Zusammenfassung
Die bereits metallisierten Siliziumplättchen, die die Bauelemente enthalten (Abb.9.1 zeigt ein Siliziumplättchen, das eine größere in-tegierte Schaltung enthält), können in den allerwenigsten Fällen in dieser Form vom Anwender in System wie Leiterplatten usw. eingebaut werden. Dies liegt u.a. daran, daß eine geringfügige mechanische Beanspruchung das aus der dünnen (ca. 1 μm dicken) Aluminiumschicht bestehende Leiterbahnmuster zerstören würde; außerdem würde die umgebende Atmosphäre diese korrodieren lassen. Auch könnten bei ungeschütztem Einbau Verunreinigungen der Oberfläche durch Ionen die Eigenschaften der Bauelemente verändern. Es ist daher erforderlich, die Plättchen in Gehäuse einzubauen, die vor allem
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Entsprechend geformte rechtwinklig angeordnete Sockel erlauben auch eine Anordnung der Aufsteckeinheit parallel zur Leiterplatte, wenn die Notwendigkeit einer Einsparung von Bauhöhe dies erfordert.
Als Träger material wird meist Kovar (Westinghouse: 54% Fe, 29% Ni, 17% Co) verwendet. Kovar besitzt einen sehr kleinen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, ist allerdings ein schlechter elektrischer und thermischer Leiter (vgl. Abschn. 5.5)
Manchmal wird zwischen Träger und das Plättchen auch eine dünne Goldfolie gelegt, um den Legierungsprozeß zu ermöglichen.
Es sind heute aber auch spezielle Kleber auf dem Markt, die eine gute elektrische und thermische Leitfähigkeit besitzen.
Die Abmessungen der Aluminiumanschlußflecke liegen im Bereich von 80 × 80 bis 100 × 100 μm2.
Manche Firmen verwenden auch Drähte aus Aluminium, dem wenige Prozent Silizium oder auch Magnesium aus Gründen der Steifigkeit beigemischt sind.
Al2Au, AlAu, AlAu2 Al3Au8, Al2Au5, AlAu4.
Die Siliconpreßmassen sind aus Gründen der mechanischen Stabilität durch mineralische, körnige Zusätze oder Glasfasern verstärkt.
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Ruge, I. (1984). Gehäuse- und Montagetechnik. In: Halbleiter-Technologie. Halbleiter-Elektronik, vol 4. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-96782-5_10
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