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The edge admittance model of a microstrip structure is applied for a semi infinite conductor over a grounded uniaxial substrate using the Wiener-Hopf technique. Explicit expressions for all the scattered field components, as well as for the surface wave modes characteristic equations, are given. The TEM wave reflection coefficient in a simple closed form expression is developed, utilizing a thin substrate approximation. The effects of the anisotropy ratio on this reflection coefficient and on the characteristics of a rectangular microstrip antenna are examined.
Übersicht
Das Edge-Admittance-Modell einer Microstrip-Struktur wird unter Benutzung der Wiener-Hopf-Methode auf einen halbseitig unendlich ausgedehnten Leiter über einem rückseitig kaschierten, einachsig anisotropen Substrat angewendet. Die Ausdrücke sowohl für die gestreuten Feldkomponenten als auch für die charakteristischen Gleichungen der Oberflächenwellen-Moden werden angegeben. Mit Hilfe der für dünne Substrate gültigen Näherung wird der Reflexionskoeffizient der TEM-Welle als einfacher geschlossener Ausdruck hergeleitet. Die Auswirkung des Anisotropie-Verhältnisses auf diesen Reflexionskoeffizienten und auf die Charakteristik einer rechteckigen Microstrip-Antenne werden untersucht.
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Kyriacou, G.A., Sahalos, J.N. The edge admittance model for the study of microstrips on uniaxial substrate. Archiv f. Elektrotechnik 76, 169–179 (1993). https://doi.org/10.1007/BF01597596
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DOI: https://doi.org/10.1007/BF01597596