Mössbauer effect in gallium arsenide

Summary

The state of impurity iron atoms in gallium arsenide has been investigated by Mössbauer effect. The sources were prepared diffusing⁵⁷Co in single crystals ofp-type andn-type GaAs. The absorbers were stainless steel and FeGe₂. The resonance absorption show two quadrupolar doublets both in thep-type andn-type samples. As a conclusion the diffusion of⁵⁷Co in GaAs introduces at least two states of iron with electronic configuration near to 3d ⁵ but with different atomic environment and different diffusion kinetics.

Riassunto

È stato studiato lo stato di impurezze di ferro diffuso in arseniuro di gallio. Le sorgenti sono state preparate diffondendo⁵⁷Co in monocristalli di GaAs tipon e tipop. Gli assorbitori usati erano di acciaio inossidabile e di FeGe₂. Gli spettri di assorbimento in risonanza erano costituiti da due doppietti quadrupolari aventi le stesse caratteristiche sia nei campionip che nei campionin. Si è potuto concludere che la diffusione del⁵⁷Co in GaAs introduce almeno due stati del ferro con configurazione elettronica prossima alla 3d ⁵ ma con diverso circondario atomico e diversa cinetica di diffusione.

Реэюме

Было исследовано состояние примесных атомов желеэа в Сa-Аs с помошью зффекта Мессбаузра. Источники проготовлялись посредством диф-фуэии⁵⁷Co в монокристаллах GaAsp-типа иn-типа. Поглотителями были нержаве-юшая сталь и FeGe₂. Спектры поглошения в реэонансе обраэуют два квадрупольных дублета в обраэцах иp-типа иn-типа. Можно сделать эаключение, что диффуэия 57Со в СаАs вводит, по крайней мере, два состояния желеэа с злектронной конфи-гурацией вблиэи 3d ⁵, но с раэличным атомным окружением и с раэличной кине-тикой диффуэии.