Summary
Energies and wave functions of shallow acceptor states under uniaxial stress have been computed in silicon and germanium. Calculations have been carried out up to high stress values within the effective-mass approximation. The full cubic crystal symmetry has been taken into account. The splittings of the ground state and of the odd-parity excited states, the relative intensities of optical transitions, as well as the energies of odd states for high stress values have been found to be in agreement with the results of optical measurements. However, results for even-parity excited states cannot as yet be compared with present experiments.
Riassunto
Le energie e le funzioni d'onda degli stati accettori poco prodondi sotto tensione uniassiale sono state calcolate per silicio e germanio. I calcoli sono stati fatti fino ad alti valori di tensione nell'approssimazione della massa efficace. È stata presa in considerazione la simmetria cubica completa del cristallo. Gli sdoppiamenti dello stato fondamentale, degli stati eccitati a parità dispari, le intensità relative delle transizioni ottiche, cosí come le energie degli stati dispari per alti valori di tensione sono in accordo con i risultati delle misurazioni ottiche. Tuttavia, i risultati per gli stati eccitati a parità pari non possono ancora essere confrontati con gli esperimenti attuali.
Реэюме
Вычисляются энергии и волновые функции мелких акцепторных состояний при одноосном напряжении в кремнии и германии. Вычисления проводятся в рамках приближения эффективной массы вплоть до больших значений напряжений. Учитывается полная кубическая симметрия кристалла. Получается, что расщепления основного состояния и нечетных возбужденных состояний, относительные интенсивности оптических переходов, а также энергии нечетных состояний при больших значениях напряжений согласуются с результатами оптических измерений. Однако, результаты для четных возбужденных состояний не могут быть еще сравнены с имеющимися экспериметами.
Similar content being viewed by others
References
R. L. Jones andP. Fisher:J. Chem. Solids,26, 1125 (1965).
R. L. Jones andP. Fisher:Phys. Rev. B,2, 2016 (1970).
D. H. Dickey andJ. O. Dimmock:J. Phys. Chem. Solids,28, 529 (1967).
A. D. Martin, P. Fisher, C. A. Freeth, E. H. Salib andP. E. Simmonds:Phys. Lett., A,99, 391 (1983).
A. Onton, P. Fisher andA. K. Ramdas:Phys. Rev.,163, 686 (1967).
P. Fisher, R. L. Jones, A. Onton andA. K. Ramdas: inProceedings of the International Conference of the Physics of Semiconductors, Kyoto 1966, J. Phys. Soc. Jpn.,21, 224 (1966).
P. Fisher andA. K. Ramdas: inPhysics of the Solid State, edited byS. Balakrishna, M. Krishnamurti andB. Ramachanda Rao (Academic Press, New York, N. Y., 1969), p. 149.
H. R. Chandrasekhar, P. Fisher, A. K. Ramdas andS. Rodriguez:Phys. Rev. B,8, 3836 (1973).
D. Schechter:J. Phys. Chem. Solids,23, 237 (1962).
K. S. Mendelson andH. M. James:J. Phys. Chem. Solids,25, 729 (1964).
E. Kaczmarek:Acta Phys. Pol.,30, 267 (1966).
K. S. Mendelson andO. R. Schultz:Phys. Status Solidi,31, 59 (1969).
A. Baldereschi andN. O. Lipari:Phys. Rev. B,8, 2697 (1973).
N. O. Lipari andA. Baldereschi:Solid State Commun.,25, 665 (1978).
N. O. Lipari, A. Baldereschi andM. L. W. Thewalt Solid State Commun.,33, 277 (1980).
P. Janiszewski, R. Buczko andJ. A. Chroboczek:J. Phys. C,13, L9 (1980).
P. Janiszewski andM. Suffczynski:Solid State Commun.,37, 819 (1981).
S. Rodriguez, P. Fisher andF. Barra:Phys. Rev. B 5, 2219 (1972).
R. Buczko, J. Blinowski andJ. A. Chroboczek:J. Phys. C,13, 71 (1980).
R. Buczko andJ. A. Chroboczek:Philos. Mag. B,50, 429 (1984).
A. Chroboczek, H. Fritzsche, C. L. Jiang, M. Pollak andR. L. Wild:Philos. Mag. B,44, 685 (1981).
J. A. Chroboczek, F. H. Pollak andH. F. Staunton:Philos. Mag. B,50, 113 (1984).
L. M. Browning: Ph.D. Thesis, Purdue University (1984).
R. A. Cooke, R. J. Nicholas andR. A. Stradling:Solid State Commun.,26, 11 (1978).
A. G. Kazanskii, P. L. Richards andE. E. Haller:Solid State Commun.,24, 603 (1977).
J. M. Luttinger:Phys. Rev.,102, 1030 (1956).
G. E. Pikus andG. L. Bir:Sov. Phys. Solid State 1, 1502 (1960).
G. L. Bir, E. I. Butikov andG. E. Pikus:J. Phys. Chem. Solids,24, 1467 (1963).
K. Suzuki andJ. C. Hensel:Phys. Rev. B,9, 4184 (1974).
B. Pertzsch andU. Rössler:Phys. Status Solidi,89, 475 (1978).
P. Lawaetz:Phys. Rev. B,4, 3460 (1971).
J. J. Hall:Phys. Rev.,128, 68 (1962);161, 756 (1967).
H. B. Huntington:Solid State Physics, Vol.7, edited byF. Seitz andD. Turnbull (Academic Press, New York, N. Y.), p. 213.
L. D. Laude, F. M. Pollak andM. Cardona:Phys. Rev. B,3, 2623 (1971).
I. Baslev:Phys. Rev.,177, 1173 (1969).
J. C. Hensel andK. Suzuki:Phys. Rev. B,9, 4219 (1974).
R. Resta:Phys. Rev. B,16, 2717 (1977).
A. R. Edmonds:Angular Momentum in Quantum Mechanics (Princeton University Press, Princeton, N. J., 1960).
J. Broeckx, P. Clauws andJ. Vennik:J. Phys. C,19, 511 (1986).
W. Böhm, E. Ettlinger andW. Prettl:Phys. Rev. Lett.,47, 1198 (1981).
F. Bassani andA. Quattropani:Solid State Commun.,53, 1077 (1985).
J. Broeckx andJ. Vennik:Phys. Rev. B,35, 6165 (1987).
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Buczko, R. Effect of uniaxial stress on shallow acceptor states in silicon and germanium. Il Nuovo Cimento D 9, 669–689 (1987). https://doi.org/10.1007/BF02457028
Received:
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF02457028