Zusammenfassung
Der Stromtransport in Feldeffekttransistoren wird durch Majoritätsladungsträger bewirkt, d.h. die vorwiegend mit Minoritätsladungsträgern verknüpften Effekte (Rekombination, Einfang an Haftstellen) spielen eine untergeordnete Rolle. Die Herstellung von GaAs-Feldeffekttransistoren ist daher erheblich einfacher als diejenige von bipolaren GaAs-Transistoren.
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Literatur Kapitel 9
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von Münch, W. (1969). Feldeffekttransistoren. In: Technologie der Galliumarsenid-Bauelemente. Technische Physik in Einzeldarstellungen, vol 16. Springer, Berlin, Heidelberg. https://doi.org/10.1007/978-3-642-88371-2_9
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