Phonon-assisted transitions in crossed electric and magnetic fields

Summary

A theory of the effect of crossed electric,E, and magnetic,H, fields in the indirect transitions in semiconductors is developed. A semi-classical treatment is adopted in which the electric field is considered as a small perturbation. A numerical application to GaP gives the limiting values ofE/H valid to this approach.

Riassunto

Si sviluppa una teoria dell’effetto di un campo incrociato elettricoE e magneticoH nelle transizioni indirette nei semiconduttori. Si usa un trattamento semiclassico in cui il campo elettrico è considerato una piccola perturbazione. Un’applicazione numerica al GaP dà i valori limite diE/H validi per questo approccio.

Резюме

Развивается теория влияния скрещенных электрического,E, и магнитного,H, полей на непрямые переходы в полуироводниках. Используется квазиклассическое рассмотрение, причем электрическое поле рассматривается как малое возмущение. Численные расчеты для GaP дают предельные значения отношенияE/H, при которых справедлив предложенный подход.