Zur lichtelektrischen Leitfähigkeit von Zinkoxyd

Zusammenfassung

In der vorliegenden Arbeit wird die lichtelektrische Leitfähigkeit von 0,1 bis 0,2 μ dicken im Hochvakuum aufgedampften ZnO-Schichten in Abhängigkeit von der Wellenlänge des eingestrahlten Lichtes und von der Temperatur untersucht. Aus dem Stromanstieg zu Beginn der Bestrahlung wird die Quantenausbeute für die primär als Folge der Lichteinstrahlung entstehenden Leitungselektronen bestimmt. Die Ergebnisse der Messungen bei tiefen Temperaturen lassen sich wie die bei Zimmertemperatur durch einfache Verknüpfungen zwischen den Größen des Dunkelstromes, des Lichtstromes und der Stromänderungen darstellen.