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Zusammenfassung

Unter Epitaxie versteht man die geordnete, orientierte Verwachsung von zwei Kristallen. An der Berührungs- oder Grenzfläche stehen die Netzebenen beider Kristalle in einem rationalen, symmetrischen Verhältnis zueinander. In der Natur beobachtet man epitaktisches Verwachsen besonders häufig bei den kubischen Kristallen Steinsalz, Pyrit, Bleiglanz und Kalziumfluorit. Die Verwachsung von chemisch oder strukturell gleichen Kristallen wird als Homoepitaxie bezeichnet, die Verwachsung verschiedener Kristalle als Heteroepitaxie. Statt naturgewachsener Kristalle werden in der modernen Festkörperphysik fast ausschließlich künstlich gezogene, hochreine Einkristalle ohne Zwillingsbildung verwendet. Diese werden mit Impflingen aus der Schmelze gezogen, wobei der Impfling als kleiner perfekter Einkristall das Wachstum eines größeren Kristalls in vorgegebener Orientierung durch Homoepitaxie induziert. Eine schematische Darstellung der zwei gebräuchlichsten Methoden des Kristallwachstums ist in Abb. 1 wiedergegeben.

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Literatur

  1. [1]
    L. Hoddeson, E. Braun, J. Teichmann, S. Weart, Out of the Crystal Maze: Chapters from the History of Solid State Physics, 1992.Google Scholar
  2. [2]
    E. Bauer et al., J. Mater. Res. 5, 852 (1990).ADSCrossRefGoogle Scholar
  3. [3]
    A. Zangwill, Physics at Surfaces, Cambridge University Press, Cambridge, 1988.CrossRefGoogle Scholar
  4. [4]
    D. E. Wolf and J. Villain, Europhys. Lett. 13, 389 (1990).ADSCrossRefGoogle Scholar
  5. [5]
    H. Wolter, M. Schmidt and K. Wandelt, Surface Science 298, 173 (1993);ADSCrossRefGoogle Scholar
  6. S. Esch, M. Hohage, T. Michely and G. Comsa, Phys. Rev. Lett. 72, 518 (1994).ADSCrossRefGoogle Scholar
  7. [6]
    S. H. Lu, J. Quinn, D. Tian, F. Jona and P. M. Marcus, Surf. Sci. 209, 364 (1989).ADSCrossRefGoogle Scholar
  8. [7]
    M. Piecuch, S. Andrieu, J.F. Bobo and P. Bauer, NATO ASI Series B, Physics Vol. 309, Magnetism and Structures of Reduced Dimension, edited by R. F. C. Farrow et al., Plenum Press, 1993, p. 67.Google Scholar
  9. [8]
    L. Gonzales, R. Miranda, M. Salmeron, J.A. Verges and F. Yandurain, Phys. Rev. B 24, 3245 (1981); P. Bödeker, A. Abromeit, K. Bröhl, P. Sonntag, N. Metoki and H. Zabel, Phys. Rev. B 47, 2353 (1993).ADSGoogle Scholar
  10. A. Stierle, A. Abromeit, N. Metoki und H. Zabel, J. Appl. Phys. 73, 4808 (1993)ADSCrossRefGoogle Scholar
  11. [9]
    G. A. Prinz, Phys. Rev. Lett. 54, 1051 (1985).ADSCrossRefGoogle Scholar
  12. [10]
    N. Metoki, W. Donner and H. Zabel, Phys. Rev. B 49, 17351 1994.ADSGoogle Scholar
  13. [11]
    K. Ounadjela, P. Vennegues, Y. Henry, A. Michel, V. Pierron-Bohnes and J. Arabski, Phys. Rev. B 49, 8561 (1994); Wang Qi, Th. Mühge, H. Zabel, to be published.ADSGoogle Scholar
  14. [12]
    Dongqui Li, M. Freitag, J. Pearson, Z. Q. Qiu and S.D. Bader, Phys. Rev. Lett. 72, 3112 (1994).ADSCrossRefGoogle Scholar
  15. [13]
    Th. Mühge, A. Stierle, N. Metoki, H. Zabel and U. Pietsch, Appl. Physics A 58, (1994).Google Scholar
  16. [14]
    P. Reimer, H. Zabel, C. P. Flynn and J. A. Dura, Phys. Rev. B 45, 11426 (1992).ADSGoogle Scholar
  17. [15]
    P. K. Larsen and P. J. Dodson, Reflection High Energy Electron Diffraction and Reflection Imaging of Surfaces, Plenum Press, 1988.Google Scholar
  18. [16]
    K. Bröhl, P. Bödeker, N. Metoki, A. Stierle and H. Zabel, J. of Crystal Growth 127, 682 (1993).ADSCrossRefGoogle Scholar
  19. [17]
    J. Als-Nielsen, in Structure and Dynamics of Surfaces II, Topics in Current Physics, Vol. 43, edited by W. Schommers and P. von Blanckenhagen, Springer Verlag 1987; H. Zabel, Festkörperprobleme, Advances in Physics 30, 197 (1990); Applied Physics A 58, 159 (1994).MathSciNetGoogle Scholar
  20. [18]
    A. Stierle, T. Mühge and H. Zabel, J. Mater. Res. 9, 884 (1994); A. Stierle, H. Zabel, to be published.ADSCrossRefGoogle Scholar
  21. [19]
    P. Bruno and C. Chappert, Phys. Rev. Lett. 67, 1602 (1992).ADSCrossRefGoogle Scholar
  22. [20]
    M. T. Johnson, R. Coehoorn, J. J. de Vries, N. W. E. McGee, J. aan de Stegge and P. J. H. Bloemen, Phys. Rev. Lett. 69, 2688 (1993).Google Scholar
  23. [21]
    N. Metoki, Th. Zeidler, A. Stierle, K. Bröhl and H. Zabel, J. Mag. Mag. Mat. 118, 57 (1993); A. Schreyer, Th. Zeidler, M. Schäfer, P. Grünberg and H. Zabel, to be published.ADSCrossRefGoogle Scholar
  24. [22]
    A. Schreyer, Th. Zeidler, Ch. Morawe, N. Metoki, H. Zabel, J. F. Ankner and C. F. Majkrzak, J. Appl. Phys. 73, 7616 (1993).ADSCrossRefGoogle Scholar
  25. [23]
    A. Schreyer, K. Bröhl, J. F. Ankner, C. F. Majkrzak, Th. Zeidler, P. Bödeker, N. Metoki and H. Zabel, Phys. Rev. B. 47, 15334 (1993).ADSCrossRefGoogle Scholar
  26. [24]
    A. Schreyer, J. F. Ankner, H. Zabel, M. Schäfer, C. F. Majkrzak and P. Grünberg, Physica B 198, 173 (1994), and submitted.ADSCrossRefGoogle Scholar

Copyright information

© Springer Fachmedien Wiesbaden 1995

Authors and Affiliations

  • Hartmut Zabel
    • 1
  1. 1.BochumDeutschland

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