Chemical pseudopotential and semiconductor surface states

Summary

We report preliminary results on the first surface state calculation based on the chemical-pseudopotential approach developed by Anderson and Bullett. For the test surface ideal Si(111), an essentially parameter-free calculation yields results close to those of previous calculations.

Riassunto

Si riportano i risultati preliminari del primo calcolo di stati di superficie basato sul metodo dello pseudopotenziale chimico sviluppato da Anderson e Bullett. Per la superficie ideale (111) del silicio, scelta come prova, il calcolo fornisce, senza l’impiego di parametri, risultati in buon accordo con quelli già effettuati da altri autori.

Резюме

Мы сообщаем предварительные результаты вычислений первых поверхностных состояний. Вычисления основаны на подходе с использованием химического псевдопотенциала, предложенного Андерсоном и Бюлле. Для исследуемой поверхности идеального Si(111) вычисления дают результаты, близкие к результатам предыдущих вычислений.