Stacking-fault splitting of exciton states in GaSe

Summary

The fine structures in the luminescence spectra of GaSe in the photon energy range from 2.10 to 2.11 eV are assigned for the first time in terms of the effects that the stacking fault gives rise to splitting the 1s triplet state of the direct free exciton. The assignment has been made possible by the simultaneous measurement of the spectra for both photoluminescence and reflection/absorption, at 4.2K, which are obtained from a crystal grown by Bridgman's method.

Riassunto

Si assegnano per la prima volta le strutture fini negli spettri di luminescenza del GaSe nell'intervallo di energia dei fotoni da 2.10 a 2.11 eV in base agli effetti che i difetti d'impilamento causano separando lo stato di tripletto 1s dell'eccitone libero diretto. L'assegnazione è stata resa possibile dalla misura simultanea degli spettri sia per le fotoluminescenze che per la riflessione/assorbimento a 4.2 K, che sono ottenuti dal cristallo fatto crescere col metodo di Bridgman.

Резюме

Тонкая структура в спектрах люминесценции GaSe в области энергий фотонов от 2.10 до 2.11 эВ впервые приписывается тому, что дефект кристаллической структуры приводит к возникновению расщепления 1s триплетного состояния свободного экситона. Указанное приписывание оказалось возможным в результате одновременного измерения спектров для фотолюминесценции и отражения/поглощения при 4.2 К, которые получаются на кристалле, выращенном по методу Бридгмана.