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Dotiertechniken

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Silizium-Halbleitertechnologie

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Zusammenfassung

Ausgehend vom Legierungsverfahren folgen die Modellierung und praktische Durchführung von Diffusion und Ionenimplantation zur Dotierung von Halbleitern. Die Anlagen zur Dotierung werden vorgestellt und speziell bei der Ionenimplantation im Detail besprochen. Eine Analyse parasitärer Effekte auf die resultierende Dotierstoffverteilung rundet das Kapitel ab.

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Literatur

  1. von Münch, W.: Einführung in die Halbleitertechnologie. Teubner, Wiesbaden (1993)

    Book  Google Scholar 

  2. Schumicki, G., Seegebrecht, P.: Prozeßtechnologie, Reihe Mikroelektronik. Springer, Berlin (1991)

    Google Scholar 

  3. Ruge, I.: Halbleiter-Technologie, Reihe Halbleiter-Elektronik, Bd. 4. Springer, Berlin (1984)

    Google Scholar 

  4. Ziegler, J.F.: The Stopping and Range of Ions in Solids, Ion Implantation Technology. Academic Press, New York (1984)

    Google Scholar 

  5. Ziegler, J.F., Biersack, J.P., Littmark, U.: The stopping and range of ions in solids. In: The Stopping and Range of Ions in Matter, Bd. 1. Pergamon Press, New York (1985)

    Google Scholar 

  6. Schumacher, K.: Integrationsgerechter Entwurf analoger MOS-Schaltungen. Oldenbourg, München (1987)

    Google Scholar 

  7. Hecking, N., Heidemann, K.F., TeKaat, E.: Model of temperature dependent defect interaction and amorphization in crystalline silicon during ion irradiation. Nucl. Instrum. Methods Sect. B. 15, 760–764 (1986)

    Article  Google Scholar 

  8. Ryssel, H., Ruge, I.: Inonenimplantation. Teubner, Wiesbaden (1978)

    Book  Google Scholar 

  9. Carter, G., Grant, W.A.: Ionenimplantation in der Halbleitertechnik. Hanser, München (1981)

    Google Scholar 

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  1. Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und Mathematik, Universität Paderborn, Paderborn, Deutschland

    Ulrich Hilleringmann

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  1. Ulrich Hilleringmann
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Hilleringmann, U. (2019). Dotiertechniken. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-658-23444-7_6

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