pn-Übergang

Zusammenfassung

Grundbestandteile des Transistors sind zwei dicht benachbarte Übergänge von Halbleiterzonen unterschiedlichen Leitungstyps, sog. pn-Übergänge (pn-junctions) [2.4] [2.14] [2.16] [2.75]. Zum besseren Verständnis der physikalisch-elektrischen Merkmale soll zunächst ein pn-Übergang für sich betrachtet werden, weil seine wesentlichen Eigenschaften in denen des Transistors größtenteils wiederkehren. Unter dem pn-Übergang soll ein amphoterer Halbleiter verstanden werden, in dem zwei Bereiche unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps (p- und n-Leitung) aneinander grenzen, wie im Bild 3.1 modellmäßig dargestellt. An eine Anschlußfläche A schließt sich beispielsweise ein Stück p-leitendes Germanium an, zum Anschluß B hin sei das Material n-leitend. Der Materialquerschnitt sei konstant und so groß, daß Oberflächeneinflüsse gegenüber solchen des Volumens zurücktreten. Zwischen n- und p-Gebiet befindet sich eine Übergangszone (junction), die Sperrschicht (transition-region) — mit zunächst nicht näher zu definierender Begrenzung —, in der ein Wechsel des Leitungstyps erfolgt. Die mit diesem Leitungstypwechsel verbundenen Erscheinungen in der Übergangszone und in den angrenzenden Gebieten sind es letztlich,die die Funktion des Übergangs sicherstellen und die Strom- und Spannungsbeziehung zwischen den Begrenzungsflächen A und B bestimmen.