Zusammenfassung
Unter dem Begriff der Ionenimplantation versteht man in der Halbleitertechnologie ein Dotierverfahren, bei dem die Dotanten zunächst ionisiert, dann in einem elektrischen Feld beschleunigt und auf den zu dotierenden Halbleiter gerichtet werden, wo sie durch Stöße mit den Atomen des Substratmaterials ihre Energie verlieren und schließlich zur Ruhe kommen Die Ionenimplantation bietet als präzises Dotierverfahren gegenüber den Diffusionstechnologien einige Vorteile, so z.B.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literatur
Gibbons, J.F.: Ion Implantation in Semiconductors. Proc. IEEE. Vol. 59, (1968) 295 und Vol. 60 (1972) 1062
Dearnaly, G.; Freeman, J.H.; Nelson, R.S.; Stephen, J.: Ion Implantation. North-Holland Publishing Company: Amsterdam 1973
Ryssel, H.; Ruge, I.: Ionenimplantation. B.G. Teubner: Stuttgart 1978
Ziegler, J.F. (Ed): Ion Implantation - Science and Technology. Academic Press 1984
Ziegler, J.F.; Biersack, J.P.; Littmark, J.: The Stopping and Range of Ions in Solids. Pergamon Press 1985
Carter, G.; Grant, W.A.: Ionenimplantation in der Halbleitertechnik. Carl Hanser Verlag: München - Wien 1981
Lindhard, J; Scharff, M.; Schiott, H.E.: Range Concepts and Heavy Ion Ranges. Kgl. Danske Videnskab. Selbkab. Mat: Fys. Medd. 33 (1963)
Gibbons, J.F.; Johnson, W.S.; Mylroie, S.M.: Projected Range Statistics. Dow• den, Hutchinson and Ross, Inc., Stroudsboury, U.S.A. 1975
Landolt-Börnstein: Semiconductors: Technology of Si, Ge and SIC. Ed. Madelung, O.; Schulz, M.; Weiss,H.; Springer-Verlag 1984
Ryssel, H.; Prinke, G.; Haberger, K.; Hoffmann, K.; Müller, K.; Henkelmann, R.: Range Parameter of Boron Implanted into Silicon. Appl. Phys. Vol. 24 (1981) 39
Hofker, W.K.: Implantation of Boron in Silicon. Philips Res. Repts. Suppl. No. 8 (1975)
Turner, N.L.; Current, M.; Smith, T.C.; Crane, D.: Effects of Planar Channel-ing Using Moden Ion Implantation Equipment. Solid State Techn. Feb. 1985
Christel, L.A.; Gibbons, J.F.: Recoil Range Distributions in Multilayered Tar-gets. Nucl. Instr. and Meth. 182 /183 (1981) 187
Tkuyama, T.; Miyao, M.; Yoshihiro, N.: Nature and Annealing Behaviour of Disorders in Ion Implanted Silicon. Jap. J. Appl. Phys. 17 (1978) 1301
Okuyama, Y.; Hashimoto, T.; Koguchi, T.: High Dose Ion Implant into Pho-toresist. J. Electrochem. Soc. Vol. 125 (1978) 1293
Csepregi, L.; Mayer, J.W.; Sigmon, T.W.: Regrowth Behaviour of Ion Implanted Amorphous Layers on (111) Silicon. Appl. Phys. Lett. 29 (1976) 92
Young, R.T.; White, C.W.; Clark, G.J.; Marayan, J.; Christie, W.H.; Marakami, M.; King, P.W.; Kramer, D.: Laser Annealing of Boron Implanted Silicon. Appl. Phys. Lett. Vol. 32 (1978) 139
Ryssel, H.; Glawischnig, H. (Eds.): Ion Implantation: Equipment and Techniques. Springer-Verlag 1982
Current, M.I.; Cheung, N.W.; Weisenberger, W.; Kirby, K. (Eds.): Ion Implantation Technology. Proc. of the Sixth Int. Conf. on Ion Implantation Technology, University of California (1986)
Ryssel, H.; Haberger, K. in [10.4]
Rights and permissions
Copyright information
© 1991 Springer-Verlag Berlin Heidelberg
About this chapter
Cite this chapter
Seegebrecht, P. (1991). Ionenimplantation. In: Prozeßtechnologie. Mikroelektronik. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-09540-9_10
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-662-09540-9_10
Publisher Name: Springer, Berlin, Heidelberg
Print ISBN: 978-3-540-17670-1
Online ISBN: 978-3-662-09540-9
eBook Packages: Springer Book Archive