Advertisement

Doping Aspects of Zn-Based Wide-Band-Gap Semiconductors

  • Gertrude NeumarkEmail author
  • Yinyan GongEmail author
  • Igor KuskovskyEmail author
Part of the Springer Handbooks book series (SHB)

Abstract

The present Chapter deals with the wide-band-gap (defined here as greater than 2 eV) Zn chalcogenides, i.e. ZnSe, ZnS, and ZnO (mainly in bulk form). However, since recent literature on ZnS is minimal, the main coverage is of ZnSe and ZnO. In addition Zn1−x Be x Se (x ≤0.5) is included, since Be is expected to reduce degradation (from light irradiation/emission) in ZnSe. The main emphasis for all these materials is on doping, in particular p-type doping, which has been a problem in all cases. In addition, the origin of light emission in ZnO is not yet well established, so this aspect is also briefly covered.

Keywords

Electron Paramagnetic Resonance Oxygen Vacancy Electron Nuclear Double Resonance Excimer Laser Annealing Metalorganic Molecular Beam Epitaxy 
These keywords were added by machine and not by the authors. This process is experimental and the keywords may be updated as the learning algorithm improves.

Abbreviations

CV

chemical vapor

ENDOR

electron–nuclear double resonance

EPD

etch pit density

EPR

electron paramagnetic resonance

HRXRD

high-resolution X-ray diffraction

IR

infrared

MBE

molecular beam epitaxy

ML

monolayer

MOCVD

metal-organic chemical vapor deposition

MOMBE

metalorganic molecular beam epitaxy

MOVPE

metalorganic vapor phase epitaxy

PL

photoluminescence

RTA

rapid thermal annealing

SIMS

secondary ion mass spectrometry

TEM

transmission electron microscope

UV

ultraviolet

XRD

X-ray diffraction

References

  1. 35.1.
    L. Svob, C. Thiandourme, A. Lusson, M. Bouanani, Y. Marfaing, O. Gorochov: Appl. Phys. Lett. 76, 1695 (2000)Google Scholar
  2. 35.2.
    S. Kishimoto, T. Hasegawa, H. Kinto, O. Matsumoto, S. Iida: J. Cryst. Growth 214/215, 556 (2000)Google Scholar
  3. 35.3.
    S. Kishimoto, A. Kato, A. Naito, Y. Yakamato, S. Lida: Phys. Status Solidi B 229, 391 (2002)Google Scholar
  4. 35.4.
    Y. Abiko, N. Nakayama, K. Akimoto, T. Yao: Phys. Status Solidi B 229, 339 (2001)Google Scholar
  5. 35.5.
    S. Nakamura, J. Yamaguchi, S. Takagimoto, Y. Yamada, T. Taguchi: J. Cryst. Growth 237/239, 1570 (2002)Google Scholar
  6. 35.6.
    S. Kohiki, T. Suzuka, M. Oku, T. Yamamoto, S. Kishimoto, S. Iida: J. Appl. Phys. 91, 760 (2002)Google Scholar
  7. 35.7.
    K. Ichino, Y. Matsuki, S. T. Lee, T. Nishikawa, M. Kitagawa, H. Kobayashi: Phys. Status Solidi C 1, 710 (2004)Google Scholar
  8. 35.8.
    S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Lp, Y. W. Heo, T. Steiner: J. Vac. Sci. Technol. B 22, 932 (2004)Google Scholar
  9. 35.9.
    D. C. Look, B. Claflin: Phys. Status Solidi B 241, 624 (2004)Google Scholar
  10. 35.10.
    G. F. Neumark: Mater. Lett. 30, 131 (1997)Google Scholar
  11. 35.11.
    D. Albert, J. Nürnberger, V. Hock, M. Ehinger, W. Faschinger, G. Landwehr: Appl. Phys. Lett. 74, 1957 (1999)Google Scholar
  12. 35.12.
    V. N. Jmerik, S. V. Sorokin, T. V. Shubina, N. M. Shmidt, I. V. Sedova, D. L. Fedorov, S. V. Ivanov, P. S. Kopʼev: J. Cryst. Growth 214/215, 502 (2000)Google Scholar
  13. 35.13.
    H. Ebe, B.-P. Zhang, F. Sakurai, Y. Segawa, K. Suto, J. Nishizawa: Phys. Status Solidi B 229, 377 (2002)Google Scholar
  14. 35.14.
    K. Katayama, T. Nakamura: J. Appl. Phys. 95, 3576 (2004)Google Scholar
  15. 35.15.
    A. Wagg, F. Fischer, H.-J. Lugauer, Th. Litz, T. Gerhard, J. Nürnberger, U. Lunz, U. Zehnder, W. Ossau, G. Landwehr, B. Roos, H. Richter: Mater. Sci. Eng. B 43, 65 (1997)Google Scholar
  16. 35.16.
    C. Verie: J. Cryst. Growth 184/185, 1061 (1998)Google Scholar
  17. 35.17.
    F. C. Peiris, U. Bindley, J. K. Furdyna, H. Kim, A. K. Raudas, M. Grimsditch: Appl. Phys. Lett. 79, 473 (2001)Google Scholar
  18. 35.18.
    S. J. Pearton, C. R. Abernathy, M. E. Overberg, G. T. Thaler, D. P. Northon, N. Theodorpoulou, A. F. Hebard, Y. D. Park, F. Ren, J. Kim, L. A. Boatner: J. Appl. Phys. 93, 1 (2003)Google Scholar
  19. 35.19.
    Y. W. Heo, D. P. Norton, L. C. Tien, Y. Kwon, B. S. Kang, F. Ren, S. J. Pearton, J. R. LaRoche: Mater. Sci. Eng. R 47, 1 (2004)Google Scholar
  20. 35.20.
    M. A. Haase, H. Cheng, J. M. DePuydt, J. E. Potts: J. Appl. Phys. 67, 448 (1990)Google Scholar
  21. 35.21.
    G. F. Neumark, S. P. Herko: J. Cryst. Growth 59, 189 (1982)Google Scholar
  22. 35.22.
    C. G. Van de Walle, D. B. Laks, G. F. Neumark, S. T. Pantelides: Phys. Rev. B 47, 9425 (1993)Google Scholar
  23. 35.23.
    G. F. Neumark, S. P. Herko, T. F. McGee III, B. J. Fitzpatrick: Phys. Rev. Lett. 53, 604 (1984)Google Scholar
  24. 35.24.
    W. Lin, S. P. Guo, M. C. Tamargo, I. Kuskovsky, C. Tian, G. F. Neumark: Appl. Phys. Lett. 76, 2205 (2000)Google Scholar
  25. 35.25.
    M. Takemura, H. Goto, T. Ido: Jpn. J. Appl. Phys. 36, L540 (1997)Google Scholar
  26. 35.26.
    H. Goto, T. Ido, A. Takatasuka: J. Cryst. Growth 214/215, 529 (2000)Google Scholar
  27. 35.27.
    H. Kalisch, H. Hamadeh, R. Rüland, J. Berntgen, A. Krysa, M. Hluken: J. Cryst. Growth 214/215, 1163 (2000)Google Scholar
  28. 35.28.
    M. Prokesch, K. Irmscher, U. Rinas, H. Makino, T. Yao: J. Cryst. Growth 242, 155 (2002)Google Scholar
  29. 35.29.
    Y. Hatanaka, M. Niraula, A. Nakamura, T. Aoki: Appl. Surf. Sci. 175/176, 462 (2001)Google Scholar
  30. 35.30.
    I. Suemune, H. Ohsawa, T. Tawara, H. Machida, N. Shimoyama: J. Cryst. Growth 214/215, 562 (2000)Google Scholar
  31. 35.31.
    M. Yoneta, H. Uechi, K. Nanami, M. Ohishi, H. Saito, K. Yoshino, K. Ohmori: Physica B 302, 166 (2001)Google Scholar
  32. 35.32.
    J. Hirose, I. Suemune, A. Ueta, H. Machida, N. Shimoyama: J. Cryst. Growth 214/215, 524 (2000)Google Scholar
  33. 35.33.
    I. L. Kuskovsky, Y. Gu, Y. Gong, H. F. Yan, J. Lau, G. F. Neumark, O. Maksimov, X. Zhou, M. C. Tamargo, V. Volkov, Y. Zhu, L. Wang: Phys. Rev. Lett. B 73, 195306 (2006)Google Scholar
  34. 35.34.
    O. Schulz, M. Strassburg, T. Rissom, U. W. Pohl, D. Bimberg, M. Klude, D. Hommel: Appl. Phys. Lett. 81, 4916 (2002)Google Scholar
  35. 35.35.
    E. D. Sim, Y. S. Joh, J. H. Song, H. L. Park, S. H. Lee, K. Jeong, S. K. Chang: Phys. Status Solidi B 229, 213 (2002)Google Scholar
  36. 35.36.
    H. D. Jung, C. D. Song, S. Q. Wang, K. Arai, Y. H. Wu, Z. Zhu, T. Yao, H. Katayama-Yoshida: Appl. Phys. Lett. 70, 1143 (1997)Google Scholar
  37. 35.37.
    S. Z. Wang, S. F. Yoon, L. He, X. C. Shen: J. Appl. Phys. 90, 2314 (2001)Google Scholar
  38. 35.38.
    M. Yoneta, K. Nanami, H. Uechi, M. Ohishi, H. Saito, K. Yoshino: J. Cryst. Growth 237/239, 1545 (2002)Google Scholar
  39. 35.39.
    Y. Gu, I. L. Kuskovsky, G. F. Neumark, X. Zhou, O. Maksimov, S. P. Guo, M. C. Tamargo: J. Lumin. 104, 77 (2003)Google Scholar
  40. 35.40.
    D. C. Oh, J. S. Song, J. H. Chang, T. Takai, T. Handa, M. W. Cho, T. Yao: Mater. Sci. Semicond. Process. 6, 567 (2003)Google Scholar
  41. 35.41.
    D. C. Oh, J. H. Chang, T. Takai, J. S. Song, K. Godo, Y. K. Park, K. Shindo, T. Yao: J. Cryst. Growth 251, 607 (2003)Google Scholar
  42. 35.42.
    H. Kato, H. Udono, I. Kikuma: J. Cryst. Growth 229, 79 (2001)Google Scholar
  43. 35.43.
    M. Yoneta, T. Kubo, H. Kato, K. Yoshino, M. Ohishi, H. Saito, K. Ohmori: Phys. Status Solidi B 229, 291 (2002)Google Scholar
  44. 35.44.
    K. Lott, O. Volobujeva, A. Öpik, T. Nirk, L. Türn, M. Noges: Phys. Status Solidi C 0, 618 (2003)Google Scholar
  45. 35.45.
    J. F. Wang, D. Masugata, C. B. Oh, A. Omino, S. Seto, M. Isshikim: Phys. Status Solidi A 193, 251 (2002)Google Scholar
  46. 35.46.
    U. W. Pohl, J. Gottfriedsen, H. Schumann: J. Cryst. Growth 209, 683 (2000)Google Scholar
  47. 35.47.
    M. U. Ahmed, S. J. C. Irvine: J. Electron. Mater. 29, 169 (2000)Google Scholar
  48. 35.48.
    P. J. Dean, W. Stutius, G. F. Neumark, B. J. Fitzpatrick, R. N. Bhargava: Phys. Rev. B 27, 2419 (1983)Google Scholar
  49. 35.49.
    P. Prete, N. Lovergine: Prog. Cryst. Growth Char. Mater. 44, 1 (2002)Google Scholar
  50. 35.50.
    Y. Fujita, T. Terada, T. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1034 (1995)Google Scholar
  51. 35.51.
    C. M. Rouleau, D. H. Lowndes, G. W. McCamy, J. D. Budai, D. B. Poker, D. B. Geohegan, A. A. Puretzky, S. Zhu: Appl. Phys. Lett. 67, 2545 (1995)Google Scholar
  52. 35.52.
    T. Baron, K. Saminadayar, N. Magnea: J. Appl. Phys. 83, 1354 (1998)Google Scholar
  53. 35.53.
    S. Takagi: Acta Crystallogr. 15, 1311 (1962)Google Scholar
  54. 35.54.
    D. Taupin: Bull. Soc. Franc. Miner. Crystallogr. 88, 469 (1964)Google Scholar
  55. 35.55.
    M. A. G. Halliwell, M. H. Lyons, M. J. Hill: J. Cryst. Growth 68, 523 (1984)Google Scholar
  56. 35.56.
    Y. Gu, I. L. Kuskovsky, M. van der Voort, G. F. Neumark, X. Zhou, M. C. Tamargo: Phys. Rev. B 71, 045340 (2005)Google Scholar
  57. 35.57.
    W. Lin, B. S. Yang, S. P. Guo, A. Elmoumni, F. Fernandez, M. C. Tamargo: Appl. Phys. Lett. 75, 2608 (1999)Google Scholar
  58. 35.58.
    N. J. Duddles, K. A. Dhese, P. Devine, D. E. Ashenford, C. G. Scott, J. E. Nicholls, J. E. Lunn: J. Appl. Phys. 76, 5214 (1994)Google Scholar
  59. 35.59.
    S. W. Lim, T. Honda, F. Koyama, K. Iga, K. Inoue, K. Yanashima, H. Munekata, H. Kukimoto: Appl. Phys. Lett. 65, 2437 (1994)Google Scholar
  60. 35.60.
    G. F. Neumark, R. M. Park, J. M. Depudyt: Phys. Today 47 (6), 26 (1994)Google Scholar
  61. 35.61.
    M. Strassburg, O. Schulz, U. W. Pohl, D. Bimberg, S. Itoh, K. Nakano, A. Ishibashi, M. Klude, D. Hommel: IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron. 7, 371 (2001)Google Scholar
  62. 35.62.
    K. W. Kwak, R. D. King-Smith, D. Vanderbilt: Physica B 185, 154 (1993)Google Scholar
  63. 35.63.
    B.-H. Cheong, C. H. Park, K. J. Chang: Phys. Rev. B 51, 10610 (1995)Google Scholar
  64. 35.64.
    W. Faschinger, S. Gundel, J. Nürnberger, D. Albert: Proc. Conf. Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices (IEEE, Piscataway 2000) p. 41Google Scholar
  65. 35.65.
    S. Gundel, W. Faschinger: Phys. Rev. B 65, 035208 (2001)Google Scholar
  66. 35.66.
    I. L. Kuskovsky, G. F. Neumark, J. G. Tischler, B. A. Weinstein: Phys. Rev. B 63, 161201 (2001)Google Scholar
  67. 35.67.
    P. Desgardin, J. Oila, K. Sarrnen, P. Hautojärvi, E. Tournié, J.-P. Faurie, C. Corbel: Phys. Rev. B 62, 15711 (2000)Google Scholar
  68. 35.68.
    S. Tomiya, S. Kijima, H. Okuyama, H. Tsukamoto, T. Hino, S. Taniguchi, H. Noguchi, E. Kato, A. Ishibashi: J. Appl. Phys. 86, 3616 (1999)Google Scholar
  69. 35.69.
    F. El. Akkad: Semicond. Sci. Technol. 2, 629 (1987)Google Scholar
  70. 35.70.
    A. Kamata, H. Yoshida: Jpn. J. Appl. Phys. (Pt. 2) 135, L87 (1996)Google Scholar
  71. 35.71.
    S. E. Grillo, M. Ducarrori, M. Nadal, E. Tournié, J.-P. Faurie: J. Appl. Phys. D: Appl. Phys. 35, 3015 (2002)Google Scholar
  72. 35.72.
    C. Chauvet, E. Tournié, J.-P. Faurie: Phys. Rev. B 61, 5332 (2000)Google Scholar
  73. 35.73.
    V. Bousquet, E. Tournié, M. Laügt, P. Venéguès, J.-P. Faurie: Appl. Phys. Lett. 70, 3564 (1997)Google Scholar
  74. 35.74.
    J. P. Faurie, V. Bousquet, P. Brunet, E. Tournié: J. Cryst. Growth 184/185, 11 (1998)Google Scholar
  75. 35.75.
    M. Malinski, L. Bychto, S. Legowski, J. Szatkowski, J. Zakrzewski: Microelectron. J. 32, 903 (2001)Google Scholar
  76. 35.76.
    S. P. Guo, W. Lin, X. Zhou, M. C. Tamargo, C. Tian, I. L. Kuskovsky, G. F. Neumark: J. Appl. Phys. 90, 1725 (2001)Google Scholar
  77. 35.77.
    D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener II, J. R. Sizelove: Appl. Phys. Lett. 85, 5268 (2004)Google Scholar
  78. 35.78.
    Y. R. Ryu, T. S. Lee, H. W. White: Appl. Phys. Lett. 83, 87 (2003)Google Scholar
  79. 35.79.
    K.-K. Kim, H. S. Kim, D.-K. Hwang, J.-H. Lim, S.-J. Park: Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003)Google Scholar
  80. 35.80.
    J. M. Bian, X. M. Li, C. Y. Zhang, W. D. Yu, X. D. Gao: Appl. Phys. Lett. 85, 4070 (2004)Google Scholar
  81. 35.81.
    B. S. Li, Y. C. Liu, Z. Z. Zhi, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, X. W. Fan, R. X. Mu, D. O. Henderson: J. Mater. Res. 18, 8 (2003)Google Scholar
  82. 35.82.
    C. C. Lin, S. Y. Shen, S. Y. Cheng, H. Y. Li: Appl. Phys. Lett. 84, 5040 (2004)Google Scholar
  83. 35.83.
    W. Xu, Z. Ye, T. Zhou, B. Zhao, L. Zhu, J. Huang: J. Cryst. Growth 265, 133 (2004)Google Scholar
  84. 35.84.
    X. Li, Y. Yan, T. A. Gessert, C. L. Perkins, D. Young, C. DeHart, M. Young, T. J. Coutts: J. Vac. Sci. Technol. A 21, 1342 (2003)Google Scholar
  85. 35.85.
    J. G. Lu, Z. Z. Ye, F. Zhuge, Y. J. Zeng, B. H. Zhao, L. P. Zhu: Appl. Phys. Lett. 85, 3134 (2004)Google Scholar
  86. 35.86.
    J. M. Bian, X. M. Li, X. D. Gao, W. D. Yu, L. D. Chen: Appl. Phys. Lett. 84, 541 (2004)Google Scholar
  87. 35.87.
    Y. W. Heo, K. Ip, S. J. Park, S. J. Peaton, D. P. Norton: Appl. Phys. A 78, 53 (2004)Google Scholar
  88. 35.88.
    A. B. Djurišić, Y. Chan, E. H. Li: Mater. Sci. Eng. R 38, 237 (2002)Google Scholar
  89. 35.89.
    D. C. Look, J. W. Hemsky, J. R. Sizelove: Phys. Rev. Lett. 82, 2552 (1999)Google Scholar
  90. 35.90.
    S. B. Zhang, S.-H. Wei, A. Zunger: Phys. Rev. B 63, 075205 (2001)Google Scholar
  91. 35.91.
    C. G. Van de Walle: Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000)Google Scholar
  92. 35.92.
    D. M. Hofmann, A. Hofstaetter, F. Leiter, H. Zhou, F. Henecker, B. K. Meyer, S. B. Orlinskii, J. Schmidt, P. G. Baranov: Phys. Rev. Lett. 88, 045504 (2002)Google Scholar
  93. 35.93.
    E. V. Lavrov, J. Weber, F. Börnert, C. G. Van de Walle, R. Helbig: Phys. Rev. B 66, 165205 (2001)Google Scholar
  94. 35.94.
    M. D. McCluskey, S. J. Jokela, K. K. Zhuravlev, P. J. Simpson, K. G. Lynn: Appl. Phys. Lett. 81, 3807 (2002)Google Scholar
  95. 35.95.
    D. C. Look, R. L. Jones, J. R. Sizelove, N. Y. Garces, N. C. Giles, L. E. Halliburton: Phys. Status Solidi A 195, 171 (2003)Google Scholar
  96. 35.96.
    B. K. Meyer, H. Alves, D. M. Hofmann, W. Kriegseis, D. Forster, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, M. Straßburg, M. Dworzak, U. Haboeck, A. V. Rodina: Phys. Status Solidi B 241, 231 (2004)Google Scholar
  97. 35.97.
    F. A. Kroger, H. J. Vink: J. Chem. Phys. 22, 250 (1954)Google Scholar
  98. 35.98.
    K. Vanheusden, C. H. Seager, W. L. Warren, D. R. Tallent, J. A. Voigt: Appl. Phys. Lett. 68, 403 (1996)Google Scholar
  99. 35.99.
    K. Vanheusden, W. L. Warren, C. H. Seager, D. R. Tallent, J. A. Voight: J. Appl. Phys. 79, 7983 (1996)Google Scholar
  100. 35.100.
    C. Morhain, M. Teisseire-Doninelli, S. Vézian, C. Deparis, P. Lorenzini, F. Raymond, J. Guion, G. Neu: Phys. Status Solidi B 241, 631 (2004)Google Scholar
  101. 35.101.
    H. J. Ko, Y. F. Chen, S. K. Hong, H. Wenisch, T. Yao, D. C. Look: Appl. Phys. Lett. 77, 3761 (2000)Google Scholar
  102. 35.102.
    D. C. Look, B. Claflin, Ya. I. Alivov, S. J. Park: Phys. Stat. Sol. A 201, 2203 (2004)Google Scholar
  103. 35.103.
    C. H. Park, S. B. Zhang, S.-H. Wei: Phys. Rev. B 66, 073202 (2002)Google Scholar
  104. 35.104.
    S. Orlinskii, J. Schmdit, P. G. Baranov, D. M. Hofmann, C. de M. Donegá, A. Meijerink: Phys. Rev. Lett. 92, 047603 (2004)Google Scholar
  105. 35.105.
    H.-J. Ko, Y. Chen, S.-K. Hong, T. Yao: J. Cryst. Growth 251, 628 (2003)Google Scholar
  106. 35.106.
    L. G. Wang, A. Zunger: Phys. Rev. Lett. 90, 256401 (2003)Google Scholar
  107. 35.107.
    M. Sumiya, A. Tsukazaki, S. Fuke, A. Ohtomo, H. Koinuma, M. Kawasaki: Appl. Surf. Sci. 223, 206 (2004)Google Scholar
  108. 35.108.
    S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S.-H. Wei, C. H. Park: Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004)Google Scholar
  109. 35.109.
    C. Morhain, M. Teisseire, S. Vézian, F. Vigué, F. Raymond, P. Lorenzini, J. Guion, G. Neu, J.-P. Faurie: Phys. Status Solidi B 229, 881 (2002)Google Scholar
  110. 35.110.
    D. C. Look, B. Claflin, Ya. I. Alivov, S. J. Park: Phys. Status Solidi A 201, 2203 (2004)Google Scholar
  111. 35.111.
    E.-C. Lee, K. J. Chang: Phys. Rev. B 70, 115210 (2004)Google Scholar
  112. 35.112.
    G. F. Neumark: Phys. Rev. Lett. 62, 1800 (1989)Google Scholar
  113. 35.113.
    G. Blattner, C. Klingshirn, R. Helbig, R. Meinl: Phys. Status Solidi B 107, 105 (1981)Google Scholar
  114. 35.114.
    C. Klingshirn, W. Maier, G. Blatter, P. J. Dean, G. Klobbe: J. Cryst. Growth 59, 352 (1982)Google Scholar
  115. 35.115.
    J. Gutowski, N. Presser, I. Broser: Phys. Rev. B 38, 9746 (1988)Google Scholar
  116. 35.116.
    D. Block, A. Hervé, R. T. Cox: Phys. Rev. B 25, 6049 (1982)Google Scholar
  117. 35.117.
    C. Gonzalez, D. Block, R. T. Cox, A. Hervé: J. Cryst. Growth 59, 357 (1982)Google Scholar
  118. 35.118.
    X. Liu, X. Wu, H. Cao, R. P. H. Chang: J. Appl. Phys. 95, 3141 (2004)Google Scholar
  119. 35.119.
    B. Lin, Z. Fu, Y. Jia: Appl. Phys. Lett. 79, 943 (2001)Google Scholar
  120. 35.120.
    D. Banejee, J. Y. Lao, D. Z. Wang, J. Y. Huang, Z. F. Ren, D. Steeves, B. Kimball, M. Sennett: Appl. Phys. Lett. 83, 2061 (2003)Google Scholar
  121. 35.121.
    T.-B. Hur, G. S. Jeen, Y.-H. Hwang, H.-K. Kim: J. Appl. Phys. 94, 5787 (2003)Google Scholar
  122. 35.122.
    P. H. Hasai: Phys. Rev. 130, 989 (1963)Google Scholar
  123. 35.123.
    M. Liu, A. H. Kitai, P. Mascher: J. Lumin. 54, 35 (1992)Google Scholar
  124. 35.124.
    D. C. Reynolds, S. C. Look, B. Jogai, H. Morkoc: Solid State Commun. 101, 643 (1997)Google Scholar
  125. 35.125.
    D. C. Reynolds, S. C. Look, B. Jogai: J. Appl. Phys. 89, 6189 (2001)Google Scholar
  126. 35.126.
    N. Y. Garces, L. Wang, L. Bai, N. C. Giles, I. E. Halliburton, G. Cantwell: Appl. Phys. Lett. 81, 622 (2002)Google Scholar
  127. 35.127.
    D. Li, H. Leung, A. B. Djurišić, Z. T. Liu, M. H. Xie, S. L. Shi, S. J. Xu, W. K. Chan: Appl. Phys. Lett. 85, 1601 (2004)Google Scholar
  128. 35.128.
    Y. Gu, I. L. Kuskovsky, M. Yin, S. OʼBrien, G. F. Neumark: Appl. Phys. Lett. 85, 3833 (2004)Google Scholar
  129. 35.129.
    H. S. Kang, J. S. Kang, J. W. Kim, S. Y. Lee: Phys. Status Solidi C 1, 2550 (2004)Google Scholar
  130. 35.130.
    Y. Harada, S. Hashimoto: Phys. Rev. B 68, 045421 (2003)Google Scholar

Copyright information

© Springer-Verlag 2006

Authors and Affiliations

  1. 1.Department of Applied Physics and Applied MathematicsColumbia UniversityNew YorkUSA
  2. 2.Department of Applied Physics and Applied MathematicsColumbia UniversityNew YorkUSA
  3. 3.Department of PhysicsQueens College, City University of New York (CUNY)FlushingUSA

Personalised recommendations