Zusammenfassung
Das Großsignalmodell des Bipolartransistors nach Bild 2.1 enthält als Komponenten:
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Die Diffusionsströme I bc und I be mit dem Sättigungsstrom I S als verknüpfenden Parameter zur jeweiligen Spannung.
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Die auf Sperrschichtrekombinationen beruhenden Diodenströme I bc2 und I be2 mit den Sättigungsströmen I SC und I SE.
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Die Stromverstärkungen B F und B R für die Vorwärts- bzw. Rückwärtsrichtung.
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Die Bahnwiderstände R B, R C und R E.
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Den Basisladungsfaktor K qb für die Vorwärtsrichtung, mit dem über die Early- Spannung V AF Basisweitenänderungen und über den Knickstrom I KF Hochinjektionseffekte erfasst werden.
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Die Kapazitäten C bc und C be, die jeweils eine Sperrschicht- und eine Diffusionskapazität mit deren SPICE-Modellparametern enthalten.
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© 2012 Vieweg+Teubner Verlag | Springer Fachmedien Wiesbaden
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Baumann, P. (2012). Bipolartransistoren. In: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2495-0_2
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