Transients of the photoluminescence from EHD in doped and undoped Ge

Summary

The decay characteristics of luminescence from EHD in pure Ge and Ge doped in the range of 10¹⁵ cm⁻³ are reported for 4.2 K and 2 K. These characteristics are found to be in agreement with calculations based on a model which includes multidrop effects and exciton diffusion.

Riassunto

Si riportano le caratteristiche del decadimento della luminescenza da EHD nel Ge puro e nel Ge drogato nell’intervallo di 10¹⁵ cm⁻³ per temperature di 4.2 K e 2 K. Si trova che queste caratteristiche sono in accordo con calcoli basati su un modello che include effetti a molte gocce e diffusione degli eccitoni.

Резюме

Приводятся характеристики ослабления люминесцеции из электрондырочных капель в чистом германии и в германии с присадками в области 10¹⁵ см⁻³ при температурах 4.2 К и 2 К. Получается, что эти характеристики согласуются с вычислениями, основанными на модели, которая включает многокапельные эффекты и диффузию экситонов.