Zusammenfassung
Bei elektr. Entladungen zwischen Bi-Elektroden bei 700 bis 800 V in He von 0.4 bis 1.2 Torr entsteht eine feste Subst.; 1 mg der festen Abscheidung an der Kathode enthält neben Bi 7 mm3 Helium. Durch Spuren von H wird die Abscheidung verhindert, ebenso durch erhöhten He-Druck oder höhere Elektrodenspannung, H. Damianovich, C. Christen (Rev. brasil. Quim. 6 [1938] 72/3). Vgl. hierzu auch die älteren, etwas abweichenden Angaben bei H. Damianovich (An. Inst. Investig. cient. tecnol. 3/4 [1932/33] 20/2). Das Abscheidungsprod. ist relativ stabil, bildet kein Amalgam und seine Eigg. unterscheiden sich von denen seiner Bestandteile, H. Damianovich, C. Christen (An. Inst. Investig. cient. tecnol. 7 [1937] 39/42). Zusammenfassender Bericht über diese Unterss. bei Schneider. (Z. kompr. fl. Gase 34 [1939] 77/9). Bldg. einer dem BiH3 ähnlichen Verb. wirdbei der Einw. von ortho-He auf 214Bi angenommen. Das Reaktionsrohr mit RaB und RaC wird von He bei 0.5 bis 1 Torr durchströmt und dieses gleichzeitig durch eine elektrodenlose Entladung angeregt. Das Gas strömt durch ein mit Glaswolle gefülltes U-Rohr in einen Kolben mit Leuchtschirm. Aus der Zahl der Szintillationen wird auf die Ausbeute geschlossen. Sie ist geringer als bei analogen Verss. mit H2, während mit O2 oder N2 keine Szintillation auftritt. Auch bei Verss. mit H2 oder He ohne Entladung ist die Szintillations-zahl minimal. Die Rk. soll durch die H-ähnliche Elektronenkonfiguration von ortho-He möglich sein, D. M. Morrison (Nature 120 [1927] 224; Proc. Cambridge phil. Soc. 24 [1928] 268/75).
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Überblick. Bi2Te3 ist bei genau stöchiometr. Zus. unabhängig von der Temp. ein Störstellenhalbleiter, in dem Löcher (Defektelektronen) als Ladungsträger wirken. Dabei bezieht sich das Merkmal „stöchiometrisch“ auf die aus den Komponenten hergestellte Schmelze. Beim Erstarren verflüchtigt sich das Te anscheinend teilweise, so daß im Kristall ein Bi-Überschuß besteht; vgl. S. 777. Wäre die Zus. auch im krist. Zustand genau stöchiometrisch, so wäre reines Bi2Te3 ein Eigenhalbleiter.
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Lippert, W. et al. (1964). Die Verbindungen des Wismuts. In: Lippert, W., et al. Wismut. Bi. Wismut. Bismuth (System-Nr. 19), vol B-i / 0. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-662-11248-9_4
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