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Messung Dynamischer Kennwerte

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Transistormeßtechnik

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Zusammenfassung

Von den dynamischen Kennwerten sind die des Kleinsignalbetriebs am verbreitetsten, da Großsignalkennwerte nur für den impulsgesteuerten Transistor größere Bedeutung haben. Das dynamische Verhalten des Transistors läßt sich dann wie im Abschnitt 1.2 gezeigt durch eine ganze Anzahl von Kennwerten beschreiben. Sie haben teils zusammenhängenden, teils selbständigen Charakter. Aus praktischen) Gründen ist es nicht möglich, alle Kennwerte für einen Transistor als Datenblattwerte anzugeben. Immerhin gibt es aber eine Reihe von Empfehlungen (s. S. 78) für die wünschenswerten Angaben in Datenblättern.

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Literaturverzeichnis

  1. Meleky, M.A.: Accurate Measurements of r, and °co of Transistors. Proc. IRE. 45 (1957) 1739 u. 1740.

    Google Scholar 

  2. Hutchins, R.; Martin, J. D.: Transistor h-Parameters. Electronic and Radio Engr. 36 (1959) 383–387.

    Google Scholar 

  3. Beneteau, P.J.; Siegel, M.: A Simple Method of Measuring HF and VHF Transistor Current Gain. Sem. Prod. 4(1961) H.5, 50u. 51.

    Google Scholar 

  4. Molozzi, A. R.; Page, D. F.; Boothroyd, A. R.: Measurement of High-Frequency Equivalent Circuit Parameters of Junction and Surface Barrier Transistors. Trans. IRE. ED–4 (1957) 120–125.

    Google Scholar 

  5. Hyde, F.J.; Price, T. E.: Measurement of the High-frequency Base Resistance and Collector Capacitance of Drift Transistors. Journ. El. and Contr. 6 (1959) 347–355.

    Google Scholar 

  6. Hyde, F.J.: The Physical Interpretation of Measurements on Transistors. Journ. El. and Contr. 6 (1959) 362–364.

    Google Scholar 

  7. Reich, B.; Orloff, W.: Transistorized Equipment for Measuring Transistor Frequency Response. Sem. Prod. 3 (1960) H.8. 38–41.

    Google Scholar 

  8. Münch, W. v.: Die Meßtechnik desTransistors. Fernmelde-Ingenieur 14 (1960) H.7, 1–30.

    Google Scholar 

  9. Kovering, W. F.; Britten, D.B.: A Simple Transformer Bridge for the Measurements of Transistor Characteristics. Proc IEE. 104 (1957) 368–373.

    Google Scholar 

  10. Boothroyd, A. R.; Almond, J.: A Bridge for Measuring the ac-Parameters of Junction Transistors. Proc. IEE. T. III, 101 (1954) 314–317.

    Google Scholar 

  11. Die Messung der dynamischen Transistor-Kenngrößen bei HF. Telefunken Röhrenmitteilung für die Industrie. 561014.

    Google Scholar 

  12. Coffey, W.N.: Die Messung des Transistor-Leistungsgewinns bei hohen Frequenzen. Electronic Ind. and Tele-Tech. 16 (1957) 66–68, 167–169.

    Google Scholar 

  13. Tarui, Y.: Accurate Measurement of Transistor Cut-off Frequency. Electronic Engng. 31 (1959) 284–287.

    Google Scholar 

  14. Turner, G.L.: Measuring Transistor fαěo . Electronics 32 (1959) H.1, 54.

    Google Scholar 

  15. Giacoletto, L.J.: Equipments for Measurement of Junction Transistor Small Signal Parameters for a Wide Range of Frequencies. RCA Rev. 14 (1953) 269–296.

    Google Scholar 

  16. Follingstad, H. G.: An Analytical Study of z, y and h Parameter Accuracies in Transistor Sweep Measurement. IRE. Cony. Rec. 2 pt. 3 (1954) 104–116.

    Google Scholar 

  17. Holmes, D. D ; Freedman, L. A.; Scott, T. M.: A Testset for Transistor Performance Measurement at 455 kcis. In „Transistors I “, RCA-Laboratories, Princeton N.I. (1956) 321–335.

    Google Scholar 

  18. Sands, W.F.: A High-frequency Measuring Equipment for Transistors. In: Transistors I, RCA-Laboratories, Princeton N.I. (1956) 336–352.

    Google Scholar 

  19. Truner, R.J.: Surface Barrier Transistor Measurements and Applications. Tele-Tech. 13 (1954) H.8, 78–81.

    Google Scholar 

  20. Jahn, W.: Direktanzeigendes ßß-Grenzfrequenz- und ßß-Stromverstärkungsmeßgerät für NFTransistoren. El. Rundschau 18 (1964) 385–387.

    Google Scholar 

  21. Pritchard, R.L.: Transistor Tests Predict High Frequency Performance. Tele-Tech. and Electronic Ind. 16 (1957) 62–69.

    Google Scholar 

  22. Montgomery, G.F.: Transistor beta Tester. Electronics 30 (1957) H.5, 198–200.

    Google Scholar 

  23. Lovering, W.F.; Britten, D.B.: A Simple Transformer Bridge for the Measurement of Transistor Characteristics. Proc. IEE. 104 (1957) 368–373.

    Google Scholar 

  24. Hendrick, R. W.: Measuring Parameters of Junction Transistors. Electronics 30 (1957) H.8, 174–176.

    Google Scholar 

  25. Riethmüller, J.: Mesure des paramètres déterminant le fonctionnement des transistors en haute fréquence. Ann. Radio electr. 11 (1956) 239–248.

    Google Scholar 

  26. Das, M. B.; Boothroyd, A.R.: Measurement of Equivalent Circuit Parameters of Transistors at VHF. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr. 15, 536–549.

    Google Scholar 

  27. Cooper, B.F.C.: A Bridge for Measuring Audio-frequency Transistor Parameters. Proc. IRE. 43 (1955) 796–805.

    Google Scholar 

  28. Page, D.F.; Boothroyd, A. R.: A Simple Measurement for Transistor Current Gain in Magnitude and Phase. Proc. IRE. 47 (1959) 1273.

    Google Scholar 

  29. Paul, R.: Passivität, Stabilität, Leistungsverstärkung und Schwingfrequenz von Transistoren. NT 13 (1963) 134–140.

    Google Scholar 

  30. Bickley, J.: Measurement of Transistor Characteristic Frequencies in the 20–1000 Mcis Range. Proc. IEE. 107 (1960) 301–304.

    Google Scholar 

  31. Vojtašm, S.; Františšek, Z.; Milan, S.: Mereno vf vlastnosti transistorů. Slab. Obz. 20 (1959) 361–367.

    Google Scholar 

  32. Brown, J. S.: Some Useful Techniques for Transistor Power Gain Measurements. Proc. NEC. 13 (1957) 403–408.

    Google Scholar 

  33. Gay, M.J.: The Design of Apparatus to Measure Transistor Small Signal Parameters. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr. 15, 550–554.

    Google Scholar 

  34. Agachanjan, T. M.; Patrikeev, L.N.: Opredelenie granicnoj castoty koefficienta peredaci toka plostkostnogo poluprovodnikovogo trioda. Radiotechnika 13 (1958) H.4, 45–52.

    Google Scholar 

  35. Knight, G.; Johnson, R.A.; Holt, R.B.: Measurement of the Small Signal Parameters of Transistors. Proc. IRE. 41 (1953) 983–989.

    Google Scholar 

  36. Reich, B.; Orloff, W.: Junction Transistor Measurements and Practical Standards. Sem. Prod. 3 (1960) H.3, 59–63, H.4, 39–46.

    Google Scholar 

  37. Thuy, H.J.: Transistordaten und ihre Messung. Radio Mentor 24 (1958) 90 u. 91.

    Google Scholar 

  38. Guggenbühl, W.; Wunderlin, W.: Experimentelle Bestimmung des Basis- und Emitterzuleitungswiderstandes von legierten Flächentransistoren mittels Niederfrequenzmessungen. AEÜ; 11 (1957) 355–358.

    Google Scholar 

  39. Zettel, R.: Transistor Testing with Type 974 Coaxial Elements. General Radio Experimenter 31 (1957) H.10, 3–6.

    Google Scholar 

  40. Vojtašek, S.: Prisperek k mereni kapacit plosnych transistorů. Slab. Obz. 19 (1958) 351–354.

    Google Scholar 

  41. Sparkes, J.J.: Measurement of Junction Transistor Equivalent Circuit Parameters. ATE Journ. 14 (1958) H.3. 176–187.

    Google Scholar 

  42. Hrycej, J.; Vojtašek, S.: Nova metoda mereni proudovych zisků a meznich kmito6tů tranzistorů. Slab. Obz. 26 (1965) 129–137.

    Google Scholar 

  43. Blackbourne, N.F.: Capacitance Bridges for Semiconductor Measurements. ATE Journ. 14 (1958) H.3, 166–175.

    Google Scholar 

  44. Hall, R. A.: A 1 kcis Junction Transistot T-Parameter Measurement Set. Electronic Engng. 30 (1958) 82 u. 83.

    Google Scholar 

  45. Zawels, J.: A Wide Band Bridge Yielding Directly Device Parameters of Junction Transistors. Trans. IRE. ED–5 (1958) 21–25.

    Google Scholar 

  46. Hyde, F.J.: Some Measurements on Commercial Transistors and their Relation to Theory. Proc. IEE. 105 (B) (1958) 45–52.

    Google Scholar 

  47. Jacobsen, S.; Tinsley, F.: Test Equipment for Transistor Production. Electronic Industries 17 (1959) H.10, 90–92.

    Google Scholar 

  48. Telefunken: Transistormeßgerät „Teletrans I“. Funktechnik 12 (1957) 630 u. 631.

    Google Scholar 

  49. Havlik, L.: Nektere metody mereni vf tranzistoru. Sedl, techn. 6 (1958) 424–426.

    Google Scholar 

  50. O’Connel, J.H.; Scott, T. M.: Measurement of Transistor Characteristics in the 3–250 Mc/s Frequency Range. RCA Rev. 14 (1958) 598–616.

    Google Scholar 

  51. Terman, L.: High Frequency alpha Cut-off Jig. Trans. IRE. ED-6 (1959) 242.

    Google Scholar 

  52. Thuy, H.J.: Die Messung der Transistorkennwerte. Nachrichtentechnischer Fachbericht Bd.18, 73–76.

    Google Scholar 

  53. Vasseur, J.P.: Messung der HF-Parameter von Transistoren. Nachrichtentechnischer Fachbericht Bd. 5, 45 u. 46.

    Google Scholar 

  54. Boothroyd, A. R.; Das, M.B.: Determination of Physical Parameters of Diffusion and Drift Transistors. Trans. IRE. ED–8 (1961) 15–30.

    Google Scholar 

  55. Julakov, V.: Fazometriceskij metod izmerenija kompleksnych h parametrov tranzistorov. Elektrosvjaz (1964) H.4, 68–74.

    Google Scholar 

  56. Paul, R.: Zur Messung der Elemente der Transistorersatzschaltung. NT 10 (1960) 56–61.

    Google Scholar 

  57. Deb, S.; Daw, A.N.: Determination of Physical Parameters and Geometry of a Junction Transistor. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr.17. 1033–1037.

    Google Scholar 

  58. Harden, B.N.: Transistor Current Gain at UHF. Electronic Techn. 38 (1961) 312–316.

    Google Scholar 

  59. Pritchard, R.L.: Measurement Conditions in High Frequency Power Gain of Junction Transistors. Proc. IRE. 44 (1965) 1050 u. 1051.

    Google Scholar 

  60. Langer, H.: Messung der dynamischen Kenndaten von Transistoren mkHilfe der Scheinleitwertmeßbrücke SWM 3. Radio und fernsehen 13 (1964) 169–171.

    Google Scholar 

  61. Telefunken: Die Vierpolkenngrößen des HF-Transistors OC 615 für den Frequenzbereich von 30 ... 135 MHz. Röhrenmitteilung für die Industrie Nr.590147.

    Google Scholar 

  62. Basset, H. G.: An Apparatus for the Measurement of Current Gain in the Range 1–300 Mc,/s. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr.16. 532–535.

    Google Scholar 

  63. Thurston, W.R.: A Direct-Reading Impedance Measuring Instrument for the UHF-Range. Gen. Radio EXp. 24 (1950) H.5, 1–7.

    Google Scholar 

  64. Thurston, W.R.; Soderman, R.A.: A Transfer-Function Meter for the VHF-UHF Range. Gen. Radio Exp. 32 (1958) H.3, 3–16.

    Google Scholar 

  65. Gen. Radio Exp. Reprint Nr. E-107 (109) Nov. 1961.

    Google Scholar 

  66. Eichacker, R.: Über zwei Diagramm-Meßverfahren zur Bestimmung der Kennwerte von Netzwerken bei sehr hohen Freauenzen. FTZ 5 (1952) 487–496.

    Google Scholar 

  67. Eichacker, R.: Der ZG-Diagraph. Rohde & Schwarz Mitt. (1952) H.2, 75–82. .

    Google Scholar 

  68. Ponomarev, M.F.: O vlijanii emkosti mezdu vyvodami transistora i emkosti montaža na parametr obratnojperedaču naprja 11 2eniia. Radiotechnika 19 (1964) .4 63–67.

    Google Scholar 

  69. Thomas, D.E.; Klein, J.M.: Automatic Transistor alpha Measuring Set. Rev. Sci. Instr. 30 (1959) 458–462.

    Google Scholar 

  70. Widl, H.: Ein Kurvenschreiber für Transistorparameter. ATM Nr . 266 (1958) R. 29–33.

    Google Scholar 

  71. Hyde, F.J.: Radio Frequency Measurements on Transistors. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr.17, 942–944.

    Google Scholar 

  72. Gerätebeschreibung Transistorprüfgerät 1014. VEB Funkwerk Erfurt.

    Google Scholar 

  73. Kevin, R.: Measurement of Transistor Admittance Parameters. Electronics 16 (1960) H.12, 84–87.

    Google Scholar 

  74. Richter, J.: Eine Anordnung zur Messung von HF-Transistoren im Frequenzbereich 30 bis 3000 MHz mit Hilfe der ZG-Diagraphen ZDU und ZDD. Rohde & Schwarz Mitt. 15 (1961) H.4, 11–14.

    Google Scholar 

  75. Depey, M.: Transistor measurements at high frequencies. Colloque International sur les dispositifs à semiconducteurs, Paris 1961 Febr. 20.24, Vol. 1, 542–555.

    Google Scholar 

  76. Rogal, B.: Application of three Terminal Bridge Techniques to the Measurement of Dynamic Parameters of Semiconductors. Instruments and measurements Conf. Stockholm 5.-10.9. 1960.

    Google Scholar 

  77. Das, M.B.: On the Determination of the Extrinsic Equivalent Circuit Parameter of Drift Transistors. Journ. El. Contr. 9 (1960) 351–363.

    Google Scholar 

  78. Nishizawa, J.; Watanabe, Y.: Measurements of Transistor Parameters Using Miller Effect. Journ. Inst. El. Commun. Engng. (Jap.) 44 (1961) 1077–1084.

    Google Scholar 

  79. Smith, R. W.; Hyde, F.J.: Equipment Used for the Measurement of Transistor Complex Current Gain at Frequencies up to 210 Mc/s. Radio and Electronic Engng. 31 (1959) Nr.36, 249–253.

    Google Scholar 

  80. Coffey, W. N.: Measuring r. f. Parameters of Junction Transistors. Electronics 29 (1956) H.2, 152–155.

    Google Scholar 

  81. Luke F Z.: Můstek pro méfeni parametrů y a h tranzistorůl rozsahn 1 až 30 MHz. Slab. Obz. 23 (1962) 519–523.

    Google Scholar 

  82. Paul, R.: Zur Messung der Transistorvierpolparameter. NT 11 (1961) 8–12.

    Google Scholar 

  83. Boothroyd, A. R.: Determination of Physical and High Frequency Equivalent Circuit Parameters of Transistors. Scientia electrica 7 (1961) H.2, 3–18.

    Google Scholar 

  84. Falter, M.: Internationaler Stand der Standardisierung von Halbleiterbauelementen. NT 11 (1961) 50–55.

    Google Scholar 

  85. Yares, G. G.: A Simple Transistor Tester. Electronic Enang. 31 (1959) 602 u. 603.

    Google Scholar 

  86. Coffey, W.N.: Sweeper Determines Power Gain Parameter. Electronics 30 (1957) 201–203.

    Google Scholar 

  87. Kamenzkij, J. A.: Metody izmerenija parametrov tranzistorov na vysokich častotach. Poluprovodnikovye pribori i ich primenenije. Moskau (1960) 101–127.

    Google Scholar 

  88. Harden, B. N.; Smith, R. W.: Transistor Measurements. Electronic Techn. 38 (1961) H.2, 58–62.

    Google Scholar 

  89. Eermak, J.: Měř<sup>-</sup>eni tranzistoru nouzovýými prostkedky. Šdel. techn. (1959) H.2, 45–47.

    Google Scholar 

  90. Hilbourne, R. A.: The Measurement and Display of the Current Gain lal of a Transistor as a Function of Emitter Current. J. Sci. Instr. 32 (1955) 83–85.

    Google Scholar 

  91. Sylvan, T.P.: An alpha Plotter for Point Contact Transistors. Electrical Engng. 73 (1954) 1094–1098.

    Google Scholar 

  92. Zuleeg, R.; Lindmayer, J.: Sweep Equipment Displays Transistor beta. Electronics 14 (1958) H.12, 100 u. 101.

    Google Scholar 

  93. Evans, D. M.: Measurements on Alloy-type Germanium Transistors and their Relation to Theory. Journ. El. Contr. 7 (1959) 534–539.

    Google Scholar 

  94. Schramm, K.: Bestimmung der Grenzfrequenz von HF-Transistoren mit dem Polyskop SWOB und dem Selektomat. Rohde & Schwarz Mitt. 16 (1961) 67–70.

    Google Scholar 

  95. Vojtéch, V.: Zařizeni pro méřeni mezniho kmito&u tranzistorůi y rozsahu 0,5 až 180 MHz. techn. 8 (1960) H.8. 288.

    Google Scholar 

  96. Zuleeg, R.; Lindmayer, J.: Determination Transistor High Frequency Limits. Electronics 32 (1959) H.8. 30u. 31.

    Google Scholar 

  97. Havlik, L.: Stay měřici techniky tranzistorů ve svete. Slab. Obz. 21 (1960) 89–96.

    Google Scholar 

  98. Franke, O.: Die Bestimmung der Transistorparameter bei sehr hohen Frequenzen. Wiss. Z. Hochsch. f. Elektrotechnik Ilmenau 8 (1962) H.2, 135–146.

    MathSciNet  Google Scholar 

  99. Paul, R.: Vierpolmessungen an Transistoren. Diplomarbeit TH Dresden, Inst f. Allgem. Elektrotechnik 1957.

    Google Scholar 

  100. Paul, R.: Transistorvierpolparametermeßgerät. NT 14 (1964) U 52 u. U 53.

    Google Scholar 

  101. Baldinger, E.; Czaja, W.; Nicolet, M.: Der Einfluß nichtidealer Emitterüübergänge auf das Verhalten von Flächentransistoren. Helv. phys. acta XXIX (1956) 428–430. 22 Paul, Transistormeßtechnik

    Google Scholar 

  102. Bioni, F.J.: Transistor Technology Bd. 1. Princeton 1958, 515–517.

    Google Scholar 

  103. Telefunken: Laborbuch Bd.1. München: Francis Verlag, 1963.

    Google Scholar 

  104. Chapiel, M.J.: Dispositifs de controle automatique de gain des amplificateurs a transistors. Colloque International sur les dispositifs a semiconducteurs. Paris 1091, Feb. 2.–24. Vol. 2, 247–257.

    Google Scholar 

  105. Cripps, L. G.: Transistor High Frequency Parameter . Electron and Radio Engng. 36 (1959) 341–346.

    Google Scholar 

  106. Brown, J. S.: Some Useful Techniques for Transistor Power Gain Measurement. Proc. NEC. (1958) 403–408.

    Google Scholar 

  107. Kronlage, B.: Characteristics and Applications of 2 N 1405 Series Diffused Base Mesa Transistors. Texas Instr. Appl. Rep. Jan. 1961.

    Google Scholar 

  108. Abraham, R.P.; Kirkpatrick, R.J.: Transistor Characterization at VHF. Sem. Prod. 2 (1959) H.1, 15–22.

    Google Scholar 

  109. Diffused Base Mesa Transistors 2N1141, 2N1142, 2N1143. Texas Instr. App!. Rep. June 1960.

    Google Scholar 

  110. Gossik, B. R.: Transient Behavior of Rectifiers. Journ. app!. Phys. 26 (1955) 1326.

    Google Scholar 

  111. Lederhandler, S. R.; Giacoletto, L.J.: Measurement of Minority Carrier Lifetime and Surface Effects in Junction Diodes. Proc. IRE. 43 (1955) 477.

    Google Scholar 

  112. Thuy, H.J.: Emitterkapazität und ßß = 1-Frequenz bei Transistoren. Radio Mentor 27 (1961) H.5, 388–390.

    Google Scholar 

  113. Vojtašek, S.: Vf parametry tranzistorů. Slab. Obz. 19 (1958) 281–292.

    Google Scholar 

  114. Telefunken: Einfache Meßverfahren zur Bestimmung der hochfrequenten Vierpolparameter von Transistoren. Röhrenmitteilung für die Industrie 600659.

    Google Scholar 

  115. Lindmayer, J.; Wrigley, C.: Alpha Cut off Frequency of Junction Transistors. Solid State Electronics 2 (1961) 247–258.

    Google Scholar 

  116. Franco, H.: Measurement of Transistor High Frequency Current Gain. Trans. IEEE. ED-/0 (1963) 343–351.

    Google Scholar 

  117. Lowry, G. M.: Testing Transistors for the Electronic Central Office. Bell Lab. Rec. 39 (1961) H.5, 177–179.

    Google Scholar 

  118. Pfefferkorn, D.: Frequenzumsetzer für Phasen- und Dämpfungsmessungen im Bereich 0,2 bis 300 MHz. Radio Mentor 28 (1962) 1021–1026.

    Google Scholar 

  119. Das, M.B.; Boothroyd, A. R.: Minority Carrier-Lifetime in the Base Region of Transistors. Journ. El. Contr. 7 (1959) 534–539.

    Google Scholar 

  120. Sparkes, J.J.: The Effect of Carrier Storage in the Emitter on Transistor Input Admittance. Proc. IEE. 106 (B) (1959) Suppl. Nr.17, 1102–1107.

    Google Scholar 

  121. Rohde, L.; Opitz, G.: Leitwertmessung mittels Gleichrichtung. Z. f. HF u. El. Ak. 54 (1939) 116–121.

    Google Scholar 

  122. Schneider, B.: Über einige spezielle Probleme beim Rauschen von Halbleiterdioden und Transistoren. Promotionsarbeit ETH Zürich Nr.2985, Juris Verlag 1960.

    Google Scholar 

  123. Schneider, B.; Strutt, M.J. O.: Über die Kennlinien und das Rauschen von Silizium-pnDioden und prip-Silizium-Transistoren. AEÜ; 12 (1958) 429–440.

    Google Scholar 

  124. Kurz, B.: Rauschuntersuchungen an Si-Transistoren. Bull. SEV 52 (1961) 369–377.

    Google Scholar 

  125. Carroll, J. M.: What’s New in Semiconductors. Electronics 29 (1961) H.9, 89–120.

    Google Scholar 

  126. McCotter, J. D.; Walker, M. J. ; Fortini, MM.: A Coaxially Packaged MADT for Microwave Application. Trans. IRE. ED–8 (1961) 8–12.

    Google Scholar 

  127. Saari, V. R.; Kirkpatrick, R.J.; Bittmann, C. A.; Davis, R.E.: Circuit Applications of a Coaxial-encapsulated Microwave Transistor. Int. Sol. State Conf. 10.2.1960, 64 u. 65.

    Google Scholar 

  128. Meinke, H.; Gundlach, F. W.: Taschenbuch der Hochfrequenztechnik. 2. Aufl. Berlin : SpringerVerlag 1962.

    Google Scholar 

  129. Meinke, H.: Kurven, Formeln und Daten der Dezimeterwellentechnik. Manuskript TH München. Abschn. D VIII.

    Google Scholar 

  130. Leed, D.; Kummer, O.: A Loss and Phase Set for Measuring Transistor Parameters and two Port Networks Between 5 and 250 Mc/s. BSTJ. XL (1961) 841–884.

    Google Scholar 

  131. Megla, G.: Dezimeterwellentechnik. BerlIn: VEB Verlag Technik 1961.

    Google Scholar 

  132. Tischer, F. J.: Mikrowellen-Meßtechnik. Berlin : Soringer-Verlag 1958.

    Google Scholar 

  133. Bühn, U.; Franke, O.: Der Doppelschleifenkomparator. NT b4(1964) 294–297.

    Google Scholar 

  134. Franke, O.: Einige Möglichkeiten zur Genauigkeitserhöhung bei der Messung kleiner Leitwerte mit dem koaxialen Komparator nach Thurston. NT 14 (1964) 290–294.

    Google Scholar 

  135. Hyde, F.J.; Smith, R. W.: An Investigation of the Current Gain of Transistors at Frequencies up to 105 Mc/s. Proc. IEE. nt (B) (1958) 221–228.

    Google Scholar 

  136. Parnow, K.: Differentialmeßbr&#x016Fücke für Transistoren bei hohen Frequenzen in Koaxialtechnik. NT 12 (1962) 460–463.

    Google Scholar 

  137. Blaha, E.: Koaxiale Meßmethoden der y- und h-Parameter von HF-Transistoren. NT 14 (1964) 264–270.

    Google Scholar 

  138. Abraham, R.P.; Kirkpatrick, R.J.: Transistor Characterization at VHF. Bell Tel. Lab. 1959.

    Google Scholar 

  139. Franke, O.: Der Matrix-Komparator — ein neuartiges Koaxial-Vierpolmeßgerät. NT 14 (1964) 469 u. 470.

    Google Scholar 

  140. Lemke, K.P.: Signal-Ersatzschaltung eines UHF-Transistors mit Basis-Querfeld. AEÜ; 18 (1964) 509–518.

    Google Scholar 

  141. Measurements on Power Transistors with the Transfer Function Bridge. Gen. Radio Exp. 38 (1964) Feb. 7.

    Google Scholar 

  142. Havlik, L.: Objimky na transistory. Sdel. techn. 12 (1962) 447–450.

    Google Scholar 

  143. Coblenz, A.; Owens, H.L.: Variation of Transistor Parameters with Temperature. Proc. IRE 40 (1952) 1472.

    Google Scholar 

  144. Basset, H. G.: A Wide-Band Jig for the Measurement of the Current Gain of Transistors in the Frequency Range 20–1000 Wis. Proc. IEE. 110 (1963) 35–40.

    Google Scholar 

  145. Vojtašek, St.: Nepřime metody pro určem vektorů a a <sub>ß</sub> vysokofrekvenčnich tranzistorů. Slab. Obz. 24 (1964) 601–604.

    Google Scholar 

  146. Bühn, U.; Pusch, D.: Eine Anordnung zur Messung der Vierpolparameter passiver und aktiver Vierpole im VHF- und UHF-Gebiet Wiss. Z. Hochsch. f. E-Techn. Ilmenau 9 (1963) 165–182.

    Google Scholar 

  147. Bühn, U.: Die Bestimmung hochohmiger Vierpolkoeffizienten im Höchstfrequenzgebiet mit Hilfe der komnlexen Knotenbreite. NT 14 (1964) 338–340

    Google Scholar 

  148. Havlik, L.; Jelinek, F.: Mefié kmitočtu f<sub>i</sub> a h21e tranzistorů. Slab. Obz. 24 (1963) 534 bis 540.

    Google Scholar 

  149. Havlik, L.: Problem měř<sup>-</sup>eni mezniho kmitočtu tranzistorůi. Šdel. techn. 5 (1963) 167–172.

    Google Scholar 

  150. Bomhardt, K.; Hartrumpf, R.: Ein Verfahren zur Messung von Leistungsverstärkung, Rauschzahl und Eingangsleitwert aktiver Vierpole besonders bei hohen Frequenzen. Frequenz 17 (1963) Sonderausgabe (H.13), 553–558.

    Google Scholar 

  151. Veit, I.: Der Basisbahnwiderstand und die Kollektorkapazität beim HF-Transistor und deren Messung. Funkschau (1963) 303–305, 371–373.

    Google Scholar 

  152. Bodlay, V.; Doller, L.: Ersatzschaltungen für den in Emitterschaltung betriebenen MesaTransictor NT7 M (1Q 2005–21 d

    Google Scholar 

  153. Bénéteau, P. J. ; Siegel, M.: A Simple Method of Measuring HF and VHF Transistor Current Gain. SGS BIT 13 (Oct. 1962)

    Google Scholar 

  154. Bénéteau, P.J.: Simple Jigs for Measurement of Low Frequency Small Signal Parameters. SGS BAS 30 (Oct. 1962).

    Google Scholar 

  155. Ledig, G.: Der Transistor und seine komplexen Kenngrößen im Frequenzgebiet von 0 .. 2 MHz. Frequenz 12 (1958) 137–148. 178–190.

    Google Scholar 

  156. Faßßbender, G.: Messungen in der Produktion von Halbleiterbauelementen. NT 13 (1963) 16–22.

    Google Scholar 

  157. Tilgner, H.: Entwurf und Aufbau eines Transistor-Meß3- und Sortierautomaten. NT 13 (1963) 23–28.

    Google Scholar 

  158. Sparkes, J.J.: Meßkreise, die in einem automatischen Transistortester verwendet werden. Journ. Brit. IRE. (1962) 479–488.

    Google Scholar 

  159. MacWhorter, M.: A Power Supply for Transistor Measurements. Sem. Prod. 5 (1962) H.4, 34 u. 35.

    Google Scholar 

  160. Millis, E.: A Semi-automatic Transistor Testing Machine. IRE. Nat. Conc. Rec. 7 (1956) H. 6. 19–74.

    Google Scholar 

  161. Gueme, M.; Caille, L.: Dispositif automatique pour la measure des transistors. L’Onde Electr. 40 (1960) 772–781.

    Google Scholar 

  162. Morcerf, F.J..; Roehm, L. F.: Automatic Transistor Classifier. IRE. Nat. Cony. Rec. 6 (1958) H.6, 3–11.

    Google Scholar 

  163. Embree, M.L.; Williams, D. E.: An Automatic Card Punching Transistor Test Set. Proc. Electron. Compl. Symp. (1956) H.5, 125–130.

    Google Scholar 

  164. Hyde, F.J.: An Investigation of the Current Gain of a Drift Transistor at Frequencies up to 105 Mc/s. Proc. IEE. 106 (B) (1959) 357–404.

    Google Scholar 

  165. Deb, S.; Daw, A. N.: On the Lifetime and Diffusion Constant of the Injected Carriers and the Emitter Efficiency of a Junction Transistor. Journ. El. Contr. 5 (1958) 514.

    Google Scholar 

  166. Schmuntzsch, W.: Ein Verfahren zur Bestimmung der Volumenlebensdauer von Minoritätsladungsträgern in Dioden und Transistoren. IHT-Mitt. 2 (1963) H.2, 22–24.

    Google Scholar 

  167. Blaser, L.: Measurement of 1 kc Small Signal Common Emitter Hybrid Parameters. SGS BIT 15 (Sept. 1961).

    Google Scholar 

  168. Price, T. E.: Measuring Transistor Time Constant. Ind. Electronics 40 (1963) 270–272.

    Google Scholar 

  169. Mai, H.: Stromabhängigkeit des Rückwirkungsleitwertes y12 von HF-Transistoren in Emitter- und Basisschaltung. El. Rundsch. 17 (1963) 287 u. 288.

    Google Scholar 

  170. Keller, H.: Direkt anzeigendes ßß-Meßgerät für Transistoren. Intermetall Sonderdruck.

    Google Scholar 

  171. Price, T. E.; Hyde, F. J.: Base Resistance and Collector Capacitance of Alloy Type Transistors. Proc. IEE. 109 (B) (1962) 115–123.

    Google Scholar 

  172. Meyer, N.J.; Guldbrandson, T.: Method for Measuring Impurity Distribution in Semiconductor Crystals. Proc. IEEE. 51 (1963) 1631–1637.

    Google Scholar 

  173. Boothroyd, A. R.; Trofimenkoff, F. N.: Determination of the Physical Parameters of Transistors of Single and Double Diffused Structure. Trans IEEE ED-/3 (1963) 149–161.

    Google Scholar 

  174. Boothroyd, A. R.: Determination of Physical Parameters of Drift-Transistors Having a Diffused Collector Junction. Electron. Res. Lab., University of California, Berkeley, Inst. of Engrng. Res. Series Nr. 60, Issue Nr.391, Aug. 1961.

    Google Scholar 

  175. Hyde, F.J.; Roberts, H.J.: Minority Carrier Lifetime in the Base Region of Transistors. Journ. El. Contr. 11 (1961) 35–45.

    Google Scholar 

  176. Biljion, L. van: Transistor Base Resistance. Electronic Techn. 39 (1962) 108–115.

    Google Scholar 

  177. Borel, J.: Schema equivalent du transistor allie resistance de base et tension de bruit ramenee l’entrée du transistor. Sol. State El. 8 (1965) 31–40.

    Google Scholar 

  178. Nicolet, M. A.: Über die Gültigkeitsgrenzen und die modellmäßige Begründung des Ersatzschemas von Flächentransistoren. Helv. phys. acta. 32 (1959) 58–77.

    Google Scholar 

  179. Drouilhet, P. R.: Predictions Based on the Maximum Oscillator Frequency of Transistors. Trans. IRE. CT–2 (1955) 178–183.

    Google Scholar 

  180. Das, M. B.; Boothroyd, A. R.: On the Frequency Dependence of the Magnitude of Common Emitter Current Gain of Graded Base Transistors. Proc. IRE. 48 (1960) 240 u. 241.

    Google Scholar 

  181. Lindmayer, J.: Determination Transistor High Frequency Limits. Electronics 32 (1959) H.34, 31–33.

    Google Scholar 

  182. Telefunken: Betriebsanleitung Transistorvierpolparametermeßgerät „Teletrans II„.

    Google Scholar 

  183. VEB Funkwerk Erfurt: Betriebsanleitung Transistorvierpolparametermeßgerät Typ 1029.

    Google Scholar 

  184. Hollmann, E.: Transistoren und Elektronenröhren. El. Riundsch. 9 (1955) 181–188, 277–282, 325–328.

    Google Scholar 

  185. Bomhardt, K.; Lackner, P.: Neutralisierung von Transistorstufen im Dezimeterwellengebiet. El. Rundsch. 18 (1964) 671–676.

    Google Scholar 

  186. Nichizawa, J.: High Frequency Base Resistance, Emitter Cut-off and Maximum Power in the Junction Type Transistor. Journ. Inst. El. Comm. Engng. (Jap.) 44 (1961) 767–776.

    Google Scholar 

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  1. Reinhold Paul
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Paul, R. (1966). Messung Dynamischer Kennwerte. In: Transistormeßtechnik. Vieweg+Teubner Verlag, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-663-02740-9_5

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