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Creep deformation of V3Si single crystals

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Abstract

From the experiments during steady state creep of V3Si single crystals at T=1280 to 1400° C and σ=1 to 7×107 Pa, activation volumes, 10 to 70 b 3, and activation enthalpies, 2 to 11 eV, have been derived. With deviation from stoichiometric composition a hardening effect has been experimentally established. It is suggested that the rate controlling process was due to dislocation glide and dynamic recovery by dislocation climb.

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  36. A. I. Gohar, K. Kleinstück, U. Krämer and P. Paufler, Crystal Technol. 15 (1980) to be published.

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  1. P. Paufler

    Present address: Karl-Marx-Universität Leipzig, Scharnhorststraße 20, 703, Leipzig, DDR

Authors and Affiliations

  1. Sektion Physik, Technische Universität Dresden, Mommsenstrasse 13, 8027, Dresden, DDR

    D. M. Nghiep, P. Paufler, U. Krämer & K. Kleinstück

  2. Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung, Dresden der Akademie der Wissenschaften der DDR, Helmholtzstrasse 20, 8027, Dresden, DDR

    N. H. Quyen

Authors
  1. D. M. Nghiep
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  2. P. Paufler
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  3. U. Krämer
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  4. K. Kleinstück
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  5. N. H. Quyen
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Nghiep, D.M., Paufler, P., Krämer, U. et al. Creep deformation of V3Si single crystals. J Mater Sci 15, 1140–1146 (1980). https://doi.org/10.1007/BF00551802

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