Elektronenmikroskopische Untersuchung der Gleitlinienbildung auf Kupfereinkristallen

Zusammenfassung

Kupfereinkristalle, die bei Raumtemperatur drei verschiedene, für kubisch flächenzentrierte Metallkristalle charakteristische Verfestigungsbereiche aufweisen, werden verformt, wobei die Verfestigungskurve in kleinen Intervallen durchlaufen wird. Die in jedem Verformungsintervall neu entstehenden Gleitlinien werden mit dem Elektronenmikroskop untersucht.

Man findet im linearen Anfangsbereich I gleichmäßige Feingleitung mit sehr langen Gleitlinien, auf denen im Mittel eine Gleitung um 12 Atomabstände stattfindet. Im ebenfalls linearen Bereich II bildet sich strukturierte Feingleitung. Die Länge der neu entstehenden Gleitlinien nimmt mit zunehmender Verformung ab, der mittlere Gleitschritt pro Gleitlinie beträgt etwa 20 Atomabstände. Im Bereich III, in dem die Verfestigung weniger stark anwächst als im Bereich II, findet man Gleitung im Quergleitsystem. Die Gleitlinien des Hauptgleitsystems treten zu Gleitbändern gebündelt auf; den Stufenhöhen der Gleitlinien entsprechen im Mittel größere Gleitschritte als im Bereich II. Bei höheren Verformungen sind die neu entstehenden Gleitbänder fragmentiert, die einzelnen Gleitbandfragmente sind häufig durch Quergleitung miteinander verbunden.

Es wird gezeigt, daß die Oberflächenerscheinungen mit theoretischen Vorstellungen über den Verformungsmechanismus im Einklang sind.