Zusammenfassung
In den ersten Kapiteln wurden innerer Aufbau, Eigenschaften und die entsprechenden mikroelektronischen Technologien verschiedener Speicherschaltkreise behandelt. Im vorliegenden Kapitel wird — nun aus Sicht des Anwenders von Speicherschaltkreisen — die Vorgehensweise bei der technischen Realisierung von Speichern als Bestandteil eines elektronischen Gerätes oder als eigenständiges Gerät betrachtet.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Preview
Unable to display preview. Download preview PDF.
Literaturverzeichnis
Intel Memory Design Handbook, 1975.
Altnether, J.: High-speed memory system design using 2147H. Intel Aplication Note AP-74, Intel Corporation 1980.
Altnether, J.:Righter. W.: Design memory systems for microprocessor using the Intel 2164A and 2128 dynamic RAMs. Intel Aplication Note AP-133, Intel Corporation 1982.
Fallin, J.: CHMOS-RAMs für lange Datenerhaltung. Elektronik 34(1985)20, S.79–82.
Stodieck, R.; Wyland, D.C.: Take advantage of CMOS SRAMS low standby power. Electronic Design 36(1989)27, S.77.
Intel 2164A 64k dynamic RAM device description. Intel Aplication Note AP-131, Intel Corporation 1982.
Knudson, D.: Memory design for the low power microsystem environment. Intel Aplication Note AP-283, Intel Corporation 1985.
Eckhardt, D.; Groß, W.: Grundlagen der digitalen Schaltungstechnik. 2. Auflage, Militärverlag der DDR, Berlin 1988.
Kühn, E.: Handbuch der TTL-und CMOS-Schaltkreistechnik. 2.Auflage, Verlag Technik, Berlin 1986.
Calebotta, S.: System design with dynamic memories takes attention to detail. Electronics 51(1978) February, S.109–113.
Informations-und Applikationshefte Mikroelektronik: LS-TTL, Heft 40.
Shah. A.; Saglini, M. u.a.: Integrierte Schaltungen in digitalen Systemen. Birkhäuser Verlag, Basel-Stuttgart 1977.
Feller; Kaupp; Digiacomo: Crosstalk and reflections in high-speed digital systems. Proceedings Fall Joint Computer Conference, 1965.
Sarkowski, H.; Apel, U.: Digitaltechnik mit integrierten Schaltungen. Expert Verlag, Ehningen 1987.
Burton, E.: Transmission-line-methods aid memory board design. Electronic design 36(1988)27, S. 87.
[6A6]Hedtke, R.: Mikroprzessorsysteme. Springer-Verlag, Berlin 1984.
Design memory systems with the 8kx8 iRAM (2186/87). Intel Aplication Note AP-132, Intel Corporation 1982.
Huse, H.: Einfluß der Oberflächenmontage auf DRAM-Speichersysteme. Elektronik 36(1987)2, S. 47–52.
Takamura, M.; Ikehara, S.: High-density packaging of main storage. Fujitsu Tech. J. 21(1985)4, S. 452–460.
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 1992 Springer-Verlag/Wien
About this chapter
Cite this chapter
Rhein, D., Freitag, H. (1992). Technische Realisierung von Speichern. In: Mikroelektronische Speicher. Springer, Vienna. https://doi.org/10.1007/978-3-7091-9214-6_6
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-7091-9214-6_6
Publisher Name: Springer, Vienna
Print ISBN: 978-3-211-82354-5
Online ISBN: 978-3-7091-9214-6
eBook Packages: Springer Book Archive