Further investigations on the temperature-dependence of magnetic susceptibility and thermogravimetry of stoichiometric antimony triselenide and antimony tritelluride semiconductors

Abstract

Stoichiometrically adjusted antimony triselenide and antimony tritelluride semiconductors were carefully prepared for the first time. Numerous measurements were carried out, involving X-ray diffraction analysis, true density, thermogravimetric analysis and the temperature-dependence of the magnetic susceptibility. The results obtained indicated that antimony triselenide and antimony tritelluride polycrystals possess mass susceptibilities of −0.361×10⁻⁶ and −0.386×10⁻⁶ C.G.S., respectively. The results are discussed on the basis of electronegativity difference, partial ionicity of the bond, and bond strength.

Zusammenfassung

Stöchiometrische Antimontriselenid- und Antimontritellurid-Halbleiter wurden erstmals hergestellt. Zahlreiche Messungen wurden daran ausgeführt, und zwar Röntgendiffraktometrie, wahre Dichte, Thermogravimetrie und Temperaturabhängigkeit der magnetischen Susceptibilität. Die erhaltenen Ergebnisse zeigen, daß Polykristalle von Antimontriselenid und Antimontritellurid Massensusceptibilitäten von −0.361 · 10⁻⁶ bzw. −0.386 ·10⁻⁶ c.g.s. besitzen. Die erhaltenen Ergebnisse werden auf der Basis der Elektronegativitätsdifferenz, der partiellen Ionisierung und der Bindungsstärken diskutiert.

Резюме

Получены полупровод никовые триселенид- и трителлурид сурьмы с о строго стехиометрическим с оставом. Проведен их рентгеноструктурны й анализ, определение плотности, термогравиметричес кий анализ и температ урная зависимость магнитн ой восприимчивости. Рез ультаты показали, что поликристаллически е образцы триселенид а- и трителлурида сурьмы обладают магнитной восприимчивостью ра вной, соответственно, −0,361 · 10⁻⁶ и -0,386 · 10⁻⁶ СГС. Получ енные результаты обсуждены на основе р азличной электроотрицательн ости халькогенидных атомов, частичной ионности с вязи и силы связи.