Zusammenfassung
Bei der Integration von Halbleiterschaltungen werden Oxidschichten sowohl im Herstellungsprozeß als auch zur Funktion der Schaltung benötigt. Der jeweiligen Anforderung entsprechend sind unterschiedliche Verfahren zum Aufbringen des Oxides auf die Siliziumscheibe notwendig.
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© 1996 B. G. Teubner Stuttgart
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Hilleringmann, U. (1996). Oxidation des dotierten Siliziums. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Teubner Studienskripten (TSS). Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-05853-3_3
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DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-663-05853-3_3
Publisher Name: Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-519-00149-2
Online ISBN: 978-3-663-05853-3
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