Abstract
The application of the crystal growth dislocation theory [11] to ZnS single-crystal growth is discussed. The experimental material, above all for determining the actual supersaturation in the growth region and the mechanism of ZnS transport (diffusion, transport gas, chemical transport) was found to be insufficient. An expression for the growth rate of the ZnS crystal plane (the dependence on the supersaturation is not linear) is derived and two different stages in growing ZnS crystals are described.
Abstract
Обсуждается примене ние дислокационной т еории [11] роста кристаллов к ро сту монокристаллов ZnS. Установлено, что пок а имеется лишь недостаточный экспе риментальный матери ал, в частности для опред еления действительн ого пересыщения в зоне ро ста и для определения механизма переноса ZnS (д иффузия, несущий газ, химический перенос). В ыведено выражение для скорости роста ат омной плоскости крис талла ZnS (зависимость от перес ыщения нелинейна) и описаны два отличны х этапа роста кристал ла ZnS.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Similar content being viewed by others
References
Reynolds D. C., Czyzack S. J.: Phys. Rev.79 (1950), 543.
Piper W. W.: J. Chem. Phys.20 (1952), 1343.
Kremheller A.: Sylvania Technologist8 (1955), 11; J. Electrochem. Soc.107 (1960), 422.
Macumura T., Fujisaki M., Tanabe Y.: Sci. Rep. Res. Rep. Tohoku UniversityA 10 (1958), 459.
Hamilton D. R.: Brit. J. Appl. Phys.9 (1958), 103.
Gross E. F., Suslina L. G.: Opt. i Spektr.6 (1959), 115.
Greene L. C., Reynolds D. C., Czyzack S. J., Baker W. M.: J. Chem. Phys.29 (1958), 1375.
Krumbiegel J.: Z. Naturforsch.9a (1954), 903.
Fochs P. D.: J. Appl. Phys.31 (1960), 1733.
Karel F.: Čs. čas. fys.A 10 (1960), 316.
Burton W. K., Cabrera N., Frank F. C.: Phil. Trans.A 243 (1951), 299.
Frank F. C.: Disc. Faraday Soc.5 (1949), 67.
Gevers G.: Physica22 (1956), 832.
Strock L. W.: Sylvania Technologist10 (1957), 3.
Evans R. C.: Einführung in die Kristallchemie, J. A. Barth, Leipzig 1954.
Handbook of Chemistry, International Rubber Co., London 1950.
Mackenzie J. K.: Thesis, Bristol, cited in [11].
Burton W. K., Cabrera N.: Disc. Faraday Soc.33 (1949), 40.
Frank F. C.: Phil. Mag.41 (1950), 200.
Read W. T.: Dislocations in Crystals, McGraw-Hill, London 1953.
Motzfeldt K.: Means of Attaining and Controlling Temperature, Butterworths, London 1959.
See e.g. Záviška F.: Kinetická teorie plynů, Vědecké vydavatelství, Prague 1951.
International Critical Tables, Vol. V, Washington 1929.
Bockriss J. D. M., White J. L., Mackenzie J. D.: Physicochemical Measurements at High Temperatures, Butterworths, London 1959.
Pátek K., Skála M., Součková L.: Czech. J. Phys.B 12 (1962), next issue.
Samelson H.: General Telephone and Electronics Labs. private communication.
Volmer M.: Kinetik der Phasenbildung, Oldenburg, Dresden-Leipzig 1939.
Diemer G.: Philips Res. Rep.9 (1954), 109.
Nitzsche R.: J. Phys. Chem. Solids17 (1960), 163.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Pátek, K. The basic growth parameters of ZnS single crystals grown by sublimation. Czech J Phys 12, 216–226 (1962). https://doi.org/10.1007/BF02353853
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02353853