Zur Entstehung von Leitungselektronen in Silberbromidkristallen durch Bestrahlung bei −170° C

Zusammenfassung

Der Mechanismus, der zur Entstehung von Leitungselektronen in Silberhalogeniden durch Bestrahlung führt, wird an Hand von Anstiegsmessungen der Photoleitfähigkeit diskutiert. Eine reaktionskinetische Untersuchung zeigt, daß sich die Versuche mit dem direkten Übergang des Elektrons ins Leitfähigkeitsband und anschließendem Einfang in Gitterstörstellen, z. B. Bromlücken, erklären lassen. Die Erzeugung freier Elektronen durch die Wechselwirkung von Excitonen mit fehlgeordneten Ionen (Bromlücken, Silberlücken) kann ausgeschlossen werden.