Skip to main content
SpringerLink
Log in

Depositionsverfahren

  • Chapter
  • First Online:
Silizium-Halbleitertechnologie

  • 6502 Accesses

Zusammenfassung

Die chemischen Abscheideverfahren dienen zur Oberflächenbeschichtung mit leitenden oder isolierenden amorphen oder kristallinen Schichten. Neben der Vakuumabscheidung mit Plasmaanregung wächst die Bedeutung der Atomlagendeposition. Als physikalische Verfahren werden die Kathodenstrahlzerstäubung, das Aufdampfen und die Molekularstrahlepitaxie vorgestellt.

This is a preview of subscription content, log in via an institution to check access.

Access this chapter

Log in via an institution
Chapter
USD 29.95
Price excludes VAT (USA)
  • Available as PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever
eBook
USD 29.99
Price excludes VAT (USA)
  • Available as EPUB and PDF
  • Read on any device
  • Instant download
  • Own it forever

Tax calculation will be finalised at checkout

Purchases are for personal use only

Institutional subscriptions

Literatur

  1. Ruge, I.: Halbleiter-Technologie. Reihe Halbleiter-Elektronik, Bd. 4. Springer, Berlin (1984)

    Google Scholar 

  2. Schumicki, G., Seegebrecht, P.: Prozeßtechnologie. Reihe Mikroelektronik. Springer, Berlin (1991)

    Google Scholar 

  3. Campbell, S.A.: The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication. Oxford University Press, New York (1996)

    Google Scholar 

  4. Harth, W.: Halbleitertechnologie. Teubner Studienskripten. Teubner, Stuttgart (1981)

    Book  Google Scholar 

  5. Peters, D., Fischer, K., Müller, J.: Integrated optics based on silicon oxynitride thin film deposited on silicon substrates for sensor applications. Sensors Actuators A. 26, 425–431 (1991)

    Article  Google Scholar 

  6. Bludau, W.: Lichtwellenleiter in Sensorik. und optischer Nachrichtentechnik. Springer, Berlin (1998)

    Book  Google Scholar 

  7. Vogt, H.: Mehrlagenmetallisierung für hochintegrierte mikroelektronische Schaltungen, Nr. 167, S. 20 ff. Fortschritt-Berichte VDI, Reihe 9: Elektronik, Düsseldorf (1993)

    Google Scholar 

  8. Doering, R., Nishi, Y.: Semiconductor Manufacturing Technology. CRC Press LLC, Boca Raton (2008)

    Google Scholar 

Download references

Author information

Authors and Affiliations

  1. Fakultät für Elektrotechnik, Informatik und Mathematik, Universität Paderborn, Paderborn, Deutschland

    Ulrich Hilleringmann

Authors
  1. Ulrich Hilleringmann
    View author publications

    You can also search for this author in PubMed Google Scholar

Rights and permissions

Reprints and permissions

Copyright information

© 2019 Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature

About this chapter

Check for updates. Verify currency and authenticity via CrossMark

Cite this chapter

Hilleringmann, U. (2019). Depositionsverfahren. In: Silizium-Halbleitertechnologie. Springer Vieweg, Wiesbaden. https://doi.org/10.1007/978-3-658-23444-7_7

Download citation

Publish with us

Policies and ethics

Search

Navigation