Thermal effects on glass As₂Se₃·As₂Te₃

Abstract

The DTA trace of the chalcogenide glass As₂Se₃·As₂Te₃ shows a single glass transition at 142 °C, a single crystallization exotherm depending on the heating rate, and two melting endotherms, at 290 °C and 312 °C. The X-ray diffraction for a crystallized sample indicates the presence of two solid solution phases: Te in As₂Se₃ (rich in Se) and Se in As₂Te₃ (rich in Te), confirming that the single crystallization peak of the initially homogeneous phase (singleT _g ) represents two coincident peaks superimposed. The crystallization of the glass phase is also clearly manifested in the time-dependence of the electrical conductivity and microphotography.

Zusammenfassung

Die DTA-Kurve von chalcogenidem Glas As₂Se₃·As₂Te₃ läßt eine Glastransformation bei 142 °C, eine von der Aufheizgeschwindigkeit abhängige exotherme Kristallisation und zwei endotherme Schmelzvorgänge bei 290 und 312 °C erkennen. Röntgendiffraktometrie der kristallisierten Probe zeigt das Vorliegen von zwei Phasen fester Lösungen:Te in As₂Se₃ (reich an Se) und Se in As₂Te₃ (reich an Te). Das steht in Übereinstimmung damit, daß der Kristallisationspeak der ursprünglich homogenen Phase (einT _g -Wert) zwei sich überlagernde Peaks repräsentiert. Die Kristallisation der Glasphase ist klar an der Zeitabhängigkeit der elektrischen Leitfähigkeit und durch Mikrophotographie zu erkennen.

Резюме

ДТА измерения халько генидного стекла As₂Se₃·As₂Te₃ показали единст венный переход в стеклообра зное состояние при те мпературе 142 °С, он экзотерму крист аллизации в зависимо сти от скорости нагрева и две эндотермы плавле ния при 290 и 312 dgС. Рентгеноструктур ное исследование криста ллического образца п оказало наличие двух твердых растворов: Те в As₂Se₃ (обогащенного селено м) и Se в As₂Te₃ (обогащенного теллуром), подтвердив тем самым, что единственный пик кри сталлизации исходно й гомогенной фазы (однаТ _g ), представ ляет собой наложение двух совпа дающих пиков. Кристал лизация стеклообразной фазы ясно показывает временную зависимос ть электропроводнос ти и микрофотографии.