Abstract
Group III-nitride semiconductors (GaN, AlN, and InN) are attractive materials for a wide range of electronic and photonic applications. The most widely employed growth plane for III-nitrides is the polar plane, characterized by the presence of a polarization-induced internal electric field in heterostructures. To eliminate the deleterious effects of polarization, III-nitride devices grown on nonpolar and semipolar orientations have become a major area of research. In addition to the reduction in the polarization-induced internal electric field, semipolar orientations potentially offer the possibility of higher indium incorporation, which is necessary for the emission of light in the visible range and is the preferred growth orientation for green/yellow light-emitting diodes and lasers. This review presents the recent progress on the development of semipolar InGaN quantum well laser diodes. The developments of laser diodes in three different semipolar planes such as (11–22), (20–21), and (20–2–1) planes are discussed including the bright prospects of group III-nitrides.
Similar content being viewed by others
REFERENCES
M. Meneghini, G. Meneghesso, and E. Zanoni, Power GaN Devices (Springer, Germany, 2017).
S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer Science, Germany, 2013).
E. A. DeCuir, Jr., M. O. Manasreh, E. Tschumak, J. Schörmann, D. J. As, and K. Lischka, Appl. Phys. Lett. 92, 201910 (2008).
S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
F. Bernardini, V. Fiorentin, and D. Vanderbilt, Phys. Rev. B 56, R10024 (1998).
G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoç, Appl. Phys. Lett. 68, 2541 (1996).
M. Leroux, N. Grandjean, M. Laügt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, and P. Bigenwald, Phys. Rev. B 58, 13371 (1998).
A. E. Romanov, E. C. Young, F. Wu, A. Tyagi, C. S. Gallinat, S. Nakamura, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 109, 103522 (2011).
A. Strittmatter, J. E. Northrup, N. M. Johnson, M. V. Kisin, P. Spiberg, H. El-Ghoroury, A. Usikov, and A. Syrkin, Phys. Status Solidi B 248, 561 (2011).
H. Fu, Z. Lu, and Y. Zhao, AIP Adv. 6, 065013 (2016).
B. Amstatt, J. Renard, C. Bougerol, E. Bellet-Amalric, B. Gayral, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 102, 074913 (2007).
S. Founta, F. Rol, E. Bellet-Amalric, J. Bleuse, B. Daudin, B. Gayral, H. Mariette, and C. Moisson, Appl. Phys. Lett. 86, 171901 (2005).
A. M. Fischer, Z. Wu, K. Sun, Q. Wei, Y. Huang, R. Senda, D. Iida, M. Iwaya, H. Amano, and F. A. Ponce, Appl. Phys. Express 2, 041002 (2009).
M. Kubota, K. Okamoto, T. Tanaka, and H. Ohta, Appl. Phys. Express 1, 011102 (2008).
K. M. Kelchner, Y. D. Lin, M. T. Hardy, C. Y. Huang, P. S. Hsu, R. M. Farrell, D. A. Haeger, H. C. Kuo, F. Wu, K. Fujito, D. A. Cohen, A. Chakraborty, H. Ohta, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Express 2, 071003 (2009).
A. Chakraborty, T. J. Baker, B. A. Haskell, F. Wu, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and U. K. Mishra, Jpn. J. Appl. Phys. 44, L954 (2005).
K. Nishizuka, M. Funato, Y. Kawakami, S. Fujita, Y. Narukawa, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 85, 3122 (2004).
Y. Zhao, Q. Yan, C. Y. Huang, S. C. Huang, P. Shan Hsu, S. Tanaka, C. C. Pan, Y. Kawaguchi, K. Fujito, C. G. van de Walle, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and D. Feezell, Appl. Phys. Lett. 100, 201108 (2012).
M. Monavarian, S. Metzner, N. Izyumskaya, S. Okur, F. Zhang, N. Can, S. Das, V. Avrutin, U. Özgür, F. Bertram, J. Christen, and H. MorkoSc, Proc. SPIE 9363, 93632P (2015).
A. Tyagi, F. Wu, E. C. Young, A. Chakraborty, H. Ohta, R. Bhat, K. Fujito, S. P. DenBaars, S. Nakamura, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 95, 251905 (2009).
A. Das, S. Magalhaes, Y. Kotsar, P. K. Kandaswamy, B. Gayral, K. Lorenz, E. J. C. Alves, P. Ruterana, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 96, 181907 (2010).
A. Das, P. Sinha, Y. Kotsar, P. K. Kandaswamy, G. P. Dimitrakopulos, T. Kehagias, P. Komninou, G. Nataf, P. De Mierry, and E. Monroy, J. Cryst. Growth 323, 161 (2011).
A. Das, G. P. Dimitrakopulos, Y. Kotsar, A. Lotsari, T. Kehagias, P. Komninou, and E. Monroy, Appl. Phys. Lett. 98, 201911 (2011).
A. Lotsari, A. Das, T. Kehagias, Y. Kotsar, E. Monroy, T. Karakostas, P. Gladkov, P. Komninou, and G. P. Dimitrakopulos, J. Cryst. Growth 339, 1 (2012).
A. Lotsari, G. P. Dimitrakopulos, T. Kehagias, A. Das, E. Monroy, and P. Komninou, Microelectron. Eng. 90, 108 (2012).
T. Koukoula, A. Lotsari, T. Kehagias, G. P. Dimitrakopulos, I. Häusler, A. Das, E. Monroy, T. Karakostas, and P. Komninou, Appl. Surf. Sci. 260, 7 (2012).
A. Das, L. Lahourcade, J. Pernot, S. Valdueza-Felip, P. Ruterana, A. Laufer, M. Eickhoff, and E. Monroy, Phys. Status Solidi C 7, 1913 (2010).
E. Monroy, P. K. Kandaswamy, H. Machhadani, A. Wirthmüller, S. Sakr, L. Lahourcade, A. Das, M. Tchernycheva, P. Ruterana, and F. H. Julien, Proc. SPIE 7608, 76081G (2010).
J. Song, J. Choi, C. Zhang, Z. Deng, Y. Xie, and J. Han, ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 33140 (2019).
J. Song, J. Choi, and J. Han, J. Cryst. Growth 536, 125575 (2020).
K. W. Hamdy, E. C. Young, A. I. Alhassan, D. L. Becerra, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Opt. Express 27, 8327 (2019).
M. Khoury, H. Li, H. Zhang, B. Bonef, M. S. Wong, F. Wu, D. Cohen, P. De Mierry, P. Vennéguès, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, ACS Appl. Mater. Interfaces 11, 47106 (2019).
J. Iveland, L. Martinelli, J. Peretti, J. S. Speck, and C. Weisbuch, Phys. Rev. Lett. 110, 177406 (2013).
S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
L. Y. Kuritzky and J. S. Speck, MRS Commun. 5, 463 (2015).
C. Lee, C. Zhang, M. Cantore, R. M. Farrell, S. H. Oh, T. Margalith, J. S. Speck, S. Nakamura, J. E. Bowers, and S. P. DenBaars, Opt. Express 23, 16232 (2015).
S. Masui, Y. Nakatsu, D. Kasahara, and S. Nagahama, Proc. SPIE 10104, 101041H (2017).
M. Cantore, N. Pfaff, R. M. Farrell, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Opt. Express 24, A215 (2016).
C. Lee, C. Shen, H. M. Oubei, M. Cantore, B. Janjua, T. K. Ng, R. M. Farrell, M. M. El-Desouki, J. S. Speck, S. Nakamura, B. S. Ooi, and S. P. DenBaars, Opt. Express 23, 29779 (2015).
A. Tyagi, H. Zhong, R. B. Chung, D. F. Feezell, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 46, L444 (2007).
H. Asamizu, M. Saito, K. Fujito, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 1, 091102 (2008).
Y. Enya, Y. Yoshizumi, T. Kyono, K. Akita, M. Ueno, M. Adachi, T. Sumitomo, S. Tokuyama, T. Ikegami, K. Katayama, and T. Nakamura, Appl. Phys. Express 2, 082101 (2009).
P. S. Hsu, K. M. Kelchner, A. Tyagi, R. M. Farrell, D. A. Haeger, K. Fujito, H. Ohta, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 3, 052702 (2010).
C.-Y. Huang, M. T. Hardy, K. Fujito, D. F. Feezell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 99, 241115 (2011).
D. F. Feezell, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, J. Disp. Technol. 9, 190 (2013).
A. Pourhashemi, R. M. Farrell, M. T. Hardy, P. S. Hsu, K. M. Kelchner, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 103, 151112 (2013).
H. Y. Ryu, K. H. Ha, J. K. Son, H. S. Paek, Y. J. Sung, K. S. Kim, H. K. Kim, Y. Park, S. N. Lee, and O. H. Nam, J. Appl. Phys. 105, 103102 (2009).
S. L. Yellen, A. H. Shepard, R. J. Dalby, J. A. Baumann, H. B. Serreze, T. S. Guido, R. Soltz, K. J. Bystrom, C. M. Harding, and R. G. Waters, IEEE J. Quantum Electron. 29, 2058 (1993).
M. T. Hardy, C. O. Holder, D. F. Feezell, S. Nakamura, J. S. Speck, D. A. Cohen, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 103, 081103 (2013).
C. Chua, Z. Yang, C. Knollenberg, M. Teepe, B. Cheng, A. Strittmatter, D. Bour, and N. M. Johnson, Proc. SPIE 2011, 7939 (2011).
J. K. Sheu and G. C. Chi, J. Phys.: Condens. Matter 14, R657 (2002).
M. Takeya, T. Hashizu, and M. Ikeda, Proc. SPIE 5738, 63 (2005).
C. G. Granqvist and A. Hultaker, Thin Solid Films 411, 1 (2002).
A. Pourhashemi, R. M. Farrell, D. A. Cohen, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 106, 111105 (2015).
M. T. Hardy, F. Wu, C.-Y. Huang, Y. Zhao, D. F. Feezell, S. Nakamura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, IEEE Photon. Technol. Lett. 26, 43 (2014).
A. Myzaferi, A. H. Reading, D. A. Cohen, R. M. Farrell, S. Nakamura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 109, 061109 (2016).
A. Myzaferi, A. H. Reading, R. M. Farrell, D. A. Cohen, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Opt. Express 25, 16922 (2017).
S. Mehari, D. A. Cohen, D. L. Becerra, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Opt. Express 26, 1564 (2018).
H.-S. Choi, D.-G. Zheng, H. Kim, J.-I. Shim, and D.-S. Shin, J. Korean Phys. Soc. 66, 1554 (2015).
S. Tan, J. Zhang, T. Egawa, and G. Chen, Appl. Sci. 8, 2402 (2018).
D.-J. Kim, Y.-T. Moon, K.-M. Song, C.-J. Choi, Y.-W. Ok, T. Y. Seong, and S.-J. Park, J. Cryst. Growth 221, 368 (2000).
B. Yaghtin, R. Ghayour, and M. Hossein Sheikhi, Int. J. Optoelectron. Eng. 7, 13 (2017).
D. L. Becerra, D. A. Cohen, R. M. Farrell, S. P. DenBaars, and S. Nakamura, Appl. Phys. Express 9, 092104 (2016).
G. Yuan, K. Xiong, C. Zhang, Y. Li, and J. Han, ACS Photon. 3, 1604 (2016).
C. Zhang, G. Yuan, K. Xiong, S. H. Park, and J. Han, ECS Trans. 72, 47 (2016).
R. Anderson, D. Cohen, S. Mehari, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Opt. Express 27, 22764 (2019).
E. Kioupakis, P. Rinke, and C. G. van de Walle, Appl. Phys. Express 3, 082101 (2010).
D. Hwang, A. J. Mughal, M. S. Wong, A. I. Alhassan, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Express 11, 012102 (2018).
S. Lee, C. A. Forman, C. Lee, J. Kearns, E. C. Young, J. T. Leonard, D. A. Cohen, J. S. Speck, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Express 11, 062703 (2018).
J. T. Leonard, E. C. Young, B. P. Yonkee, D. A. Cohen, T. Margalith, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 107, 091105 (2015).
B. P. Yonkee, E. C. Young, C. Lee, J. T. Leonard, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Opt. Express 24, 7816 (2016).
C. Shen, C. Lee, E. Stegenburgs, J. H. Lerma, T. K. Ng, S. Nakamura, S. P. DenBaars, A. Y. Alyamani, M. M. El-Desouki, and B. S. Ooi, Appl. Phys. Express 10, 042201 (2017).
C. Shen, T. K. Ng, C. Lee, S. Nakamura, J. S. Speck, S. P. DenBaars, A. Y. Alyamani, M. M. El-Desouki, and B. S. Ooi, Opt. Express 26, A219 (2018).
C. Lee, C. Zhang, D. L. Becerra, S. Lee, C. A. Forman, S. H. Oh, R. M. Farrell, J. S. Speck, S. Nakamura, J. E. Bowers, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 109, 101104 (2016).
T. Wernicke, L. Schade, C. Netzel, J. Rass, V. Hoffmann, S. Ploch, A. Knauer, M. Weyers, U. Schwarz, and M. Kneissl, Semicond. Sci. Technol. 27, 024014 (2012).
C. Mounir, I. L. Koslow, T. Wernicke, M. Kneissl, L. Y. Kuritzky, N. L. Adamski, S. H. Oh, C. D. Pynn, S. P. DenBaars, S. Nakamura, J. S. Speck, and U. T. Schwarz, J. Appl. Phys. 123, 085705 (2018).
A. J. Mughal, S. Oh, A. Myzaferi, S. Nakamura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Electron. Lett. 52, 304 (2016).
A. Myzaferi, A. J. Mughal, D. A. Cohen, R. M. Farrell, S. Nakamura, J. S. Speck, and S. P. DenBaars, Opt. Express 26, 12490 (2018).
K. Katayama, N. Saga, M. Ueno, T. Ikegami, and T. Nakamura, Electron. Commun. Jpn. 98, 9 (2015).
D. Sizov, R. Bhat, J. Wang, and C.-E. Zah, Appl. Phys. Express 7, 112701 (2014).
L. Marona, J. Smalc-Koziorowska, E. Grzanka, M. Sarzynski, T. Suski, D. Schiavon, R. Czernecki, P. Perlin, R. Kucharski, and J. Domagala, Semicond. Sci. Technol. 31, 035001 (2016).
M. Murayama, Y. Nakayama, K. Yamazaki, Y. Hoshina, H. Watanabe, N. Fuutagawa, H. Kawanishi, T. Uemura, and H. Narui, Phys. Status Solidi A 215, 1700513 (2018).
P. S. Hsu, M. T. Hardy, F. Wu, I. Koslow, E. C. Young, A. E. Romanov, K. Fujito, D. F. Feezell, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 100, 021104 (2012).
P. S. Hsu, F. Wu, E. C. Young, A. E. Romanov, K. Fujito, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 103, 161117 (2013).
X. Han, Y. Liu, Y. Ren, J. Xing, T. Zhu, Z. Wu, Y. Liu, and B. Zhang, Mater. Sci. Semicond. Process. 91, 327 (2019).
H. Yu, L. K. Lee, T. Jung, and P. C. Ku, Appl. Phys. Lett. 90, 141906 (2007).
M. Feneberg, F. Lipski, R. Sauer, K. Thonke, P. Brückner, B. Neubert, T. Wunderer, and F. Scholz, J. Appl. Phys. 101, 053530 (2007).
M. Kushimoto, T. Tanikawa, Y. Honda, and H. Amano, Appl. Phys. Express 8, 022702 (2015).
S. Sakai, K. Matsuura, and A. A. Yamaguchi, Phys. Status Solidi B 254, 1600746 (2017).
H. Zhang, D. A. Cohen, P. Chan, M. S. Wong, S. Mehari, D. L. Becerra, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Opt. Lett. 44, 3106 (2019).
S. Mehari, D. A. Cohen, D. L. Becerra, S. Nakamura, and S. P. DenBaars, Jpn. J. Appl. Phys. 58, 020902 (2019).
ACKNOWLEDGMENTS
The author is grateful to Prince Mohammad Bin Fahd University for support.
Author information
Authors and Affiliations
Corresponding author
Ethics declarations
The author declares no conflict of interest.
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Das, A. Recent Developments in Semipolar InGaN Laser Diodes. Semiconductors 55, 272–282 (2021). https://doi.org/10.1134/S106378262102010X
Received:
Revised:
Accepted:
Published:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262102010X