Zusammenfassung
Die Ionisierungszahl α eines elektronischen Halbleiters wird als Funktion der elektrischen Feldstärke explizit unter einfachen Voraussetzungen berechnet und mit den Ergebnissen von K. G.McKay, K. B.McAfee und P. A.Wolff verglichen. Der Vergleich legt die Vermutung nahe, daß die Stoßionisation sowohl durch die Wechselwirkung der Leitungselektronen mit akustischen als auch mit optischen Schallquanten bestimmt wird.
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Herrn Dr. K.Siebertz und Herrn Dr.Winrich von Siemens möchte ich für Diskussionen vielmals danken.
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Groschwitz, E. Zur Stoßionisation in Silicium und Germanium. Z. Physik 143, 632–636 (1956). https://doi.org/10.1007/BF01333571
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