Angular distribution of annihilation quanta emerging from Si, Ge and Al crystals

Summary

Experiments on Si, Ge and Al have been made using two methods: linear slits and the point-slits set-up (2), in order to measure the angular distribution of γ’s and obtain information on electron velocities in the matter. New effects have been found in the high-momentumvalue range with the linear slits method. The angular distribution at small angles was analysed with the point-slits method which confirmed the minimum effects expected for low-momentum values. Experimental results are illustrated and discussed. In one case numerical integration has shown that the experimental data of both geometries are consistent with each other.

Riassunto

Con questo metodo che dà delle informazioni sulla distribuzione delle velocità elettroniche nella materia, sono state eseguite delle esperienze su cristalli di Si, Ge ed Al. Sono stati trovati dei nuovi effetti nelle zone di alto valore deH’impulso usando Formai noto metodo dei rivelatori estesi dei due y coincidenti. Inoltre si è avuta conferma di effetti di minimo previsti per basso valore dell’impulso usando il nostro dispositivo (2) dei rivelatori puntiformi. I risultati speiimentali vengono discussi ed illustrati e, in un caso, per mezzo di una integrazione mimerica viene provata la loro coerenza quando, a parità di condizioni, provengono dalle due geometrie.