Preparation and properties of AgInS₂ and AgInSe₂ Single crystals and of the Quaternary alloys AgInSe_2(1−x)S_2x

Summary

AgInS₂ and AgInSe₂ single crystals have been prepared by chemical transport with iodine and by the Bridgman method. Syntheses of the quaternary alloys AgInSe_2(1−x)S_2x have also been carried out. The splittings of the uppermost valence bands in orthorhombic AgInS₂ have been determined from the photoconductivity spectrum. The lattice parameters, the energy gap, the magnetic suceptibility and the melting point of all the materials are presented.

Riassunto

Sono stati preparati cristalli singoli di AgInS₂ e AgInSe₂ mediante trasporto chimico con iodio e con il metodo di Bridgman. Sono state effecttuate anche sintesi delle leghe quaternarie AgInSe_2(1−x)Se_2x. Le separazioni delle bande di valenza piú alte del AgInS₂ ortorombico sono state determinate dallo spettro di fotoconduttività. Si presentano i parametri del reticolo, la banda proibita, la suscettività magnetica e il punto di fusione di tutti i materiali.

Резюме

Приготовляются монокристаллы AgInS₂ и AgInSe₂, исполъзуя метод транспорта иода и метод Бридгмана. Также проводится синтез четярехкомпонентнях сплавов AgInSe_2(1−x)S_2x. Из спектра фотопроводимости определяются расцепления верхних валентных зон в орторомбическом AgInS₂. Приводятся параметры рещетки, щирина запрещенной зоны, магнитная воспримчивостъ и точка плавления для всех соединений.