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Étude et réalisation de l’équipement en moyenne fréquence d’un faisceau hertzien a 2700 voies: Conception du système

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Annales des Télécommunications Aims and scope Submit manuscript

Résumé

L’accroissement des besoins en liaisons téléphoniques conduit à étudier des équipements de transmissions à capacités élevées. Le présent article relate la conception de l’équipement en fréquence intermédiaire prévu pour faisceau hertzien à 2 700 voies utilisant la modulation de fréquence. Après examen des objectifs visés, et des conditions particulières à remplir pour ce qui concerne le bruit thermique, l’intermodulation et la distorsion d’équivalent, les auteurs étudient successivement la structure des amplificateurs classiques, celle de deux modèles d’amplificateur à commande automatique de gain, le discriminateur de fréquence, le limiteur, le modulateur de fréquence et le correcteur de temps de propagation de groupe. Finalement ils déterminent le niveau nominal dans la chaîne. Un second article à paraître portera sur la réalisation de l’équipement. Il donnera les caractéristiques des divers sousensembles et de l’équipement complet et les résultats obtenus.

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Abbreviations

F:

facteur de bruit d’un amplificateur exprimé en valeur numérique

FdB :

facteur de bruit exprimé en dB

F, FT,Fi (i = 1, 2, …)F′,F ′i ;(i = 1, 2, …):

facteur de bruit d’un transistor ou d’un amplificateur exprimé en rapport de puissance

f:

fréquence moyenne d’une voie en bande de base

fb :

fréquence maximale de la bande de base

Δf:

intervalle de fréquence en bande de base. Largeur d’une voie en bande de base

S/B:

rapport signal à bruit dans une voie en bande de base, exprimé en valeur numérique

CdBm :

puissance du signal en fréquncee intermédiaire

C/N:

rapport signal à bruit en fréquence intermédiaire, dans une bande de largeur égale à celle d’une voie

MdBMdB MidB (i = 1, 2, …):

mesure de bruit exprimée en dB, désignant la quantité FdB-CdBm

Δfc :

excursion crête sur le signal de test

M, Mi :

mesure de bruit exprimée en valeur numérique, MidB = 10 log10 M i

I:

puissance du bruit d’intermodulation dans une voie en bande de base

S/I:

rapport signal à bruit d’intermodulation dans une voie, en bande de base, encore appelé N.P.R. (noise power ratio) par les Anglo-Saxons

α, β, γ:

coefficients de la variable dans la formule du gain intégral

Δg :

distorsion du gain différentiel du modem égale à 2 a quand elle est d’ordre 1, à 3 β pour l’ordre 2, à 4 γ pour l’ordre 3

ω:

pulsation

αi (i = 1…, 4):

variations linéaires, paraboliques, cubiques et quartiques de la courbe de réponse en fréquence, exprimées en dB/MHzi

S, P, C:

distorsions linéaires (S), paraboliques (P), cubiques (C) du temps de propagation de groupe, exprimées en ns/MHz

kpi :

taux de conversion amplitude phase exprimé en degré/dB × MHzi*,kp 0 étant en degré/dB

pWOp :

puissance de bruit pondéré et exprimée en picowats en un point d’un circuit où le signal de référence de la voie est à un niveau de 0 dBm

ΔG :

variation de la courbe de réponse en fréquence par rapport à la fréquence centrale

Δτmax :

distorsion de phase différentielle du modem pour un écart de fréquence égal à la valeur crête

Δτ:

variation du temps de propagation de groupe autour de la fréquence centrale

Bt :

bande totale occupée par le signal en fréquence intermédiaire

gm :

pente d’un transistor exprimée en mA/V

re :

résistance de la jonction d’émetteur d’un transistorr e =nkT/qI i

Ic :

courant de polarisation de l’émetteur du transistor

rb′b :

résistance de base, interne au transistor

Cb′e :

capacité émetteur-base

fT :

fréquence de transition du transistor

fc :

fréquence de coupure

m:

rapport de transformation

β:

constante de phase de la ligne de transmission

l:

longueur de la ligne

fα, ωα :

fréquence et pulsation de coupure du transistor monté en base commune

G:

courbe de réponse en fréquence

Rg :

résistance intense d’un générateur

β0 :

gain en courant aux fréquences basses d’un transistor monté en émetteur commun

Gtd,G ′id (i = 1, 2, …):

gain disponible en puissance

A:

atténuation en valeur numérique

n:

nombre de cellules de l’amplificateur à contrôle automatique de gain

B:

gain d’une cellule de l’amplificateur à commande automatique de gain constituée par un atténuateur suivi d’un amplificateur

ai (i = 1, 2, …):

tension incidente

bi(i = 1, 2, …):

tension réfléchie

ρi (i= 1, 2, …):

coefficient de réflexion

η:

rendement de détection

Caφ :

conversion amplitude-phase

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Authors and Affiliations

  1. groupement Transmission, Systèmes de Modulation et Acoustique, département Équipements de Transmission et Laser, actuellement à la Société Lannionnaise D’électronique, CNET-Lannion, France

    Claude Aillet

  2. groupement Transmission, Systèmes de Modulation et Acoustique, département Équipements de Transmission et Laser, CNET-Lannion, France

    Louis Martin

Authors
  1. Claude Aillet
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  2. Louis Martin
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Aillet, C., Martin, L. Étude et réalisation de l’équipement en moyenne fréquence d’un faisceau hertzien a 2700 voies: Conception du système. Ann. Telecommun. 26, 455–484 (1971). https://doi.org/10.1007/BF02998102

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF02998102

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