, T. J. Baker, S. Nakamura, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 100, 023522 (2006).
U. T. Schwarz and M. Kneissl, Phys. Status Solidi RRL 1 (3), A44 (2007).
J. H. Ryou, P. D. Yoder, J. P. Liu, Z. Lochner, H. Kim, S. Choi, H. J. Kim, and R. D. Dupuis, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 15, 1080 (2009).
H. Li, P. Li, J. Kang, Z. Li, Y. Zhang, Z. Li, J. Li, X. Yi, J. Li, and G. Wang, Appl. Phys. Express 6, 052102 (2013).
H. Masui, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Dev. 57, 88 (2010).
R. M. Farrell, E. C. Young, F. Wu, S. P. Den Baars, and J. S. Speck, Semicond. Sci. Technol. 27, 024001 (2012).
Y. J. Zhao, Q. M. Yan, C. Y. Huang, S. C. Huang, P. S. Hsu, S. Tanaka, C. C. Pan, Y. Kawaguchi, K. Fujito, C. G. van de Walle, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and D. Feezell, Appl. Phys. Lett. 100, 201108 (2012).
S. Marcinkevičius, K. M. Kelchner, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Phys. Status Solidi C 11, 690 (2014).
Y. Zhao, S. Tanaka, C.-C. Pan, K. Fujito, D. Feezell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 4, 082104 (2011).
H. Zhong, A. Tyagi, N. N. Fellows, F. Wu, R. B. Chung, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 90, 233504 (2007).
C.-C. Pan, S. Tanaka, F. Wu, Y. Zhao, J. S. Speck, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and D. Feezell, Appl. Phys. Express 5, 062103 (2012).
Y. Zhao, J. Sonoda, C. C. Pan, S. Brinkley, I. Koslow, K. Fujito, H. Ohta, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 3, 102101 (2010).
A. Tyagi, H. Zhong, N. N. Fellows, M. Iza, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L129 (2007).
D. L. Becerra, Y. Zhao, S. H. Oh, C. D. Pynn, K. Fujito, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 105, 171106 (2014).
A. E. Romanov, E. C. Young, F. Wu, A. Tyagi, C. S. Gallinat, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 109, 103522 (2011).
M. Monavarian, S. Metzner, N. Izyumskaya, S. Okur, F. Zhang, N. Can, S. Das, V. Avrutin, Ü. Özgür, F. Bertram, J. Christen, and H. Morkoç, in Gallium Nitride Materials and Devices X, Proc. SPIE 9363, 93632 (2015).
J. E. Northrup and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 60, R8473 (1999).
Y. Zhao, Q. Yan, C. Y. Huang, S. C. Huang, P. Shan Hsu, S. Tanaka, C. C. Pan, Y. Kawaguchi, K. Fujito, C. G. van de Walle, J. S. Speck, S. P. Denbaars, S. Nakamura, and D. Feezell, Appl. Phys. Lett. 100, 201108 (2012).
M. Monavarian, S. Metzner, N. Izyumskaya, S. Okur, F. Zhang, N. Can, S. Das, V. Avrutin, U. Ozgür, F. Bertram, J. Christen, and H. Morkoç, Proc. SPIE 9363, 93632 (2015).
M. V. Durnev, A. V. Omelchenko, E. V. Yakovlev, I. Y. Evstratov, and S. Y. Karpov, Phys. Status Solidi A 208, 2671 (2011).
S. Marcinkevičius, R. Ivanov, Y. Zhao, S. Nakamaura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 104, 111113 (2014).
Y. Kawaguchi, C.-Y. Huang, Y.-R. Wu, Q. Yan, C.‑C. Pan, Y. Zhao, S. Tanaka, K. Fujito, D. Feezell, C. G. van de Walle, S. P. DenBaars, and S. Nakamaura, Appl. Phys. Lett. 100, 231110 (2012).
S.-H. Park and D. Ahn, J. Appl. Phys. 112, 093106 (2012).
S. Marcinkevičius, Y. Zhao, K. M. Kelchner, S. Nakamaura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 103, 131116 (2013).
Y. Zhao, S. Tanaka, Q. Yan, C.-Y. Huang, R. B. Chung, C.-C. Pan, K. Fujito, D. Feezell, C. G. van de Walle, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 99, 051109 (2011).
Y. Zhao, Q. Yan, C.-Y. Huang, S.-C. Huang, P. S. Hsu, S. Tanaka, C.-C. Pan, Y. Kawaguchi, K. Fujito, C. G. van de Walle, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamaura, and D. Feezell, Appl. Phys. Lett. 100, 201108 (2012).
C.-Y. Huang, M. T. Hardy, K. Fujito, D. Feezell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamaura, Appl. Phys. Lett. 99, 241115 (2011).
C.-C. Pan, T. Gilbert, N. Pfaff, S. Tanaka, Y. Zhao, D. Feezell, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Express 5, 102103 (2012).
S. Marcinkevičius, R. Ivanov, Y. Zhao, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 104, 111113 (2014).
Y. Zhao, S. H. Oh, F. Wu, Y. Kawaguchi, S. Tanaka, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 6, 062102 (2013).
F. Wu, Y. Zhao, A. E. Romanov, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 104, 151901 (2014).
C.-C. Pan, S. Tanaka, F. Wu, Y. Zhao, J. S. Speck, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and D. Feezell, Appl. Phys. Express 5, 062103 (2012).
S. H. Oh, B. P. Yonkee, M. Cantore, R. M. Farrell, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Express 9, 102102 (2016).
D. F. Feezell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, J. Disp. Technol. 9, 190 (2013).
E. Kioupakis, Q. Yan, and C. G. van de Walle, Appl. Phys. Lett. 101, 231107 (2012).
E. Kioupakis, Q. Yan, D. Steiauf, and C. G. van de Walle, New J. Phys. 15, 125006 (2013).
T. Melo, Y.-L. Hu, C. Weisbuch, M. C. Schmidt, A. David, B. Ellis, C. Poblenz, Y.-D. Lin, M. R. Krames, and J. W. Raring, Semicond. Sci. Technol. 27, 024015 (2012).
M. Knab, M. Hocker, T. Felser, I. Tischer, J. Wang, F. Scholz, and K. Thonke, Phys. Status Solidi B 253, 126 (2016).
A. Lotsari, A. Das, Th. Kehagias, Y. Kotsar, E. Monroy, Th. Karakostas, P. Gladkov, Ph. Komninou, and G. P. Dimitrakopulos, J. Cryst. Growth 339, 1 (2012).
A. Das, S. Magalhaes, Y. Kotsar, P. K. Kandaswamy, B. Gayral, K. Lorenz, E. J. C. Alves, P. Ruterana, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 96, 181907 (2010).
A. Das, P. Sinha, Y. Kotsar, P. K. Kandaswamy, G. P. Dimitrakopulos, Th. Kehagias, Ph. Komninou, G. Nataf, P. de Mierry, and E. Monroy, J. Cryst. Growth 323, 161 (2011).
A. Das, G. P. Dimitrakopulos, Y. Kotsar, A. Lotsari, Th. Kehagias, Ph. Komninou, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 98, 201911 (2011).
A. Lotsari, G. P. Dimitrakopulos, Th. Kehagias, A. Das, E. Monroy, and Ph. Komninou, Microelectron. Eng. 90, 108 (2012).
T. Koukoula, A. Lotsari, Th. Kehagias, G. P. Dimitrakopulos, I. Häusler, A. Das, E. Monroy, Th. Karakostas, and Ph. Komninou, Appl. Surf. Sci. 260, 7 (2012).
A. Das, L. Lahourcade, J. Pernot, S. Valdueza-Felip, P. Ruterana, A. Laufer, M. Eickhoff, and E. Monroy, Phys. Status Solidi C 7, 1913 (2010).
E. Monroy, P. K. Kandaswamy, H. Machhadani, A. Wirthmüller, S. Sakr, L. Lahourcade, A. Das, M. Tchernycheva, P. Ruterana, and F. H. Julien, Proc. SPIE 7608, 76081G (2010).
M. Khoury, M. Leroux, M. Nemoz, G. Feuillet, J. Zuniga-Perez, and P. Vennegues, J. Cryst. Growth 419, 88 (2015).
F. Tendille, P. de Mierry, P. Vennegues, S. Chenot, and M. Teisseire, J. Cryst. Growth 404, 177 (2014).
P. Vennegues, F. Tendille, and P. de Mierry, J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 325103 (2015).
J. Song, J. Choi, K. Xiong, Y. Xie, J. J. Cha, and J. Han, ACS Appl. Mater. Interfaces 9, 14088 (2017).
H. Sato, A. Tyagi, H. Zhong, N. Fellows, R. B. Chung, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Phys. Status Solidi RRL 1, 162 (2007).
M. Funato, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, T. Kosugi, M. Takahashi, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 45, 659 (2006).
H. Sato, R. B. Chung, H. Hirasawa, N. Fellows, H. Masui, F. Wu, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 92, 221110 (2008).
H. Li, M. Khoury, B. Bonef, A. I. Alhassan, A. J. Mughal, E. Azimah, M. E. A. Samsudin, P. D. Mierry, S. Nakamura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, ACS Appl. Mater. Interfaces 9, 36417 (2017).
S. Jung, K. R. Song, S. N. Lee, and H. Kim, Adv. Mater. 25, 4470 (2013).
K. W. Kim, N. J. Choi, K. B. Kim, M. Kim, and S. N. Lee, J. Alloys Compd. 666, 88 (2016).
R. Southern-Holland, M. Halsall, T. Wang, and Y. Gong, Phys. Status Solidi C. 13, 274 (2016).
D. S. Oh, J. J. Jang, O. Nam, K. M. Song, and S. N. Lee, J. Cryst. Growth 326, 33 (2011).
C. Brasser, J. Bruckbauer, Y. Gong, L. Jiu, J. Bai, M. Warzecha, P. R. Edwards, T. Wang, and R. W. Martin, J. Appl. Phys. 123, 174502 (2018).
Z. Wu, S. Lu, P. Yang, P. Tian, L. Hu, R. Liu, J. Kang, and Z. Fang, Cryst. Eng. Commun. 21, 244 (2019).
S. Lee, J. Jang, K. H. Lee, J. H. Hwang, J. Jeong, and O. Nam, Phys. Status Solidi A 209, 1526 (2012).
S. N. Lee, J. Kim, and H. Kim, J. Electrochem. Soc. 158, 994 (2011).
F. Tendille, M. Hugues, P. Vennegues, M. Tesseire, and P. D. Mierry, Semicond. Sci. Technol. 30, 065001 (2015).
J. Jeong, J. J. Jang, J. Hwang, C. Jung, J. Kim, K. Lee, H. Lim, and O. Nam, J. Cryst. Growth 370, 114 (2013).
T. Wernicke, C. Netzel, M. Weyers, and M. Kneissl, Phys. Status Solidi C 5, 1815 (2008).
Q. Sun, B. Leung, C. D. Yerino, Y. Zhang, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 95, 231904 (2009).
N. Kriouche, P. Vennegues, M. Nemoz, G. Nataf, and P. de Mierry, J. Cryst. Growth 312, 2625 (2010).
P. de Mierry, N. Kriouche, M. Nemoz, S. Chenot, and G. Nataf, Appl. Phys. Lett. 96, 231918 (2010).
H. Gao, F. Yan, Y. Zhang, J. Li, Y. Zeng, and G. Wang, J. Appl. Phys. 103, 014314 (2008).
X.-F. Li, S.-W. Huang, H.-Y. Lin, C.-Y. Lu, S.‑F. Yang, C.-C. Sun, and C.-Y. Liu, Opt. Mater. Express 5, 1784 (2015).
Y. Narukawa, M. Ichikawa, D. Sanga, M. Sano, and T. Mukai, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 354002 (2010).
N. Okada, K. Uchida, S. Miyoshi, and K. Tadatomo, Phys. Status Solidi A 209, 469 (2012).
B. Leung, Y. Zhang, C. D. Yerino, J. Han, Q. Sun, Z. Chen, S. Lester, K. Y. Liao, and Y. L. Li, Semicond. Sci. Technol. 27, 024016 (2012).
F. Brunner, U. Zeimer, F. Edokam, W. John, D. Prasai, O. Krüger, and M. Weyers, Phys. Status Solidi B 252, 1189 (2015).
N. Okada, A. Kurisu, K. Murakami, and K. Tadatomo, Appl. Phys. Express 2, 091001 (2009).
D. Hanser, M. Tutor, E. Preble, M. Williams, X. Xu, D. Tsvetkov, and L. Liu, J. Cryst. Growth 305, 372 (2007).
D. V. Dinh, M. Akhter, S. Presa, G. Kozlowski, D. O’Mahony, P. P. Maaskant, F. Brunner, M. Caliebe, M. Weyers, F. Scholz, B. Corbett, and P. J. Parbrook, Phys. Status Solidi A 212, 2196 (2015).
M. Khoury, H. Li, B. Bonef, L. Y. Kuritzky, A. J. Mughal, S. Nakamura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Express 11, 036501 (2018).
B. Leung, D. Wang, Y. S. Kuo, and J. Han, Phys. Status Solidi B 253, 23 (2016).
T. Zywietz, J. Neugebauer, and M. Scheffler, Appl. Phys. Lett. 73, 487 (1998).
B. Leung, D. Wang, Y.-S. Kuo, and J. Han, Phys. Status Solidi B 253, 23 (2016).
X. Wang, S. Li, S. Fündling, J. Wei, M. Erenburg, H.‑H. Wehmann, A. Waag, W. Bergbauer, M. Strassburg, U. Jahn, and H. Riechert, Cryst. Growth Des. 12, 2552 (2012).
J. Song, G. Yuan, K. Xiong, B. Leung, and J. Han, Cryst. Growth Des. 14, 2510 (2014).
J. Song, J. Choi, K. Xiong, Y. Xie, J. J. Cha, and J. Han, ACS Appl. Mater. Interfaces 9, 14088 (2017).
S.-W. H. Chen, Y.-M. Huang, K. J. Singh, Y.-C. Hsu, F.-J. Liou, J. Song, J. Choi, P.-T. Lee, C.-C. Lin, Z. Chen, J. Han, T. Wu, and H.-C. Kuo, Photon. Res. 8, 630 (2020).
D. V. Dinh, B. Corbett, P. J. Parbrook, I. L. Koslow, M. Rychetsky, M. Guttmann, T. Wernicke, M. Kneissl, C. Mounir, U. Schwarz, J. Glaab, C. Netzel, F. Brunner, and M. Weyers, J. Appl. Phys. 120, 135701 (2016).
D. V. Dinh, Z. Quan, B. Roycroft, P. J. Parbrook, and B. Corbett, Opt. Lett. 41, 5752 (2016).
Z. Quan, D. V. Dinh, S. Presa, B. Roycroft, A. Foley, M. Akhter, D. O’Mahony, P. P. Maaskant, M. Caliebe, F. Scholz, P. J. Parbrook, and B. Corbett, IEEE Photon. J. 8, 1601808 (2016).
M. Khoury, H. Li, L. Y. Kuritzky, A. J. Mughal, P. DeMierry, S. Nakamura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Express 10, 106501 (2017).
L. Wang, J. Jin, Z. Hao, Y. Luo, C. Sun, Y. Han, B. Xiong, J. Wang, and H. Li, Phys. Status Solidi A 214, 1600810 (2017).
K. R. Song, C. Y. Cho, and S. N. Lee, Thin Solid Films 707, 138077 (2020).
M. Funato, T. Kotani, T. Kondou, and Y. Kawakami, Appl. Phys. Lett. 100, 162107 (2012).
L. H. Zhu, F. M. Zeng, W. Liu, Z. C. Feng, B. L. Liu, Y. J. Lu, Y. L. Gao, and Z. Chen, IEEE Trans. Electron Dev. 60, 3753 (2013).
A. Sakai, H. Sunakawa, and A. Usui, Appl. Phys. Lett. 71, 2259 (1997).
J. Hertkorn, P. Brückner, S. B. Thapa, T. Wunderer, F. Scholz, M. Feneberg, K. Thonke, R. Sauer, M. Beer, and J. Zweck, J. Cryst. Growth 308, 30 (2007).
B. Neubert, T. Wunderer, P. Brückner, F. Scholz, M. Feneberg, F. Lipski, M. Schirra, and K. Thonke, J. Cryst. Growth 298, 706 (2007).
M. Funato, K. Hayashi, M. Ueda, Y. Kawakami, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 93, 021126 (2008).
C. Y. Cho, I. K. Park, M. K. Kwon, J. Y. Kim, S. J. Park, D. R. Jung, and K. W. Kwon, Appl. Phys. Lett. 93, 241109 (2008).
S. Y. Bae, D. H. Kim, D. S. Lee, S. J. Lee, and J. H. Baek, Electrochem. Solid-State Lett. 15, H47 (2011).
T. Wunderer, J. Wang, F. Lipski, S. Schwaiger, A. Chuvilin, U. Kaiser, S. Metzner, F. Bertram, J. Christen, S. S. Shirokov, A. E. Yunovich, and F. Scholz, Phys. Status Solidi C 7, 2140 (2010).
R. A. R. Leute, J. Wang, T. Meisch, J. Biskupek, U. Kaiser, and F. Scholz, Phys. Status Solidi C 12, 376 (2015).
F. Zeng, L. Zhu, W. Liu, X. Li, W. Liu, B. J. Chen, Y. C. Lee, Z. Feng, and B. Liu, J. Alloys Compd. 656, 881 (2016).
A. K. Rishinaramangalam, M. Nami, M. N. Fairchild, D. M. Shima, G. Balakrishnan, S. R. J. Brueck, and D. F. Feezell, Appl. Phys. Express 9, 059201 (2016).
J. Jongjin, L. Kyuseung, M. Daehong, K. Jaehwan, C. Sooryong, L. Gyungbae, and N. Okhyun, J. Nanosci. Nanotechnol. 16, 10881 (2016).
P. Waltereit, O. Brandt, A. Trampert, H. T. Grahn, J. Menniger, M. Ramsteiner, M. Reiche, and K. H. Ploog, Nature (London, U.K.) 406, 865 (2000).
Q. Sun, B. Leung, C. D. Yerino, Y. Zhang, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 95, 231904 (2009).
Y. J. Sun, O. Brandt, U. Jahn, T. Y. Liu, A. Trampert, S. Cronenberg, S. Dhar, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 92, 5714 (2002).
K.-C. Kim, M. C. Schmidt, F. Wu, M. B. McLaurin, A. Hirai, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 93, 142108 (2008).
Y. S. Cho, Q. Sun, I.-H. Lee, T.-S. Ko, C. D. Yerino, J. Han, B. H. Kong, H. K. Cho, and S. Wang, Appl. Phys. Lett. 93, 111904 (2008).
J. Song, J. Choi, C. Zhang, Z. Deng, Y. Xie, and J. Han, ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 33140 (2019).
J. Song, J. Choi, and J. Han, J. Cryst. Growth 536, 125575 (2020).
G. Zhao, L. Wang, H. Li, Y. Meng, F. Li, S. Yang, and Z. Wang, Appl. Phys. Lett. 112, 052105 (2018).
G. J. Jeong, H. D. Yoo, K. K. Kim, and S. N. Lee, J. Vac. Sci. Technol. B 33, 051205 (2015).
S. Liu, X. Li, X. Yu, Z. Chang, P. Che, J. Zhou, and W. Li, J. Alloys Compd. 655, 203 (2016).
J. Park, D. S. Shin, and D. H. Kim, J. Alloys Compd. 611, 157 (2014).
J. O. Song, D. S. Leem, J. S. Kwak, Y. Park, S. W. Chae, and T. Y. Seong, IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 291 (2005).
S. M. Pan, R. C. Tu, Y. M. Fan, R. C. Yeh, and J. T. Hsu, IEEE Photon. Technol. Lett. 15, 646 (2003).
K. W. Kim, N. J. Choi, K. B. Kim, M. Kim, and S. N. Lee, J. Alloys Compd. 666, 88 (2016).
J. Song, J. Choi, C. Zhang, Z. Deng, Y. Xie, and J. Han, ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 33140 (2019).
M. Huang and L. Yang, IEEE Photon. Technol. Lett. 25, 1317 (2013).
J.-H. Hwang, Y. D. Kim, J.-W. Kim, S.-J. Jung, H.‑K. Kwon, and T.-H. Oh, Phys. Status Solidi C 7, 2157 (2010).
T. Tamura, T. Setomoto, and T. Taguchi, J. Lumin. 87, 1180 (2000).
S. Chanyawadee, P. G. Lagoudakis, R. T. Harley, M. D. B. Charlton, D. V. Talapin, H. W. Huang, and C.-H. Lin, Adv. Mater. 22, 602 (2010).
M. Achermann, M. A. Petruska, S. Kos, D. L. Smith, D. D. Koleske, and V. I. Klimov, Nature (London, U.K.) 429, 642 (2004).
G. Itskos, C. R. Belton, G. Heliotis, I. M. Watson, M. D. Dawson, R. Murray, and D. D. C. Bradley, Nanotechnology 20, 275207 (2009).
M. Athanasiou, R. M. Smith, S. Ghataora, and T. Wang, Sci. Rep. 7, 39677 (2017).
G. Heliotis, G. Itskos, R. Murray, M. D. Dawson, I. M. Watson, and D. D. C. Bradley, Adv. Mater. 18, 334 (2006).
R. M. Smith, M. Athanasiou, J. Bai, B. Liu, and T. Wang, Appl. Phys. Lett. 10, 121108 (2015).
N. Poyiatzis, M. Athanasiou, J. Bai, Y. Gong, and T. Wang, Sci. Rep. 9, 1383 (2019).
M. Khoury, H. Li, P. Li, Y. C. Chow, B. Bonef, H. Zhang, M. S. Wong, S. Pinna, J. Song, J. Choi, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Nano Energy 67, 104236 (2020).
B. Leung, D. Wang, Y. S. Kuo, K. Xiong, J. Song, D. Chen, S. H. Park, S. Y. Hong, J. W. Choi, and J. Han, Appl. Phys. Lett. 104, 262105 (2014).
S. H. Oh, B. P. Yonkee, M. Cantore, R. M. Farrell, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Express 9, 102102 (2016).
S. Okur, M. Nami, A. K. Rishinaramangalam, S. H. Oh, S. P. DenBaars, S. Liu, I. Brener, and D. F. Feezell, Opt. Express 25, 2178 (2017).
M. Monavarian, A. Rashidi, A. A. Aragon, M. Nami, S. H. Oh, S. P. DenBaars, and D. Feezell, Appl. Phys. Lett. 112, 191102 (2018).
M. Monavarian, A. Rashidi, A. Arago, S. H. Oh, M. Nami, S. P. DenBaars, and D. Feezell, Opt. Express 25, 19343 (2017).
A. Krost and A. Dadgar, Phys. Status Solidi A 194, 361 (2002).
A. Krost, A. Dadgar, G. Strassburger, and R. Clos, Phys. Status Solidi A 200, 26 (2003).
H. Honda, Y. Kuroiwa, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, Appl. Phys. Lett. 80, 222 (2002).
C. Long, P. Justin, S. Jan, L. Cheng, Z. Jian-Ming, Y. Wen-Jie, D. Zeng-Feng, and W. Xi, Chin. Phys. B 24, 118102 (2015).
B. Reuters, J. Strate, A. Wille, M. Marx, G. Lükens, L. Heuken, M. Heuken, H. Kalisch, and A. Vescan, J. Phys. D: Appl. Phys. 48, 485103 (2015).
F. Watt, M. B. H. Breese, A. A. Bettiol, and J. A. van Kan, Mater. Today 10 (6), 20 (2007).
L. Chen, J. Payne, J. Strate, C. Li, J. M. Zhang, W. J. Yu, Z. F. Di, and X. Wang, Chin. Phys. B 24, 118102 (2015).
T. Hikosaka, T. Tanikawa, Y. Honda, M. Yamaguchi, and N. Sawaki, Phys. Status Solidi C 5, 2234 (2008).
Q. Wang, G. D. Yuan, W. Q. Liu, S. Zhao, L. Zhang, Z. Q. Liu, J. X. Wang, and J. M. Li, Chin. Phys. B 28, 087802 (2019).
Q. Wang, G. Yuan, W. Liu, S. Zhao, Z. Liu, Y. Chen, J. Wang, and J. Li, J. Mater. Sci. 54, 7780 (2019).
S. Shen, X. Zhao, X. Yu, C. Zhu, J. Bai, and T. Wang, Phys. Status Solidi A 217, 1900654 (2020).
X. Luo, W. Song, H. Wang, Y. Sun, B. Zhang, L. Wang, J. Guo, L. He, K. Zhang, and S. Li, J. Lumin. 221, 117014 (2020).
N. Hafiz, N. Andrade, M. Monavarian, N. Izyumskaya, S. Das, F. Zhang, V. Avrutin, H. Morkoç, and U. Özgür, in Gallium Nitride Materials and Devices XI, Proc. SPIE 9748, 974828 (2016).
ACKNOWLEDGMENTS
AD is grateful to Prince Mohammad Bin Fahd University for support.
Author information
Authors and Affiliations
Corresponding author
Ethics declarations
The author declares no conflicts of interest.
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Das, A. A Systematic Exploration of InGaN/GaN Quantum Well-Based Light Emitting Diodes on Semipolar Orientations. Opt. Spectrosc. 130, 137–149 (2022). https://doi.org/10.1134/S0030400X2203002X
Received:
Revised:
Accepted:
Published:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1134/S0030400X2203002X