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Sensorik pp 114-134 | Cite as

Piezowiderstandseffekte

  • O. Jäntsch
Part of the Halbleiter-Elektronik book series (HALBLEITER, volume 17)

Zusammenfassung

Wirkt eine mechanische Spannung auf einen Kristall, so verschieben sich die Atome gegeneinander. Es ändern sich die Gitterkonstanten und auch die Struktur der Leitungs- und Valenzbänder. Haben die Kristalle polare Achsen, so tritt Piezoelektrizität auf, d.h. unter Druck entstehen Ladungen auf Elektroden, die mit den Kristallen verbunden sind. Der Piezoeffekt wirkt nur dynamisch, weil äußere Ladungen immer rasch gegenkompensiert werden. Er wird beschrieben im Kap. 6 dieses Buches. Sensoren, die ihn verwenden, sind rezeptive Sensoren.

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Literatur zu Kapitel 5

  1. 5.1
    Rohrbach, C.: Handbuch für elektrisches Messen mechanischer Größen. Düsseldorf: VDI-Verlag 1967.Google Scholar
  2. 5.2
    Keyes, R. W.: The effects of elastic deformation on the electrical conductivity of semiconductors. Solid State Physics. New York: Academic Press Vol. 11, 1960, p. 149.Google Scholar
  3. 5.3
    Zerbst, M.: Piezoeffekte in Halbleitern. Festkörperprobleme II, Braunschweig: Vieweg 1963, S. 188.Google Scholar
  4. 5.4
    Hock, F.: Der Piezo wider Standseffekt in Halbleitern und seine Anwendung für Kraft-und Dehnungsmessungen. Z. Instr. 73 (1965) 336.Google Scholar
  5. 5.5
    Heywang, W.; Pötzl, H. W.: Bänderstruktur und Stromtransport. Berlin: Springer 1976 (Halbleiter-Elektronik, Band 3).Google Scholar
  6. 5.6
    Wise, K. D.: Vorwort und Arbeiten im Heft No. 1. IEEE Trans. ED 29 (1982) 1.CrossRefGoogle Scholar
  7. 5.7
    Mason, W. P.; Thurston, R. N.: Use of piezoresistive materials in the measurement of displacement, force, and torque. J. Acoust. Soc. Am. 29 (1957) 1096.CrossRefGoogle Scholar
  8. 5.8
    Pfann, W. G.; Thurston, R. N.: Semiconducting stress transducers utilizing the transverse and shear piezo res i stance effects. J. Appl. Phys. 32 (1961) 2008.CrossRefGoogle Scholar
  9. 5.9
    Bretschi, J.: Integrierte Halbleitersysteme zur elektrischen Messung mechanischer Größen. IITB-Mitt. 1973–1974, S. 53.Google Scholar
  10. 5.10
    Müller, R.: Bauelemente der Halbleiter-Elektronik, 2. Aufl., Berlin: Springer 1973 (Halbleiter-Elektronik, Band 2).Google Scholar
  11. 5.11
    Potma, T.: Dehnungsmeßstreifen-Meßtechnik. Philips Fachbücher, Hamburg 1968.Google Scholar
  12. 5.12
    Erler, W.; Walther, L.: Elektrisches Messen nichtelektrischer Größen mit Halbleiter widerständen. Berlin: VEB Verlag Technik 1973.Google Scholar
  13. 5.13
    Bretschi, J.: Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen — Eine Übersicht, Teil I. ATM Blatt J 135–28, Lfg. 458 (März 1974) 57.Google Scholar
  14. 5.14
    Sanchez, J. C.; Wright, W. V.: Recent developments in flexible silicon strain gages. Semiconductor and conventional strain gages. New York: Academic Press 1962, p. 307.Google Scholar
  15. 5.15
    Mason, W. P.; Forst, J. J.; Tornillo, L. M.: Recent developments in semiconductor strain transducers. Semiconductor and conventional strain gages. New York: Academic Press 1962, p. 109.Google Scholar
  16. 5.16
    Gieles, A. C. M.; Somers, G. H. J.: Miniaturdruckwandler mit einer Siliziummembrane. Philips Tech. Rdsch. 33(1973/74) 15.Google Scholar
  17. 5.17
    Timoshenko, S.; Woinowsky-Krieger, S.: Theory of plates and shells. New York: McGraw-Hill 1959.Google Scholar
  18. 5.18
    Druminski, M.; Eckstein, P.; Zerbst, M.: Miniaturdruck-meßwandler mit einer Membrane aus Silizium. DBP 25 41 944.Google Scholar
  19. 5.19
    Eckstein, P.; Jäntsch, O.; Reimann, B.: Miniaturdruckmeß-wandler. DBP 26 17 731.Google Scholar
  20. 5.20
    Zias, A. R.; Hare, W. F. J.: Integration brings a generation of low-cost transducers. Electronics (1972) December 4, 83.Google Scholar
  21. 5.21
    Breimesser, F.; Poppinger, M.; Schwaier, A.: Piezoresistive pressure sensor with silicon diaphragm. Siemens Forsch.-u. Entwieki.-Ber. 10 (1981) 72.Google Scholar
  22. 5.22
    Bretschi, J.: Meßumformer mit integrierten Halbleiter-DMS. Technisches Messen atm J 135–30 (1976) 181.Google Scholar

Copyright information

© Springer-Verlag Berlin/Heidelberg 1986

Authors and Affiliations

  • O. Jäntsch

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