Methoden der elektrischen Charakterisierung von Transistoren

Zusammenfassung

Im vorangegangenen Kapitel wurde die Theorie zur Dimensionierung von Transistoren dargestellt, d. h., es wurden die Zusammenhänge ausgearbeitet, die zwischen dem Aufbau und dem elektrischen Verhalten des Systems bestehen. Auf der Grundlage dieser Theorie ist es möglich, Transistoren mit spezifischen Eigenschaften zu entwickeln und die endgültigen Daten für gegebene Strukturen vorauszuberechnen. Diese Theorie stellt die Ausgangsbasis für den mit der Entwicklung von Transistoren beschäftigten Physiker und Ingenieur dar. Für Anwendungszwecke ist man andererseits nicht so sehr an der inneren Struktur des Transistors interessiert als an seinem elektrischen Verhalten. Man will wissen, was passiert, wenn bestimmte Spannungen und/oder Ströme an die Anschlüsse des Bauelementes gelegt werden. Um das Verhalten von Schaltungen vorhersagen zu können, ist der Schaltungsingenieur besonders an einer vollständigen Beschreibung der elektrischen Eigenschaften der Transistoren interessiert. So ist es wichtig, ein Schema zu entwickeln, das die elektrischen Eigenschaften des Transistors so vollständig wie möglich beschreibt und doch verständlich und wirtschaftlich ist. Damit ist gemeint: Wir suchen nach der geringsten Anzahl von Parametern, die dem Schaltungstechniker vollständigen Aufschluß über die elektrischen Eigenschaften des Transistors gibt.