Switching phenomena in CdIn₂S₄ thin films

Summary

Two kinds of switching phenomena in CdIn₂S₄ polycrystalline and amorphous thin films which were prepared by the vacuum evaporation method and the d.c. sputtering method, respectively, were studied. One is the so-called memory switching phenomenon arising from the low resistive filament path. Another is a characteristic switching phenomenon in which the resistivity abruptly changes whenever the ambient temperature reaches a critical value. The switching time is fast and about 100 ns. This switching phenomenon is related to the native defects in the CdIn₂S₄ lattice, because they can be observed in the polycrystalline as well as in the amorphous thin films.

Riassunto

Si sono studiati due tipi di fenomeni di commutazione in film sottili amorfi e policristallini di CdIn₂S₄ che sono stati ottenuti col metodo di evaporazione nel vuoto e col metodo di spruzzamento a c.c., rispettivamente. Uno è il cosiddetto fenomeno di commutazione della memoria che nasce dal percorso del filamento a bassa resistenza. Un altro è il caratteristico fenomeno di commutazione nel quale la resistività cambia bruscamente ogni qual volta la temperatura ambiente raggiunge un valore critico. Il tempo di commutazione è breve e intorno ai 100 ns. Questo fenomeno di commutazione è in relazione ai difetti innati nel reticolo CdIn₂S₄ perché questi possono essere osservati nei film policristallini cosí come nei film sottili amorfi.

РезУме

Исследуится два типа явлений коммутации в поликристаллических и аморфных тонких пленках CdIn₂S₄, которые приготовлены методом вакуумного испарения и методом d.c. напыления. Одно явление представляет так называемое явление запоминающею коммутации. Другое представляет характеристическое явление коммутации, в котором удельное сопротивление резко меняется, когда температура окружающею среды достигает критическою величины. Время коммутации меньше или порядка 100 нс. Это явление коммутации связано с природными дефектами в решетке CdIn₂S₄, так как они могут наблюдаться в поликристаллических, а талже в аморфных тонких пленках.