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Materialtechnologie

  • T. Evelbauer
  • P. Seegebrecht
Part of the Mikroelektronik book series (MIKROELEKTRONIK)

Zusammenfassung

Silizium (Si), das nach Sauerstoff zweithäufigste Element, ist in der elektronischen Industrie zu einem unverzichtbaren Ausgangsmaterial für die Herstellung hochintegrierter Schaltkreise geworden und wird dies für die absehbare Zukunft auch bleiben. Mehrere Faktoren bestimmen diese unter allen anderen halbleitenden Materialien herausragende Stellung des Siliziums Neben der Häufigkeit sind dies vor allem seine Bandlücke von 1,1 eV, die Bauelemente mit hoher pn-Durchbruchfeldstärke und geringem Leckstrom erlaubt, sowie sein relativ einfach herstellbares und chemisch sehr stabiles Oxid. Damit hat Silizium das in der Anfangszeit der Halbleiterelektronik weitgehend verwendete Germanium nahezu völlig verdrängt und behauptet seine Stellung auch gegenüber neueren Materialien wie z.B. Galliumarsenid, das für integrierte Schaltkreise schon in beschränktem Maße eingesetzt wird. Die Herstellung von einkristallinen Siliziumscheiben (Wafer) erfordert einen sehr komplexen Prozeß: Aus dem Rohmaterial in Form von Quarzsand wird zunächst Rohsilizium (metallurgical grade silicon, MGS) gewonnen. Dieses wird in mehreren Stufen in Reinstsilizium (electronic grade silicon, EGS) überführt, das als Ausgangsmaterial für die Herstellung von Einkristallen nach dem Tiegelziehverfahren (Czochralski, CZ) oder Zonenziehverfahren (floatzone, FZ) dient. Das Sägen der stabförmigen Einkristalle in Scheiben mit anschließender Oberflächenpolitur beendet den Herstellungsprozeß.

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Copyright information

© Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1991

Authors and Affiliations

  • T. Evelbauer
  • P. Seegebrecht

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