Zusammenfassung
Die hier mitgeteilten Überführungsmessungen zeigen, daß bei Zimmertemperatur in den reinen Silberbromidkristallen innerhalb der Meßgenauigkeit (±4%) die elektrische Dunkelleitfähigkeit ausschließlich durch die Eigenfehlstellen im Silberionen-Teilgitter (Zwischengittersilberionen [Ag +0 ] und Silberionenlücken [Ag −□ ]) getragen wird. Elektronische Dunkelleitfähigkeitsanteile und Anteile, welche durch Fehlstellen im Anionenteilgitter hervorgerufen werden, müssen bei Zimmertemperatur so klein sein, daß sie durch Überführungsmessungen nicht mehr quantitativ erfaßt werden können; andere Meßmethoden sind erforderlich [1,2], um diese kleinen Leitfähigkeitsanteile zu bestimmen.
Außerdem wird berichtet über die elektrische Leitfähigkeit von dünnen Silberbromidkristallen in Abhängigkeit von der Ag+-Konzentration einer wäßrigen Lösung, welche mit den Kristallen in Kontakt steht. Durch diese Versuche wird ein bereits früher vermutetes Verteilungsgleichgewicht [3, 4] zwischen den fehlgeordneten Silberionen (Ag +0 ) im Kristall und den in der Lösungsphase gelösten Silberionen (Ag+) nachgewiesen und untersucht.
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Matejec, R. (1961). Überführungs- und Leitfähigkeitsmessungen an Halogensilber-Einkristallen in einer Elektrolysezelle. In: Mitteilungen aus den Forschungslaboratorien der Agfa Leverkusen-München. Mitteilungen aus den Forschungslaboratorien der Agfa-Gevaert AG, Leverkusen-München, vol 3. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-22172-3_4
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