Lifetimes of lower excited states in²⁷Si

Summary

The mean lives of some levels in²⁷Si have been measured with the Doppler-shift attenuation method, by means of the²⁸Si(³He, α)²⁷Si reaction. The γ-rays were detected in coincidence with alphas at the angle ϑ=60°. The results for the mean lives are the following:τ _m =(1.8±0.6) ps, (65 ⁺⁴⁰₋₃₅ ) fs, > 5 ps and < 63 fs for the 0.957, 2.162, 0.781 and 2.647 MeV levels, respectively.

Riassunto

Si sono misurate le vite medie di alcuni livelli eccitati del²⁷Si col metodo dello spostamento Doppler attenuato. La reazione usata per ottenere il²⁷Si eccitato era²⁸Si(³He, α)²⁷Si all’energiaE _τ =6.6 MeV. I raggi γ venivano rivelati in coincidenza con le particelle α emesse a (60 ± 5)° rispetto alla direzione del fascio incidente. I risultati per le vite medie sono i seguenti:τ _m =(1.8±0.6) ps,τ _m =(65 ⁺⁴⁰₋₃₅ ) fs,τ _m > 5 ps eτ _m < 63 fs, rispettivamente, per i livelli a 0.957, 2.162, 0.781 e 2.647 MeV.

Реэюме

Испольэуя реакцию²⁸Si(³He, α)²⁷Si, были иэмерены средние времена жиэни некоторых уровней в²⁷Si с помошью метода, основанного на уменьщении допплеровского сдвига. γ-лучи детектировались по совпадению с альфа-частицами при угле ϑ=60°. Реэультаты для средних времен жиэни следуюшие: τ _m =(1.8±0.6) рs, (65 ⁺⁴⁰₋₃₅ ) fs, > 5 рs и > 63 fs соответственно для уровней 0.957, 2.162, 0.781 и 2.647 МзВ.