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Über das Impulsverhalten von Flächentransistoren

  • Varia
  • Frühjahrstagung der Schweizerischen Physikalischen Gesellschaft vom 5. bis 6. Mai 1956 in Zofingen Berichte über die Sitzungen für angewandte Physik und Mathematik
  • Published:
Zeitschrift für angewandte Mathematik und Physik ZAMP Aims and scope Submit manuscript

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  1. In Impulsschaltungen ist der Belastungswiderstand oft klein; deshalb können der Kollektor-Emitter-Widerstand (R 4) und der Kollektor-Basis-Widerstand (R 3) vernachlässigt werden (gestrichelt eingezeichnet). Für den Philips-Transistor OC 71 betragen zum Beispiel beiI e=1mA:R 3≈7MΩ undR 4≈100 kΩ.

  2. A. W. Loet al., Transistor Electronics (Prentice-Hall, 1955), Kapitel 8.C. W. Mueller andJ. I. Pankove,A p-n-p-Triode Alloy-Junction Transistor for Radio-Frequency Amplification, Proc. I. R. E.42, 386 (1954).

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Authors and Affiliations

  1. Abteilung für angewandte Physik, Physikalisches Institut der Universität, Basel

    E. Baldinger, W. Czaja & M. Nicolet

Authors
  1. E. Baldinger
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  2. W. Czaja
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  3. M. Nicolet
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Baldinger, E., Czaja, W. & Nicolet, M. Über das Impulsverhalten von Flächentransistoren. Journal of Applied Mathematics and Physics (ZAMP) 7, 355–359 (1956). https://doi.org/10.1007/BF01600714

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  • DOI: https://doi.org/10.1007/BF01600714

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