Amplificateurs GaAs monolithiques à large bande et gain élevé

Analyse

Une série d’amplificateurs comportant deux à quatre étages a été réalisée en technologie monolithique GaAs. Les gains sont de 15 à 42 dB avec une fréquence de coupure supérieure de 2 à 4,7 GHz. Une charge sélective a été réalisée pour obtenir une fréquence de coupure inférieure de 80 MHz et permettre une polarisation du circuit très commode. La technologie employée n’utilise ni inductance, ni condensateur de découplage, ce qui permet une haute densité d’intégration (surface active égale à 0,2 mm²).

Abstract

A series of two, three and four stage monolithic GaAs amplifiers has been realized. The voltage gains lie from 15 to 42 dB with an upper 3 dB cut off frequency between 2 and 4.7 GHz. A selective load has been designed to define the lower 3 dB frequency less than 80 MHz and to offer the advantage of easy biasing of the circuit. Avoiding the use of inductors and coupling capacitors in the design allowed the achievement of a very high density of integration (active surface area equal to 0.2 mm²).