Zusammenfassung
Beschrieben wird die Extraktion der Modellparameter von N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET aus dem CMOS-Array CA 3600. Einige Parameter wie die Schwellspannung oder die Steilheit lassen sich aus der Übertragungskennlinie gewinnen. Dabei wird der auch der Einfluss der Bulk-Elektrode erfasst. Die Bulk-Drain- und Bulk-Source-Kapazitäten werden über die Frequenzabhängigkeit der maximalen stabilen Leistungsverstärkung ermittelt.
This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.
Access this chapter
Tax calculation will be finalised at checkout
Purchases are for personal use only
Literatur
CADENCE: OrCADPSPICE Demo-Versionen 9.2 bis 16.5
Hoefer, E.: Nielinger, H.:SPICe. Analyseprogramm. Springer- Verlag, (1985)
Sischka, F.: Notes on Modeling the Bipolartransistor, Hewlett-Packard, (1991)
Baumann, P., Möller, W.: Schaltungssimulation mit Design Center, Fachbuchverlag Leipzig, (1994)
Khakzar, H.: Entwurf und Simulation von Halbleiterschalungen mit PSPICE, expert-verlag (2006)
Laker, K. Sansen, W.:Design of Analog Integrated Circuits and Systems, MCGraw-Hill (1994)
Author information
Authors and Affiliations
Rights and permissions
Copyright information
© 2019 Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature
About this chapter
Cite this chapter
Baumann, P. (2019). MOS-Feldeffekttransistoren. In: Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-658-26574-8_4
Download citation
DOI: https://doi.org/10.1007/978-3-658-26574-8_4
Published:
Publisher Name: Springer Vieweg, Wiesbaden
Print ISBN: 978-3-658-26573-1
Online ISBN: 978-3-658-26574-8
eBook Packages: Computer Science and Engineering (German Language)