Summary
The electron-phonon scattering in indium selenide single crystals has been investigated by Hall-mobility and Raman-spectroscopy measurements. The experimental data have been interpreted according to the Fivaz and Schmid model for homopolar optical scattering. The best fit of the experimental results is obtained by assuming the bidimensional behaviour of the interaction involving anA 1 phonon with energy 14.5 meV. The bidimensional character is probably due to the presence of a large number of planar defects, confirmed by electron microscope observations, which strongly localize the carriers within the layers.
Riassunto
In questo lavoro è riportato uno studio dell'interazione elettrone-fonone in monocristalli di seleniuro di indio, condotto mediante misure di effetto Hall e spettroscopia Raman. I dati sperimentali sono stati interpretati secondo il modello di Fivaz e Schmid, per lo scattering da fononi ottici omopolari. L'approssimazione migliore delle curve sperimentali è ottenuta assumendo un carattere bidimensionale per l'interazione tra gli elettroni ed i fononi, nel modoA 1, con energia 14.5 meV. Il carattere bidimensionale delle proprietà di trasporto è probabilmente dovuto alla presenza di difetti planari che localizzano i portatori di carica all'interno degli strati.
Резюме
Исследуется электрон-фононное рассеяние в монокристаллах InSe, используя измерения подвижности Холла и спектроскопии комбинационного рассеяния. Экспериментальые данные интерпретируются в соответствии с моделью Фиваца и Шмидта для гомополярного оптического рассеяния. Наилучшая подгонка экспериментальных результав получается в предположении двумерного характера взаимодействия между электронами и фононами, модыA 1 , с энергией 14.5 мэВ. Двумерный характер, по-видимому, обусуовлен наличием большого числа плоских дефектов, которые сильно локализуют носители внутри слоев, что подтверждается наблюдениями электронной микроскопии.
Similar content being viewed by others
References
G. Ottaviani, C. Canali, F. Nava, P. Schmid, R. Minder andR. Zsehokke:Solid State Commun.,14, 933 (1974).
M. Schlüter:Nuovo Cimento B,3, 313 (1973).
E. Doni, G. Grasse, G. Harbeke, E. Meier andE. Tosatti:Phys. Status Solidi B,68, 569 (1971).
R. C. Fivaz andE. Mooser:Phys. Rev. 163, 743 (1967).
Ph. Schmid:Nuovo Cimento B,21, 258, (1974).
R. C. Fivaz andPh. Schmid:Transport properties of layered semiconductors, inOptical and Electrical Properties edited byP. A. Lee, Reidel Publ. Co., Dordrecht, 1976).
J. C. Portal, R. J. Nicholas, E. Kress-Rogers, A. Chevy, J. Besson, J. Galibert andP. Penier:J. Phys. Soc. Jpn., Suppl. A 49, 879 (1980).
E. Kress-Rogers, R. J. Nicholas, J. C. Portal andA. Chevy:Solid State Commun.,44, 379 (1982).
J. Camassel, P. Merle, H. Mathieu andA. Chevy:Phys. Rev. B,17, 4718 (1978).
S. M. Atakishiev andG. A. Akundov:Phys. Status Solidi,32, k33 (1969).
S. Shigetomi, T. Ikari, K. Yoga andS. Shigetomi:Jpn. J. Appl. Phys.,20, L343 (1981);Phys. Status Solidi A,86, 469 (1984).
C. De Blasi, G. Micocci, A. Rizzo andA. Tepore:Phys. Rev. B,27, 2429 (1983).
A. Segura, F. Pomer, A. Cantarero, W. Krause andA. Chevy:Phys. Rev. B,29, 5708 (1984).
A. Segura, K. Wünstel andA. Chevy:Appl. Phys. A,31, 139 (1983)
C. De Blasi, G. Micocci, S. Mongelli andA. Tepore:J. Cryst. Growth,57, 482 (1982).
C. De Blasi, D. Manno, andS. Mongelli: private communication.
N. Kuroda, Y. Nishina, H. Iwasaki andY. Watanabe:Solid State Commun.,38, 139 (1981).
N. M. Gasanly, B. M. Yavadov, V. I. Tagirov andE. A. Vinogradov.:Phys. Status Solidi B,89, k43 (1978).
S. Jandl andC. Carlone:Solid State Commun.,25, 5 (1978).
See, for example,A. Dekker:Solid State Physics (Prentice-Hall Inc., New York, N. Y., 1965).
I. M. Catalano, M. Ferrara, A. Cingolani andM. Lugarà,Solid State Commun.,49, 597 (1984).
A. Vaidyanathan, A. H. Guenther andS. Smitra:Phys. Rev. B,22, 6480 (1980).
K. Maschke andPh. Schmid:Phys. Rev. B,12, 4312 (1975).
H. F. Matarè:Defect Electronics in Semiconductors (Wiley Interscience, New York, N. Y., 1971).
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Cingolani, R., Vasanelli, L. & Rizzo, A. Electron-phonon scattering in transport properties of InSe single crystals. Il Nuovo Cimento D 6, 383–392 (1985). https://doi.org/10.1007/BF02451897
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02451897