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Ätztechnik

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Technologie hochintegrierter Schaltungen

Part of the book series: Halbleiter-Elektronik ((HALBLEITER,volume 19))

  • 304 Accesses

Zusammenfassung

Mit den Verfahren der Ätztechnik werden entweder Schichten ganzflächig entfernt oder lithographisch erzeugte Maskenmuster in die darunterliegende Schicht übertragen. Die Qualität der Strukturübertragung hängt von der Art des Ätzprozesses ab. Abbildung 5.1 zeigt charakteristische Ätzprofile. Bei einem isotropen Ätzprozeß erfolgt der Ätzangriff richtungsunabhängig. Die Schicht unter der Maske wird deshalb unterätzt (Abb. 5.1 a). Ein anisotroper Ätzprozeß zeichnet sich durch eine gerichtete Ätzwirkung aus. Erfolgt der Ätzabtrag ausschließlich senkrecht zur Scheibenoberfläche, so wird die Struktur der Maske maßhaltig in die darunterliegende Schicht übertragen (Abb. 5.1 b). Häufig stellt sich das in Abb. 5.1 c dargestellte Ätzprofil ein. Ein Maß für den Grad an Anisotropie ist der Anisotropiefaktor f. Für ihn gilt:

$$ f = \frac{{\ddot{A}tzabtrag\,\ddot{A}tzrate({{r}_{v}}) - horizontale\,\ddot{A}tzrate({{r}_{h}})}}{{vertikale\,\ddot{A}tzrate({{r}_{v}})}} $$

Mit der Ätzrate

$$ r = \frac{{\ddot{A}tzabtrag(\Delta z)}}{{\ddot{A}tzzeit(\Delta t)}}. $$

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Literatur zu Kapitel 5

  1. Mader, H.: Etching processes. In: Landolt-Börnstein. Neue Serie Bd. 17c, Technologie von Si, Ge und SiC. Berlin: Springer 1984, S. 280–305

    Google Scholar 

  2. Ruge, I.; Mader, H.: Halbleiter-Technologie. 3. Aufl. Berlin: Springer 1991

    Book  Google Scholar 

  3. Horiike, Y.; Shibaaki, M.: Jpn. J. Appl. Phys. 15 (1976) 13

    Google Scholar 

  4. Coburn, J.W.; Winters, H.F.: J. Vac. Sci. Techn. 16 (1979) 391

    Article  Google Scholar 

  5. Steinfeld, J.I. et al.: J. Electrochem. Soc. 127 (1980) 514

    Article  Google Scholar 

  6. Mader, H.: Etching processes. In: Landolt-Börnstein, Neue Serie Bd. 17c, Technologie von Si, Ge und SiC. Berlin: Springer 1984, S. 559–566

    Google Scholar 

  7. Beinvogl, W.; Mader, H.: Reactive dry etching of very-large-scale integrated circuits. Siemens Forsch. Entwicklungsber. 11 (1982) 181

    Google Scholar 

  8. Mogab, C.J.: Dry Etching. In: Sze, S.M. (Ed.): VLSI Technology. New York: McGraw-Hill 1983, p. 303–345

    Google Scholar 

  9. Beinvogl, W.; Mader, H.: Reaktive Trockenätzverfahren zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen. ntz Arch. 5 (1983) 3–11

    Google Scholar 

  10. Harshbarger, W.R.; Porter, R.A.; Miller, T.A.; Norton, P.: Appl. Spectrosc. 31 (1977) 201

    Article  Google Scholar 

  11. Harshbarger, W.R.; Porter, R.A.; Norton, P.: J. Electron. Mater. 7 (1978) 429

    Article  Google Scholar 

  12. Korman, C.S.: Solid State Technol. 25 (1982) 115

    Article  Google Scholar 

  13. Poulsen, R.G.; Smith, G.M.: Electrochem. Soc. Meeting, Philadelphia, Pennsylvania Abstr. No. 242, May 1978

    Google Scholar 

  14. Curtis, B.J.; Brunner, H.J.: J. Electrochem. Soc. 127 (1978) 234

    Google Scholar 

  15. Degenkolb, E.O.; Mogab, C.J.; Goldrick, M.R.; Griffiths, J.R.: Appl. Spectrosc. 30 (1976) 520

    Article  Google Scholar 

  16. Griffiths, J.E.; Degenkolb, E.O.: Appl. Spectrosc. 31 (1977) 134

    Article  Google Scholar 

  17. Einspruch, N.G.; Brown, D.M.: VLSI Electronics. Plasma Processing for VLSI. Vol. 8. New York: Academic Press 1984, p. 411–446

    Google Scholar 

  18. Schwartz, G.C.; Schaible, P.M.: J. Vac. Sci. Technol. 16 (1979) 410

    Article  Google Scholar 

  19. Adams, A.C.; Capio, C.D.: J. Electrochem. Soc. 128 (1981) 366

    Article  Google Scholar 

  20. Flamm, D.L.; Wang, D.N.K., Maydan, D.: J. Electrochem. Soc. 129 (1982) 2755

    Article  Google Scholar 

  21. Endo, N.; Kurogi, Y.: IEEE Trans. Electron Devices ED-27 (1980) 1346

    Google Scholar 

  22. Paraszczak, J.; Hatzakis, H.: J. Vac. Sci. Technol. 19 (1981) 1412

    Article  Google Scholar 

  23. Ephrath, L.M.; DiMaria, D.J.; Pesavento, F.L.: J. Electrochem. Soc. 128 (1981) 2415

    Google Scholar 

  24. Gray, R.K.; Lechnaton, J.S.: IBM Techn. Disclosure Bull. 24 (1982) 4725

    Google Scholar 

  25. Einspruch, N.G.; Brown, D.M.: VLSI Electronics. Plasma Processing for VLSI. Vol. 8. New York: Academic Press 1984, p. 297–339

    Google Scholar 

  26. Engelhardt, M.; Schwarzl, S.: Persönliche Mitteilungen 1987

    Google Scholar 

  27. Grewal, V.: Persönliche Mitteilungen 1987

    Google Scholar 

  28. Heath, B.A.; Mayer, T.M.: Reactive ion beam etching. In: Einspruch, N.G., Brown, D.M. (ed.): VLSI-Electronics. Vol.8. New York: Academic Press 1984, p. 365–408

    Google Scholar 

  29. Smith, D.L.: High-Pressure Etching. In: Einspruch, N.G.; Brown, D.M. (Ed.): VLSI Electronics. Vol. 8. New York: Academic Press 1984, p. 253–296

    Google Scholar 

  30. Gorowitz, B., Saia, R.J.: Reactive Ion Etching. In: Einspruch, N.G.; Brown, D.M. (Ed.): VLSI Electronics. Vol. 8. New York: Academic Press 1984, p. 297–339

    Google Scholar 

  31. Horiike, Y.: Emerging Etching Techniques. In: Einspruch, N.G.; Brown, D.M. (Ed.): VLSI Electronics. Vol. 8. New York: Academic Press 1984, p. 447–486

    Google Scholar 

  32. Ehrlich, D.J.; Tsao, J.Y.: J. Vac. Sci. Technol. B1 4 (1983) 969–984

    Google Scholar 

  33. Chapmann, B.: Glow discharge processes. New York: Wiley 1980, 326

    Google Scholar 

  34. Janes, J.; Huth, Ch.: Appl. Phys. Lett. 61 (1992) 261

    Article  Google Scholar 

  35. Beinvogl, W.; Deppe, H.R.; Stokan, R.; Hasler, B.; IEEE Trans. Electron Devices ED-28 (1981) 1332

    Google Scholar 

  36. Mathuni, J.: Persönliche Mitteilungen 1987

    Google Scholar 

  37. Müller, P.; Heinrich, F., Mader, H.: Microelectronic Engineering Elseview Science Publishers B.V., North Holland (1988)

    Google Scholar 

  38. Pilz, W.; Sponholz, T.; Pongratz, S.; Mader, H.: Microelectronic Engineering, North Holland 3 (1985) 467

    Article  Google Scholar 

  39. Howard, B.J.; Steinbrüchel, Ch.: Conference Proc. ULSI-VIII, Material Research Society (1993) 391–396

    Google Scholar 

  40. Dry Etching Application Notes. Firmenschrift der Firma ANELVA (1987)

    Google Scholar 

  41. Betz, H.; Mader, H.; Pelka, J.: Offenlegungsschrift, Deutsches Patent P3600346.8 (1986)

    Google Scholar 

  42. Mathuni, J.: Persönliche Mitteilungen 1995

    Google Scholar 

  43. Erb, H.-P.: Persönliche Mitteilungen 1995

    Google Scholar 

  44. ICE-Report No. 48068: Advanced VLSI Fabrication 1995

    Google Scholar 

  45. Erb, H.-P.; Münch, I.; Irlbacher, W.: Persönliche Mitteilungen 1993

    Google Scholar 

  46. Flamm, D.L.; Donnelly, V.M.: The Design of Plasma Etchants; Plasmchemistry and Plasma Processing, Vol. 1, No. 4, 1981

    Google Scholar 

  47. Frank, E.: Persönliche Mitteilungen 1995

    Google Scholar 

  48. Körner, H.: Persönliche Mitteilungen 1994

    Google Scholar 

  49. Engelhardt, M: Persönliche Mitteilungen 1994

    Google Scholar 

  50. Schwarzl, S.: Persönliche Mitteilungen 1994

    Google Scholar 

  51. Daviet, J.-F.; Peccoud, L.: J. Electrochem. Soc., Vol. 140, No. 11 (1993) 3245–3261

    Article  Google Scholar 

  52. Field, J.: Solid State Technology, September 1994, 91–98

    Google Scholar 

  53. Seidel, H.; Csepregi, L.; Heuberger, A.; Baumgärtel, H.: J. Electrochem. Soc. 137 (1990) 3626

    Article  Google Scholar 

  54. Heuberger, A.: Mikromechanik. Berlin: Springer 1989

    Google Scholar 

  55. Singer, P.: Semiconductor International, Februar 1994, 48–52

    Google Scholar 

  56. Klose, R.: Persönliche Mitteilungen 1991

    Google Scholar 

  57. Deal, B.E.; Helms, C.R.: Mat. Res. Soc. Symp. 259 (1992) 361

    Article  Google Scholar 

  58. Singer, P.: Semiconductor International, July 1992, 52–57

    Google Scholar 

  59. Campbell, G.A.; Chambrier, A. de; Tsukada, T.: SPIE 1803 (1992) 226

    Article  Google Scholar 

  60. Franz, G.: Oberflächentechnologie mit Niederdruckplasmen. Berlin: Springer 1994

    Google Scholar 

  61. Janzen, G.: Plasmatechnik. Heidelberg: Hüthig 1992

    Google Scholar 

  62. Neumann, G.; Scheer, H.-C.: Rev. Sci. Instrum. 63 (1992) 2403

    Article  Google Scholar 

  63. Heinrich, F.; Hoffmann, P.; Müller, K.P.: Microelectronic Engineering 13 (1991) 433

    Article  Google Scholar 

  64. Börnig, K.; Janes, J.: Microelectronic Engineering 26 (1995) 217

    Article  Google Scholar 

  65. Müller, K.P.; Roithner, K.; Timme, H.-J.: Microelectronic Engineering 27 (1995) 457

    Article  Google Scholar 

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Authors and Affiliations

  1. Bereich Halbleiter, Siemens AG, München/Berlin, Germany

    Dr.-Ing. Dietrich Widmann (Leiter der Technologieentwicklung)

  2. Fachbereich Elektrotechnik der Fachhochschule München, Vorstand im Institut für Technologie- und Wissenstransfer an der FH München, Germany

    Dr.-Ing. Hermann Mader (Professor)

  3. TELA Beteiligungsgesellschaft m.b.H., München, Germany

    Dr.-Ing. Hans Friedrich (Geschäftsführer)

Authors
  1. Dr.-Ing. Dietrich Widmann
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  2. Dr.-Ing. Hermann Mader
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  3. Dr.-Ing. Hans Friedrich
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© 1996 Springer-Verlag Berlin Heidelberg

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Widmann, D., Mader, H., Friedrich, H. (1996). Ätztechnik. In: Technologie hochintegrierter Schaltungen. Halbleiter-Elektronik, vol 19. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-61415-6_5

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  • Online ISBN: 978-3-642-61415-6

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