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Metallisierung

  • G. Schumicki
  • P. Seegebrecht
Part of the Mikroelektronik book series (MIKROELEKTRONIK)

Zusammenfassung

Diskrete Halbleiter und integrierte Schaltungen sind über die Kontaktstifte ihrer Gehäuse mit dem elektronischen System, in das sie integriert sind, verbunden. Die Verbindung zwischen dem Chip und den Kontaktstiften des Gehäuses wird durch Gold- oder Al-Drähte von etwa 20 bis 50 pm Durchmesser hergestellt. Diese Kontaktdrähte werden durch Thermokompressions- oder/und Ultraschallbonden mit Kontaktflecken auf dem Chip und den Kontaktstiften verschweißt. Die Kontaktflächen auf dem Chip, die sogenannten „Bond-pads“, sind die Endpunkte des elektrischen Leitungssystems, welches in der VLSI-Technologie bei einer integrierten Schaltung bis zu einigen 100.000 Einzelkomponenten miteinander verbindet. Für dieses Verdrahtungssystem bestehen die folgenden Anforderungen:
  1. 1.

    Kontaktierbarkeit mit den oben genannten Verfahren;

     
  2. 2.

    gute Haftung auf den in der Siliziumtechnologie eingesetzten Materialien (SiG 2, Si 3 N 4)

     
  3. 3.

    gute Strukturierbarkeit mit den üblichen Verfahren der Siliziumtechnologie;

     
  4. 4.

    niedriger Widerstand der Leiterbahnen;

     
  5. 5.

    ohmscher Kontakt zu p+- und n+-dotierten mono- bzw. polykristallinen Siliziumbereichen;

     
  6. 6.

    vernachlässigende Auswirkung des Metallelementes auf die elektrischen Eigenschaften der Bauelemente (Generations-, Rekombinationszentren);

     
  7. 7.

    Korrosionsbeständigkeit und Unempfindlichkeit gegenüber der Elektromigration.

     

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Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1991

Authors and Affiliations

  • G. Schumicki
  • P. Seegebrecht

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