Zusammenfassung
Siliziumdioxid lässt sich durch thermische Oxidation in einer Sauerstoff enthaltenden Atmosphäre erzeugen. Das Schichtwachstum wird mit einem einfachen Modell über einen linearen und einen parabolischen Anteil beschrieben. Es ist sowohl für die trockene als auch für die feuchte Oxidation gültig. Auch Abscheideverfahren für Siliziumdioxid werden angesprochen.
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Literatur
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Hilleringmann, U. (2014). Oxidation des Siliziums. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-8348-2085-3_3
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