Aufbau von Differenz- und Operationsverstärkern

Zusammenfassung

Man muß davon ausgehen, daß Transistoren eine beträchtliche Ternperaturdrift besitzen. Bei bipolaren Transistoren beträgt die BasisEmitter-Spannungsdrift-2 bis -3 mV/grd. Bei Fets liegt sie in der gleichen Gröenordnung, wenn man nicht gerade bei dem Drainstrom arbeitet, bei dem der Temperaturkoeffizient Null ist. Solange es nur darum geht, Wechselspannungen zu verstärken, kann man die Gleichspannungsverstärkung klein halten, wie wir es bei den Niederfrequenzverstärkern im vorhergehenden Kapitel getan haben. Will man jedoch Gleichspannungen verstärken, muß die Driftspannung im in Frage kommenden Temperaturbereich klein gegenüber der Signalspannung sein. Da sich die Drift eines Transistors praktisch nicht beeinflussen läßt, kann man sich dadurch helfen, daß man einen Differenzverstärker verwendet, der lediglich die Differenz zweier Eingangsspannungen verstärkt. Dann wirkt sich nur noch die Driftdifferenz zweier Transistoren auf den Ausgang aus. Wegen der niedrigen Drift setzt man den Differenzverstärker auch dann ein, wenn man keine Spannungsdifferenz, sondern nur eine Eingangsspannung verstärken will. In diesem Fall legt man einen der beiden Eingänge auf Nullpotential.