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Fehler und Fallen

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Kristallstrukturbestimmung
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Zusammenfassung

Die auf den geschilderten Wegen gewonnenen und optimierten Ergebnisse einer gelungenen Kristallstrukturbestimmung sind normalerweise von hoher Genauigkeit, wie sie durch andere, z.B. spektroskopische Methoden nur in Ausnahmefällen erreichbar ist. Der indirekte Charakter der Strukturbestimmung, der durch die Notwendigkeit der Aufstellung eines Strukturmodells bedingt ist, kann jedoch manchmal zu schweren und gelegentlich zudem noch schwer erkennbaren Fehlern führen. Vor allem wenn man die Annehmlichkeiten moderner Programmsysteme zu weitgehend automatischer Sammlung von Diffraktometerdaten, zur Auffindung von Elementarzelle und Bestimmung der Raumgruppe nicht kritisch genug einsetzt, kann man in heimtückische Fallen geraten. Natürlich ist es so gut wie ausgeschlossen, dass ein kristallchemisch völlig unsinniges Strukturmodell zu berechneten Fc–Werten führt, die bei mehreren Tausend Reflexen mit den beobachteten Fo–Daten jeweils auf wenige Prozent genau übereinstimmen. Es gibt jedoch immer wieder Fälle, in denen ein Strukturmodell so viele Eigenschaften des Kristalls richtig beschreibt, dass gute R-Werte berechnet werden, dass aber trotzdem — vielleicht wesentliche — Details der Struktur falsch sind. Dies kann z.B. geschehen, wenn bei der Verfeinerung nicht das eigentlich richtige Minimum der Fehlerquadratsumme aufgefunden wurde, sondern nur ein Pseudominimum. Ein solches beschreibt eine Pseudo–Strukturlösung, die noch Fehler enthält, von der jedoch auf dem Wege der Verfeinerung kein Weg zur richtigen Lösung führt. Andere Fehlerquellen können darin liegen, dass überhaupt die Voraussetzungen für die Strukturrechnungen wie die Elementarzelle oder die Raumgruppe nicht richtig gewählt wurden. Einige solcher möglicher Fehler und Fallen sind in den folgenden Abschnitten mit konkreten Beispielen vorgestellt.

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© 2011 Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH

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Massa, W. (2011). Fehler und Fallen. In: Kristallstrukturbestimmung. Vieweg+Teubner. https://doi.org/10.1007/978-3-8348-8211-0_11

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