Reflectancevs. Electroreflectance measurements on arsenic-doped silicon crystal

Summary

Reflectance and electroreflectance measurements from 2.5 to 5.5 eV, performed on arsenic heavily doped silicon samples, are reported and discussed. Silicon crystals implanted with arsenic up to a fluence of 10¹⁷ cm⁻² were laser irradiated and a free-carrier concentration of the order of 10²¹cm⁻³ was reached. The reordering of the system is studied in detail at different initial conditions. A comparison between reflectance and electro-reflectance appears to be quite useful to determine the behaviour of the heavily doped semiconductor.

Riassunto

In questo lavoro si riportano e discutono misure di riflettanza ed elettroriflettanza, nell'intervallo (2.5÷5.5) eV, eseguite sui campioni di silicio pesantemente drogato con arsenico. I campioni di silicio, impiantati con arsenico fino a una dose di 10¹⁷cm⁻², sono stati sottoposti a laser annealing e sono state raggiunte concentrazioni di portatori liberi dell'ordine di 10²¹cm⁻³. Il riordinamento del sistema è studiato in dettaglio in corrispondenza a diverse condizioni iniziali e un confronto fra riflettanza ed elettroriflettanza appare molto utile per determinare il comportamento di un semiconduttore pesantemente drogato.

Резюме

Приводятся и обсуждаются результаты измерений отражения и электроотражения в области от 2.5 до 5.5 эВ на образцах кремния, сильно легированных мишьяком. Кристаллы кремния, имплантированные мышьяком с флуенсом 10¹⁷cm⁻², облучаются лазером и концентрация свободных носителей достигает порядка 10²¹cm⁻³. При различных началыных условиях подробно исследуется переупорядочение системы. Сравнение отражения и электроотражения оказывается поленым для определения поведения сильно легированных полупроводников.