Optische Strahlungsquellen auf Halbleiterbasis

Zusammenfassung

Wird ein p-dotiertes mit einem n-dotierten Halbleitermaterial zusammengefügt, so bildet sich in der Umgebung der Grenzfläche eine sogenannte aktive Zone aus, deren Fähigkeit, elektrischen Strom zu transportieren, von der Richtung des Stromes abhängt. Das Gebilde zeigt somit das Verhalten einer Diode und wird daher als Halbleiterdiode bezeichnet. Aufbau und Funktion von Halbleiterdioden, insbesondere der aus den vierwertigen Basismaterialen Germanium (Ge) und Silizium (Si) hergestellten „General Purpose“-Dioden, werden als bekannt vorausgesetzt. Lediglich die wichtigsten Grundlagen werden hier im Hinblick auf ein besseres Verständnis der Vorgänge bei LED und LASER-Diode zusammengestellt.